| 講演名 | 2017-11-17 ［招待講演］トップゲート塗布型有機トランジスタのデバイス特性と不揮発性有機メモリの開発 永瀬 隆(阪府大), 三田 翔也(阪府大), 塩野 郁弥(阪府大), 小林 隆史(阪府大), 内藤 裕義(阪府大), |
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| 抄録(和) | 塗布印刷プロセスによって作製できる有機電界効果トランジスタ (有機FET) の高移動度や動作安定性の向上は実用化に向けた重要な課題である。塗布形成した有機半導体薄膜表面をキャリア輸送層として用いるトップゲート／ボトムコンタクト (TG/BC) 構造の有機FETは基板の表面エネルギーに大きく依存することなく移動度や動作安定性を向上させることが可能である。可溶性低分子半導体を用いることでスピンコート製膜で8 cm2/Vsを超える高い平均移動度を得ることが可能となった。TG/BC構造有機FETは不揮発性メモリ作製にも応用が可能であり、有機半導体の光機能を利用することで良好なメモリ特性が得られることが分かった。 |
| 抄録(英) | We report that the use of a top-gate/bottom-contact (TG/BC) configuration in solution-processed organic field-effect transistors (OFETs) allows extracting high field-effect mobilities and high operational stabilities irrespective of the surface energy of substrates. High average mobility over 8 cm2/Vs can be achieved in TG/BC OFETs based on soluble small-molecule semiconductors processed by spin coating. TG/BC OFETs are also useful for developing solution-processable organic nonvolatile memory devices. Good memory operations in solution-processed TG/BC OFET memory devices by utilizing the optical functions of organic semiconductors are also reported. |
| キーワード(和) | 有機トランジスタ / 可溶性有機半導体 / トップゲート構造 / 不揮発性有機メモリ |
| キーワード(英) | Organic Transistors / Soluble Organic Semiconductors / Top-gate Configuration / Nonvolatile Organic Memory |
| 資料番号 | OME2017-27 |
| 発行日 | 2017-11-10 (OME) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 2017/11/17(から1日開催) |
| 開催地（和） | 大阪大学中之島センター |
| 開催地（英） | Osaka Univ. Nakanoshima Center |
| テーマ（和） | 有機デバイス・センサー，一般 |
| テーマ（英） | Organic devices and sensors, etc. |
| 委員長氏名（和） | 森 竜雄(愛知工大) |
| 委員長氏名（英） | Tatsuo Mori(Aichi Inst. of Tech.) |
| 副委員長氏名（和） | 真島 豊(東工大) |
| 副委員長氏名（英） | Yutaka Majima(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 幹事氏名（和） | 山田 俊樹(NICT) / 田口 大(東工大) |
| 幹事氏名（英） | Toshiki Yamada(NICT) / Dai Taguchi(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 梶井 博武(阪大) / 嘉治 寿彦(農工大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Hirotake Kajii(Osaka Univ.) / Toshihiko Kaji(Tokyo Univ. of Agriculture and Tech.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Organic Molecular Electronics |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［招待講演］トップゲート塗布型有機トランジスタのデバイス特性と不揮発性有機メモリの開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Talk] Device characteristics of solution-processed top-gate organic transistors and development of nonvolatile organic memory devices |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 有機トランジスタ / Organic Transistors |
| キーワード(2)（和/英） | 可溶性有機半導体 / Soluble Organic Semiconductors |
| キーワード(3)（和/英） | トップゲート構造 / Top-gate Configuration |
| キーワード(4)（和/英） | 不揮発性有機メモリ / Nonvolatile Organic Memory |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 永瀬 隆 / Takashi Nagase |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪府立大学(略称：阪府大) Osaka Prefecture University(略称：Osaka Pref. Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 三田 翔也 / Shoya Sanda |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪府立大学(略称：阪府大) Osaka Prefecture University(略称：Osaka Pref. Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 塩野 郁弥 / Fumiya Shiono |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪府立大学(略称：阪府大) Osaka Prefecture University(略称：Osaka Pref. Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 小林 隆史 / Takashi Kobayashi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 大阪府立大学(略称：阪府大) Osaka Prefecture University(略称：Osaka Pref. Univ.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 内藤 裕義 / Hiroyoshi Naito |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 大阪府立大学(略称：阪府大) Osaka Prefecture University(略称：Osaka Pref. Univ.) |
| 発表年月日 | 2017-11-17 |
| 資料番号 | OME2017-27 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | OME-313 |
| ページ範囲 | pp.1-6(OME), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2017-11-10 (OME) |