| 講演名 | 2017-11-30 -c面GaN基板上のGaNのMOVPE成長における酸素低減の研究 河野 司(名大), 久志本 真希(名大), 永松 謙太郎(名大), 新田 州吾(名大), 本田 善央(名大), 天野 浩(名大), |
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| 抄録(和) | MOVPE成長による-c面GaN基板上のGaNは、＋c面GaN基板上のGaNに比べ、電子を補償する炭素の取り込み量が少なく、ドリフト層に関して、より低濃度な不純物濃度制御が可能となる。そのため、高耐圧デバイス実現の可能性がある。しかし、酸素の取り込み量が1018 cm-3以上と高く、空乏層が伸びず耐圧が低下する問題がある。そこで、本研究では、酸素濃度の低減のため、高温でのMOVPE成長に取り組んだ。その結果、PLから酸素起因の発光の低減が確認できた。 |
| 抄録(英) | GaN epitaxial layer grown on -c plane substrate by MOVPE has a smaller amount of carbon incorporation that compensates electrons than GaN on the + c plane substrate, making it possible to control lower impurity concentration in the drift layer of power device. Therefore, there is a possibility of realizing a high voltage device. However, there is a problem that the amount of oxygen incorporation is as high as 1018 cm-3 or more, therefore the depletion layer does not extend and the operating voltage becomes low. Therefore, in this research, we tried to grow at higher temperature to reduce oxygen concentration. As a result, reduction of luminescence caused by oxygen can be confirmed from PL measurement. |
| キーワード(和) | GaN / -c面 / PL / SIMS / 酸素濃度 |
| キーワード(英) | GaN / -c-plane / PL / SIMS / Oxygen concentration |
| 資料番号 | ED2017-53,CPM2017-96,LQE2017-66 |
| 発行日 | 2017-11-23 (ED, CPM, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE / CPM / ED |
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| 開催期間 | 2017/11/30(から2日開催) |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Inst. tech. |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
| 委員長氏名（和） | 山本 剛之(富士通研) / 廣瀬 文彦(山形大) / 津田 邦男(東芝) |
| 委員長氏名（英） | Tsuyoshi Yamamoto(Fujitsu Labs.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Kunio Tsuda(Toshiba) |
| 副委員長氏名（和） | 浜本 貴一(九大) / 武山 真弓(北見工大) / 須原 理彦(首都大) |
| 副委員長氏名（英） | Kiichi Hamamoto(Kyusyu Univ.) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.) / Michihiko Suhara(TMU) |
| 幹事氏名（和） | 片桐 崇史(東北大) / 八木 英樹(住友電工) / 岩田 展幸(日大) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 新井 学(新日本無線) / 東脇 正高(NICT) |
| 幹事氏名（英） | Takashi Katagiri(Tohoku Univ.) / Hideki Yagi(SEI) / Nobuyuki Iwata(Nihon Univ.) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Manabu Arai(New JRC) / Masataka Higashiwaki(NICT) |
| 幹事補佐氏名（和） | 川北 泰雅(古河電工) / 藤原 直樹(NTT) / 赤毛 勇一(NTTデバイスイノベーションセンタ) / 大石 敏之(佐賀大) / 岩田 達哉(豊橋技科大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Yasumasa Kawakita(Furukawa Electric Industries) / Naoki Fujiwara(NTT) / Yuichi Akage(NTT) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Tatsuya Iwata(TUT) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Electron Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | -c面GaN基板上のGaNのMOVPE成長における酸素低減の研究 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study on oxygen reduction in MOVPE growth of GaN on -c-plane GaN substrate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | -c面 / -c-plane |
| キーワード(3)（和/英） | PL / PL |
| キーワード(4)（和/英） | SIMS / SIMS |
| キーワード(5)（和/英） | 酸素濃度 / Oxygen concentration |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 河野 司 / Tsukasa Kono |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学(略称：名大) Nagoya University(略称：Nagoya Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 久志本 真希 / Maki Kushimoto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学(略称：名大) Nagoya University(略称：Nagoya Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 永松 謙太郎 / Kentaro Nagamatsu |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋大学(略称：名大) Nagoya University(略称：Nagoya Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 新田 州吾 / Shugo Nitta |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋大学(略称：名大) Nagoya University(略称：Nagoya Univ.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 本田 善央 / Yoshio Honda |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名古屋大学(略称：名大) Nagoya University(略称：Nagoya Univ.) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 天野 浩 / Hiroshi Amano |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名古屋大学(略称：名大) Nagoya University(略称：Nagoya Univ.) |
| 発表年月日 | 2017-11-30 |
| 資料番号 | ED2017-53,CPM2017-96,LQE2017-66 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | ED-331,CPM-332,LQE-333 |
| ページ範囲 | pp.19-22(ED), pp.19-22(CPM), pp.19-22(LQE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2017-11-23 (ED, CPM, LQE) |