| 講演名 | 2017-10-20 マイクロ波送電実用化に向けた5.8GHz帯高効率GaN増幅器 山中 宏治(三菱電機), 弥政 和宏(三菱電機), 半谷 政毅(三菱電機), 内海 博三(三菱電機), 西原 淳(三菱電機), 本間 幸洋(三菱電機), 佐々木 謙治(J-SS), |
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| 抄録(和) | マイクロ波送電技術は宇宙太陽光発電や地上での遠距離無線電力伝送手段として注目されている．マイクロ波送電技術を実用化するには送信電力増幅器のさらなる高効率化と信頼性・製造性の両立が必要となる．これらの課題に対し，本研究では，通常はミリ波帯で用いられるゲート長0.15?mのGaN HEMTを用い，３倍波まで高調波整合することで5.8GHzにおいて世界トップの出力電力8.4W，電力付加効率（PAE）77.7%をチャンピオン性能として達成した．また，信頼性・製造性に優れる量産向けデバイスで平均出力電力11.7W，出力電力ばらつき4.7%，平均PAE 68％，PAEばらつき0.6ptsという良好な結果を得た． |
| 抄録(英) | In this paper, a state-of-the-art high power and high efficiency GaN HEMT amplifier, which is to be used in 5.8GHz microwave power transfer systems, is presented. A 0.15?m gate length GaN HEMT, which is usually used for millimeter wave applications, is used to realize ultimate high efficiency. With up to 3rd order harmonic termination, a champion value of 77.7% PAE with 8.4W output power is obtained. Meanwhile, average output power of 11.7W with 4.7% variation and average PAE of 68% with 0.6 pts variation is obtained with more reliable GaN HEMT. |
| キーワード(和) | GaN HEMT / 高電圧 / MODFET高出力増幅器 |
| キーワード(英) | GaN HEMT / High-voltage techniques / MODFET power amplifiers |
| 資料番号 | EMCJ2017-47,MW2017-99,EST2017-62 |
| 発行日 | 2017-10-12 (EMCJ, MW, EST) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW / EMCJ / EST / IEE-EMC |
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| 開催期間 | 2017/10/19(から2日開催) |
| 開催地（和） | あきた芸術村 温泉ゆぽぽ バンケットホール紫苑 |
| 開催地（英） | Yupopo |
| テーマ（和） | 電磁界シミュレーション，EMC, マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | Electromagnetic simulation ，EMC, Microwave technologies |
| 委員長氏名（和） | 村口 正弘(東京理科大) / 和田 修己(京大) / 木村 秀明(NTT) / 山崎 健一(電中研) |
| 委員長氏名（英） | Masahiro Muraguchi(TUC) / Osami Wada(Kyoto Univ.) / Hideaki Kimura(NTT) / 山崎 健一(電中研) |
| 副委員長氏名（和） | 古神 義則(宇都宮大) / 岡崎 浩司(NTTドコモ) / 田島 賢一(三菱電機) / 王 建青(名工大) / 平田 晃正(名工大) / 大貫 進一郎(日大) |
| 副委員長氏名（英） | Yoshinori Kogami(Utsunomiya Univ.) / Hiroshi Okazaki(NTTdocomo) / Kenichi Tajima(Mitsubishi Electric) / Kensei Oh(Nagoya Inst. of Tech.) / Akimasa Hirata(Nagoya Inst. of Tech.) / Shinichiro Ohnuki(Nihon Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 平野 拓一(東工大) / 中村 宝弘(日立) / 森岡 健浩(産総研) / 白木 康博(三菱電機) / 大寺 康夫(東北大) / 江口 真史(千歳科技大) / 石上 忍(東北学院大) / 関口 秀紀(海上技術安全研究所) |
| 幹事氏名（英） | Takuichi Hirano(Tokyo Inst. of Tech.) / Takahiro Nakamura(HITACHI) / Takehiro Morioka(AIST) / Yasuhiro Shiraki(Mitsubishi Electric) / Yasuo Otera(Tohoku Univ.) / Masashi Eguchi(CIST) / 石上 忍(東北学院大) / 関口 秀紀(海上技術安全研究所) |
| 幹事補佐氏名（和） | 小野 哲(電通大) / 本良 瑞樹(東北大) / 山本 真一郎(兵庫県立大) / 佐々木 智江(パナソニック) / 長澤 忍(三菱電機) / 伊藤 孝弘(名工大) / 藤田 和広(富士通) / 井渕 貴章(阪大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Satoshi Ono(Univ. of Electro-Comm.) / Mizuki Motoyoshi(Tohoku Univ.) / Shinichiro Yamamoto(Univ. of Hyogo) / Chie Sasaki(Panasonic) / Shinobu Nagasawa(Mitsubishi Electric) / Takahiro Ito(Nagoya Inst. of Tech.) / Kazuhiro Fujita(Fujitsu) / 井渕 貴章(阪大) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Microwaves / Technical Committee on Electromagnetic Compatibility / Technical Committee on Electronics Simulation Technology / Technical Meeting on Electromagnetic Compatibility |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | マイクロ波送電実用化に向けた5.8GHz帯高効率GaN増幅器 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 5.8GHz High Efficiency GaN Amplifier for Practical Use of Microwave Power Transfer |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN HEMT / GaN HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | 高電圧 / High-voltage techniques |
| キーワード(3)（和/英） | MODFET高出力増幅器 / MODFET power amplifiers |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山中 宏治 / Koji Yamanaka |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社(略称：三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation(略称：Mitsubishi Electric) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 弥政 和宏 / Kazuhiro Iyomasa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社(略称：三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation(略称：Mitsubishi Electric) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 半谷 政毅 / Masatake Hangai |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社(略称：三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation(略称：Mitsubishi Electric) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 内海 博三 / Hiromitsu Utsumi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社(略称：三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation(略称：Mitsubishi Electric) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 西原 淳 / Jun Nishihara |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社(略称：三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation(略称：Mitsubishi Electric) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 本間 幸洋 / Yukihiro Homma |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社(略称：三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation(略称：Mitsubishi Electric) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 佐々木 謙治 / Kenji Sakaki |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 宇宙システム開発利用推進機構(略称：J-SS) Japan Spase Systems(略称：J-SS) |
| 発表年月日 | 2017-10-20 |
| 資料番号 | EMCJ2017-47,MW2017-99,EST2017-62 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | EMCJ-243,MW-244,EST-245 |
| ページ範囲 | pp.117-122(EMCJ), pp.117-122(MW), pp.117-122(EST), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2017-10-12 (EMCJ, MW, EST) |