講演名 2017-10-27
シリコンの発光増強を目的としたデバイス構造の検討
杉下 佑磨(愛知工大), 犬飼 圭祐(愛知工大), 五島 敬史郎(愛知工大),
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抄録(和) シリコン(Si)は間接遷移型半導体の為、高効率で発光することは困難であると言われている。そのためシリコン発光源は未だ実用化に至っていない。 本研究ではシリコンPIN・PN構造において空乏層幅を狭くすること、及びNaやKなどのアルカリ金属を多く含む構造から約20倍程度の強い発光を確認した。またアルカリ金属が含まれている発光スペクトルはTOフォノンを介した遷移過程が支配的になる傾向が分かった。このことから発光増強効果とアルカリ金属不純物には相関関係があることが分かった。
抄録(英) We investigated the electroluminescence (EL) intensities of silicon p-i-n and p-n structures. We observed a clear difference between high and low EL emission, where the high EL intensity was approximately 20 times the low intensity. The highly efficient structure has a thin depletion layer and high alkali metal doping such as the Na and the K, which dominant to light emission via TO phonon transition. We considered that EL emission assisted in the enhancement of the TO phonon transition caused by the alkali metal.
キーワード(和) シリコン / シリコンフォトニクス / 発光増強
キーワード(英) Silicon, / Silicon photonics, / Enhancement light emission
資料番号 CPM2017-70
発行日 2017-10-20 (CPM)

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 2017/10/27(から2日開催)
開催地(和) 信州大学 長野(工学)キャンパス E7棟 3階 研修室
開催地(英) Shinshu Univ. Nagano-Education Campus, E7 building 3F
テーマ(和) 機能性材料(半導体、磁性体、誘電体、透明導電体・半導体、等)薄膜プロセス/材料/デバイス,一般
テーマ(英)
委員長氏名(和) 廣瀬 文彦(山形大)
委員長氏名(英) Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.)
副委員長氏名(和) 武山 真弓(北見工大)
副委員長氏名(英) Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.)
幹事氏名(和) 岩田 展幸(日大) / 中村 雄一(豊橋技科大)
幹事氏名(英) Nobuyuki Iwata(Nihon Univ.) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.)
幹事補佐氏名(和) 赤毛 勇一(NTTデバイスイノベーションセンタ)
幹事補佐氏名(英) Yuichi Akage(NTT)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Component Parts and Materials
本文の言語 JPN
タイトル(和) シリコンの発光増強を目的としたデバイス構造の検討
サブタイトル(和)
タイトル(英) Enhancement of Light Emission Using Silicon P-I-N Structures
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) シリコン / Silicon,
キーワード(2)(和/英) シリコンフォトニクス / Silicon photonics,
キーワード(3)(和/英) 発光増強 / Enhancement light emission
第 1 著者 氏名(和/英) 杉下 佑磨 / yuma sugishita
第 1 著者 所属(和/英) 愛知工業大学(略称:愛知工大)
Aichi insutitute of tecnology(略称:AIT)
第 2 著者 氏名(和/英) 犬飼 圭祐 / keisuke Inukai
第 2 著者 所属(和/英) 愛知工業大学(略称:愛知工大)
Aichi insutitute of tecnology(略称:AIT)
第 3 著者 氏名(和/英) 五島 敬史郎 / Keishiro Goshima
第 3 著者 所属(和/英) 愛知工業大学(略称:愛知工大)
Aichi insutitute of tecnology(略称:AIT)
発表年月日 2017-10-27
資料番号 CPM2017-70
巻番号(vol) vol.117
号番号(no) CPM-268
ページ範囲 pp.17-21(CPM),
ページ数 5
発行日 2017-10-20 (CPM)