講演名 2017-10-26
III-V/SOIハイブリッドデバイスとSi導波路接続用テーパ型モード変換器構造の検討
鈴木 純一(東工大), 永坂 久美(東工大), モータズ エイッサ(東工大), 立花 文人(東工大), 白 柳(東工大), 御手洗 拓矢(東工大), 雨宮 智宏(東工大), 西山 伸彦(東工大), 荒井 滋久(東工大),
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抄録(和) 多機能を有するIII-V/SOIハイブリッド光回路の実現に向け、導波路幅変調によって飽和特性の調節が可能なIII-V/SOIハイブリッド半導体光増幅器 (SOA; Semiconductor Optical Amplifier) を試作し、テーパ部における損失の見積もりと光増幅器としての増幅傾向を確認した。まず、シミュレータによる光閉じ込め係数変化の見積もりを行い、導波路幅変調による光増幅器の特性変化が得られることを示した。つぎに、テーパ構造の作製トレランスについてシミュレーションを行い、テーパ先端幅とSi導波路とIII-Vアイランドのアライメント誤差の両者がSi導波路とIII-Vアイランドの結合損失に影響をあたえることが計算された。作製したIII-V/SOIハイブリッドSOAでは、受光器として測定した際にテーパ部において約-10dBの結合効率が得られたが、光増幅器の機能として12dB程度の増幅傾向を確認した。
抄録(英) In order to realize multi-functional III-V/SOI hybrid photonic integrated circuits, we fabricated a III-V/SOI hybrid semiconductor optical amplifier (SOA) with different Si waveguide width, resulting in the confirmation of amplification tendency. Prior to the fabrication of the hybrid SOA, the Si waveguide width dependences of optical confinement factor were calculated and it was confirmed that saturation tunability along varying Si waveguide width can be realized. Next, by using simulator for estimation of fabrication tolerance in the taper structure, it was found that not only the taper-tip width but also misalignment between Si waveguide and III-V islands caused degradation of coupling efficiency. Finally, III-V/SOI hybrid SOAs were fabricated, and an amplification of 12dB and a coupling efficiency between Si waveguide and hybrid SOA of 10dB/taper were obtained for the device with the Si waveguide width under the island of 4 ?m and the active region length of 800 ?m.
キーワード(和) ハイブリッド半導体光増幅器 / プラズマ活性化貼付け / シリコンフォトニクス
キーワード(英) Hybrid SOA / Plasma activated bonding / Silicon photonics
資料番号 OCS2017-38,OPE2017-70,LQE2017-43
発行日 2017-10-19 (OCS, OPE, LQE)

研究会情報
研究会 OCS / OPE / LQE
開催期間 2017/10/26(から2日開催)
開催地(和) 桜の馬場城彩苑(熊本)
開催地(英) Josaien, Sakuranobaba
テーマ(和) 超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,及び一般
テーマ(英)
委員長氏名(和) 森田 逸郎(KDDI総合研究所) / 加藤 和利(九大) / 山本 剛之(富士通研)
委員長氏名(英) Itsuro Morita(KDDI Research) / Kazutoshi Kato(Kyushu Univ.) / Tsuyoshi Yamamoto(Fujitsu Labs.)
副委員長氏名(和) / 佐藤 功紀(古河電工) / 浜本 貴一(九大)
副委員長氏名(英) / Kouki Sato(Furukawa Electric Industries) / Kiichi Hamamoto(Kyusyu Univ.)
幹事氏名(和) 山本 義典(住友電工) / 木坂 由明(NTT) / 荒武 淳(NTT) / 中津原 克己(神奈川工科大) / 片桐 崇史(東北大) / 八木 英樹(住友電工)
幹事氏名(英) Yoshinori Yamamoto(Sumitomo Electric Industries) / Yoshiaki Kisaka(NTT) / Atsushi Aratake(NTT) / Katsumi Nakatsuhara(Kanagawa Inst. of Tech.) / Takashi Katagiri(Tohoku Univ.) / Hideki Yagi(SEI)
幹事補佐氏名(和) / 種村 拓夫(東大) / 山本 直克(NICT) / 川北 泰雅(古河電工) / 藤原 直樹(NTT)
幹事補佐氏名(英) / Takuo Tanemura(Univ. of Tokyo) / Naokatsu Yamamoto(NICT) / Yasumasa Kawakita(Furukawa Electric Industries) / Naoki Fujiwara(NTT)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Optical Communication Systems / Technical Committee on OptoElectronics / Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics
本文の言語 JPN
タイトル(和) III-V/SOIハイブリッドデバイスとSi導波路接続用テーパ型モード変換器構造の検討
サブタイトル(和)
タイトル(英) Investigation of High Efficient Taper-type Mode Converter between III-V/SOI hybrid device and Si Waveguide
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) ハイブリッド半導体光増幅器 / Hybrid SOA
キーワード(2)(和/英) プラズマ活性化貼付け / Plasma activated bonding
キーワード(3)(和/英) シリコンフォトニクス / Silicon photonics
第 1 著者 氏名(和/英) 鈴木 純一 / Junichi Suzuki
第 1 著者 所属(和/英) 東京工業大学(略称:東工大)
Tokyo Institute of Technology(略称:Tokyo Tech)
第 2 著者 氏名(和/英) 永坂 久美 / Kumi Nagasaka
第 2 著者 所属(和/英) 東京工業大学(略称:東工大)
Tokyo Institute of Technology(略称:Tokyo Tech)
第 3 著者 氏名(和/英) モータズ エイッサ / Moataz Eissa
第 3 著者 所属(和/英) 東京工業大学(略称:東工大)
Tokyo Institute of Technology(略称:Tokyo Tech)
第 4 著者 氏名(和/英) 立花 文人 / Fumihito Tachibana
第 4 著者 所属(和/英) 東京工業大学(略称:東工大)
Tokyo Institute of Technology(略称:Tokyo Tech)
第 5 著者 氏名(和/英) 白 柳 / Bai Liu
第 5 著者 所属(和/英) 東京工業大学(略称:東工大)
Tokyo Institute of Technology(略称:Tokyo Tech)
第 6 著者 氏名(和/英) 御手洗 拓矢 / Takuya Mitarai
第 6 著者 所属(和/英) 東京工業大学(略称:東工大)
Tokyo Institute of Technology(略称:Tokyo Tech)
第 7 著者 氏名(和/英) 雨宮 智宏 / Tomohiro Amemiya
第 7 著者 所属(和/英) 東京工業大学(略称:東工大)
Tokyo Institute of Technology(略称:Tokyo Tech)
第 8 著者 氏名(和/英) 西山 伸彦 / Nobuhiko Nishiyama
第 8 著者 所属(和/英) 東京工業大学(略称:東工大)
Tokyo Institute of Technology(略称:Tokyo Tech)
第 9 著者 氏名(和/英) 荒井 滋久 / Shigehisa Arai
第 9 著者 所属(和/英) 東京工業大学(略称:東工大)
Tokyo Institute of Technology(略称:Tokyo Tech)
発表年月日 2017-10-26
資料番号 OCS2017-38,OPE2017-70,LQE2017-43
巻番号(vol) vol.117
号番号(no) OCS-263,OPE-264,LQE-265
ページ範囲 pp.13-18(OCS), pp.13-18(OPE), pp.13-18(LQE),
ページ数 6
発行日 2017-10-19 (OCS, OPE, LQE)