講演名 2017-08-31
[招待講演]Biを媒介したIn(Ga)As並びにGeナノドットの自己形成
岡本 浩(弘前大), 俵 毅彦(NTT), 舘野 功太(NTT), 章 国強(NTT), 後藤 秀樹(NTT),
PDFダウンロードページ PDFダウンロードページへ
抄録(和)
抄録(英)
キーワード(和)
キーワード(英)
資料番号 R2017-24,EMD2017-18,CPM2017-39,OPE2017-48,LQE2017-21
発行日 2017-08-24 (R, EMD, CPM, OPE, LQE)

研究会情報
研究会 R / EMD / CPM / LQE / OPE
開催期間 2017/8/31(から2日開催)
開催地(和) 弘前文化センター
開催地(英)
テーマ(和) 光部品・電子デバイス実装・信頼性、一般(OECC報告)
テーマ(英)
委員長氏名(和) 弓削 哲史(防衛大) / 阿部 宜輝(NTT-AT) / 廣瀬 文彦(山形大) / 山本 剛之(富士通研) / 加藤 和利(九大)
委員長氏名(英) Tetsushi Yuge(National Defense Academy) / Yoshiteru Abe(NTT-AT) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Tsuyoshi Yamamoto(Fujitsu Labs.) / Kazutoshi Kato(Kyushu Univ.)
副委員長氏名(和) 安里 彰(富士通) / / 武山 真弓(北見工大) / 浜本 貴一(九大) / 佐藤 功紀(古河電工)
副委員長氏名(英) Akira Asato(Fujitsu) / / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.) / Kiichi Hamamoto(Kyusyu Univ.) / Kouki Sato(Furukawa Electric Industries)
幹事氏名(和) 田村 信幸(法政大) / 平栗 滋人(鉄道総研) / 林 優一(東北学院大) / 水上 雅人(室蘭工大) / 岩田 展幸(日大) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 片桐 崇史(東北大) / 八木 英樹(住友電工) / 荒武 淳(NTT) / 中津原 克己(神奈川工科大)
幹事氏名(英) Nobuyuki Tamura(Hosei Univ.) / Shigeto Hiraguri(RTRI) / Yuichi Hayashi(Tohoku Gakuin Univ.) / Masato Mizukami(Muroran Inst. of Tech.) / Nobuyuki Iwata(Nihon Univ.) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Takashi Katagiri(Tohoku Univ.) / Hideki Yagi(SEI) / Atsushi Aratake(NTT) / Katsumi Nakatsuhara(Kanagawa Inst. of Tech.)
幹事補佐氏名(和) 井上 真二(関西大) / 岡村 寛之(広島大) / 萓野 良樹(電通大) / 赤毛 勇一(NTTデバイスイノベーションセンタ) / 川北 泰雅(古河電工) / 藤原 直樹(NTT) / 種村 拓夫(東大)
幹事補佐氏名(英) Shinji Inoue(Kansai Univ.) / Hiroyuki Okamura(Hiroshima Univ.) / Yoshiki Kayano(Univ. of Electro-Comm.) / Yuichi Akage(NTT) / Yasumasa Kawakita(Furukawa Electric Industries) / Naoki Fujiwara(NTT) / Takuo Tanemura(Univ. of Tokyo)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Reliability / Technical Committee on Electromechanical Devices / Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on OptoElectronics
本文の言語 JPN
タイトル(和) [招待講演]Biを媒介したIn(Ga)As並びにGeナノドットの自己形成
サブタイトル(和)
タイトル(英) [Invited Talk] Self-organized formation of In(Ga)As and Ge nanodots mediated by bismuth
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英)
第 1 著者 氏名(和/英) 岡本 浩 / Hiroshi Okamoto
第 1 著者 所属(和/英) 弘前大学(略称:弘前大)
Hirosaki University(略称:Hirosaki Univ.)
第 2 著者 氏名(和/英) 俵 毅彦 / Takehiko Tawara
第 2 著者 所属(和/英) NTT物性科学基礎研究所(略称:NTT)
NTT Basic Research Laboratories(略称:NTT-BRL)
第 3 著者 氏名(和/英) 舘野 功太 / Kouta Tateno
第 3 著者 所属(和/英) NTT物性科学基礎研究所(略称:NTT)
NTT Basic Research Laboratories(略称:NTT-BRL)
第 4 著者 氏名(和/英) 章 国強 / Guoqiang Zhang
第 4 著者 所属(和/英) NTT物性科学基礎研究所(略称:NTT)
NTT Basic Research Laboratories(略称:NTT-BRL)
第 5 著者 氏名(和/英) 後藤 秀樹 / Hideki Gotoh
第 5 著者 所属(和/英) NTT物性科学基礎研究所(略称:NTT)
NTT Basic Research Laboratories(略称:NTT-BRL)
発表年月日 2017-08-31
資料番号 R2017-24,EMD2017-18,CPM2017-39,OPE2017-48,LQE2017-21
巻番号(vol) vol.117
号番号(no) R-191,EMD-192,CPM-193,OPE-194,LQE-195
ページ範囲 pp.1-6(R), pp.1-6(EMD), pp.1-6(CPM), pp.1-6(OPE), pp.1-6(LQE),
ページ数 6
発行日 2017-08-24 (R, EMD, CPM, OPE, LQE)