| 講演名 | 2017-08-31 レーザーアブレーション法によるSiCバッファ層を用いたAlN/Si(110)基板上へのSiCエピタキシャル成長 奈良 友奎(弘前大), 成田 舜基(弘前大), 中澤 日出樹(弘前大), |
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| 抄録(和) | AlNターゲットを用いたレーザーアブレーション法により3°オフ角Si(110)基板上にAlN層を成長させ、AlN層上にモノメチルシラン(MMS)を用いてSiC低温バッファ層を形成し、さらにその上にSiCターゲットを用いたレーザーアブレーション法によりSiC薄膜を作製した。SiCバッファ層の形成条件を変化させてSiC成長を行い、SiCの結晶性および表面平坦性を評価した。その結果、SiCバッファ層形成時の基板温度を500°C、MMS圧力を2.0×10^-3 Pa、形成時間を5分間としたときSiC薄膜の平坦性が最も良好になることがわかった。 |
| 抄録(英) | We have grown aluminum nitride (AlN) films on 3° off-axis Si(110) substrates by pulsed laser deposition using an AlN target, and formed SiC interfacial buffer layers on the AlN layers by ultralow pressure chemical vapor deposition using monomethylsilane to grow SiC films on the low temperature buffer layers by pulsed laser deposition using a SiC target. We formed the SiC buffer layers under different conditions, and investigated the crystallinity and surface morphology of the SiC films grown on the buffer layers. We successfully grew the SiC film with the lowest surface roughness on the buffer layer formed at a substrate temperature of 500°C, an MMS pressure of 2.0×10^-3 Pa, and a duration time of 5 min. |
| キーワード(和) | シリコンカーバイド / 窒化アルミニウム / レーザーアブレーション |
| キーワード(英) | Silicon carbide / Aluminum nitride / Pulsed laser deposition |
| 資料番号 | R2017-25,EMD2017-19,CPM2017-40,OPE2017-49,LQE2017-22 |
| 発行日 | 2017-08-24 (R, EMD, CPM, OPE, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | R / EMD / CPM / LQE / OPE |
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| 開催期間 | 2017/8/31(から2日開催) |
| 開催地（和） | 弘前文化センター |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 光部品・電子デバイス実装・信頼性、一般(OECC報告) |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 弓削 哲史(防衛大) / 阿部 宜輝(NTT-AT) / 廣瀬 文彦(山形大) / 山本 剛之(富士通研) / 加藤 和利(九大) |
| 委員長氏名（英） | Tetsushi Yuge(National Defense Academy) / Yoshiteru Abe(NTT-AT) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Tsuyoshi Yamamoto(Fujitsu Labs.) / Kazutoshi Kato(Kyushu Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 安里 彰(富士通) / / 武山 真弓(北見工大) / 浜本 貴一(九大) / 佐藤 功紀(古河電工) |
| 副委員長氏名（英） | Akira Asato(Fujitsu) / / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.) / Kiichi Hamamoto(Kyusyu Univ.) / Kouki Sato(Furukawa Electric Industries) |
| 幹事氏名（和） | 田村 信幸(法政大) / 平栗 滋人(鉄道総研) / 林 優一(東北学院大) / 水上 雅人(室蘭工大) / 岩田 展幸(日大) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 片桐 崇史(東北大) / 八木 英樹(住友電工) / 荒武 淳(NTT) / 中津原 克己(神奈川工科大) |
| 幹事氏名（英） | Nobuyuki Tamura(Hosei Univ.) / Shigeto Hiraguri(RTRI) / Yuichi Hayashi(Tohoku Gakuin Univ.) / Masato Mizukami(Muroran Inst. of Tech.) / Nobuyuki Iwata(Nihon Univ.) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Takashi Katagiri(Tohoku Univ.) / Hideki Yagi(SEI) / Atsushi Aratake(NTT) / Katsumi Nakatsuhara(Kanagawa Inst. of Tech.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 井上 真二(関西大) / 岡村 寛之(広島大) / 萓野 良樹(電通大) / 赤毛 勇一(NTTデバイスイノベーションセンタ) / 川北 泰雅(古河電工) / 藤原 直樹(NTT) / 種村 拓夫(東大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Shinji Inoue(Kansai Univ.) / Hiroyuki Okamura(Hiroshima Univ.) / Yoshiki Kayano(Univ. of Electro-Comm.) / Yuichi Akage(NTT) / Yasumasa Kawakita(Furukawa Electric Industries) / Naoki Fujiwara(NTT) / Takuo Tanemura(Univ. of Tokyo) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Reliability / Technical Committee on Electromechanical Devices / Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on OptoElectronics |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | レーザーアブレーション法によるSiCバッファ層を用いたAlN/Si(110)基板上へのSiCエピタキシャル成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Epitaxial growth of SiC on AlN/Si(110) substrates using SiC buffer layer by pulsed laser deposition |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコンカーバイド / Silicon carbide |
| キーワード(2)（和/英） | 窒化アルミニウム / Aluminum nitride |
| キーワード(3)（和/英） | レーザーアブレーション / Pulsed laser deposition |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 奈良 友奎 / Yuki Nara |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 弘前大学(略称：弘前大) Hirosaki University(略称：Hirosaki Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 成田 舜基 / Syunki Narita |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 弘前大学(略称：弘前大) Hirosaki University(略称：Hirosaki Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 中澤 日出樹 / Hideki Nakazawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 弘前大学(略称：弘前大) Hirosaki University(略称：Hirosaki Univ.) |
| 発表年月日 | 2017-08-31 |
| 資料番号 | R2017-25,EMD2017-19,CPM2017-40,OPE2017-49,LQE2017-22 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | R-191,EMD-192,CPM-193,OPE-194,LQE-195 |
| ページ範囲 | pp.7-10(R), pp.7-10(EMD), pp.7-10(CPM), pp.7-10(OPE), pp.7-10(LQE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2017-08-24 (R, EMD, CPM, OPE, LQE) |