| 講演名 | 2017-07-31 8角形多端子MOSFETによる多機能センサ動作の評価 原田 知親(山形大), |
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| 抄録(和) | センサ素子を、Si材料、更にMOSFET型とすることにより、素子が既存のSiプロセスで作製可能で、低コスト化、回路組込が容易になる等のメリットを得ることができる。また、素子構造を8角形状とすることで、電極配置が線対称かつ点対称となり、製造時における端子のズレを抑える効果が期待できる。本研究では、応力検出素子や温度検出素子、ホールセンサとして利用できることから、マルチセンサ用基本素子としての活用を見込むため、8角形MOSFETの多機能センサ動作をまとめ、その評価を行った。 |
| 抄録(英) | By using the Si material and the MOSFET type as the sensor device, it is possible to fabricate the various sensor device by the existing Si process, and it is possible to obtain advantages such as low cost and ease of circuit integration etc. Further, by making the octagonal structure, the electrode arrangement becomes line symmetric and point symmetrical, and the effect of suppressing the deviation of the terminals at the time of manufacture can be expected. In this paper, the multifunctional sensor of octagonal MOSFET is evaluated, since it can be used as a stress detection, a temperature detection, and a Hall effect sensor, in order to use it as a basic element of a multiple sensor. |
| キーワード(和) | 8角形MOSFET / 応力センサ / ホールセンサ / 温度センサ / 多端子MOSFET |
| キーワード(英) | Octagonal MOSFET / stress sensor / Hall sensor / temperature sensor / multi-output MOSFET |
| 資料番号 | SDM2017-32,ICD2017-20 |
| 発行日 | 2017-07-24 (SDM, ICD) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM / ICD / ITE-IST |
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| 開催期間 | 2017/7/31(から3日開催) |
| 開催地（和） | 北海道大学情報教育館 |
| 開催地（英） | Hokkaido-Univ. Multimedia Education Bldg. |
| テーマ（和） | アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications |
| 委員長氏名（和） | 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) / 日高 秀人(ルネサス エレクトロニクス) / 須川 成利(東北大) |
| 委員長氏名（英） | Tatsuya Kunikiyo(Renesas) / Hideto Hidaka(Renesas) / Shigetoshi Sugawa(Tohoku Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 品田 高宏(東北大) / 永田 真(神戸大) / 浜本 隆之(東京理科大) / 大竹 浩(NHK) |
| 副委員長氏名（英） | Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) / Makoto Nagata(Kobe Univ.) / Takayuki Hamamoto(Tokyo University of Science) / Hiroshi Ohtake(NHK) |
| 幹事氏名（和） | 黒田 理人(東北大) / 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) / 高宮 真(東大) / 橋本 隆(パナソニック) / 池辺 将之(北大) |
| 幹事氏名（英） | Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) / Tadashi Yamaguchi(Renesas) / Makoto Takamiya(Univ. of Tokyo) / Takashi Hashimoto(Panasonic) / Masayuki Ikebe(Hokkaido Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 池田 浩也(静岡大) / 諸岡 哲(東芝メモリ) / 夏井 雅典(東北大) / 柘植 政利(ソシオネクスト) / 伊藤 浩之(東工大) / 範 公可(電通大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) / Tetsu Morooka(TOSHIBA MEMORY) / Masanori Natsui(Tohoku Univ.) / Masatoshi Tsuge(Socionext) / Hiroyuki Ito(Tokyo Inst. of Tech.) / Pham Konkuha(Univ. of Electro-Comm.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials / Technical Committee on Integrated Circuits and Devices / Technical Group on Information Sensing Technologies |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 8角形多端子MOSFETによる多機能センサ動作の評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Multi Sensor Operation using Octagonal Multi-Output MOSFET |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 8角形MOSFET / Octagonal MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | 応力センサ / stress sensor |
| キーワード(3)（和/英） | ホールセンサ / Hall sensor |
| キーワード(4)（和/英） | 温度センサ / temperature sensor |
| キーワード(5)（和/英） | 多端子MOSFET / multi-output MOSFET |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 原田 知親 / Tomochika Harada |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 山形大学(略称：山形大) Yamagata University(略称：Yamagata Univ.) |
| 発表年月日 | 2017-07-31 |
| 資料番号 | SDM2017-32,ICD2017-20 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | SDM-166,ICD-167 |
| ページ範囲 | pp.7-12(SDM), pp.7-12(ICD), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2017-07-24 (SDM, ICD) |