| 講演名 | 2017-08-01 不揮発情報一括書き込み・読み出し可能な初期値確定SRAM 水谷 朋子(東大), 竹内 潔(東大), 更屋 拓哉(東大), 篠原 尋史(早大), 小林 正治(東大), 平本 俊郎(東大), |
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| 抄録(和) | 通常のSRAMアレイを利用した一括書き込み・読み出し可能な不揮発性メモリを提案する．記憶させたい情報を反転してからセルに書き込んだ後に，電源端子にストレスを印加することで，全アレイに一括不揮発書き込みを実現する．書き込んだ不揮発データは，電源投入直後の初期データとして自動的にSRAMアレイに読み出すことができるので，このSRAMは初期値確定SRAMとして動作する．本研究では，0.18μm技術で作製したデバイスマトリックスアレイ (DMA) TEGを用い，2kビットの不揮発書き込みができることを確認した． |
| 抄録(英) | A technique for using an ordinary SRAM array for programmable and readable non-volatile (NV) memory is proposed. Parallel NV writing of the entire array is achieved by simply applying high-voltage stress to the power supply terminal, after storing inverted desired data in the SRAM array. On ramping up power supply voltage, the NV data will be automatically recalled into the SRAM array. Successful 2kbit NV writing is demonstrated using a device-matrix-array (DMA) TEG fabricated by 0.18μm technology. |
| キーワード(和) | 不揮発性メモリ / ワンタイム・プログラマブル・メモリ / CMOS / SRAM |
| キーワード(英) | non-volatile memory / one-time programmable memory / CMOS / SRAM |
| 資料番号 | SDM2017-38,ICD2017-26 |
| 発行日 | 2017-07-24 (SDM, ICD) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM / ICD / ITE-IST |
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| 開催期間 | 2017/7/31(から3日開催) |
| 開催地（和） | 北海道大学情報教育館 |
| 開催地（英） | Hokkaido-Univ. Multimedia Education Bldg. |
| テーマ（和） | アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications |
| 委員長氏名（和） | 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) / 日高 秀人(ルネサス エレクトロニクス) / 須川 成利(東北大) |
| 委員長氏名（英） | Tatsuya Kunikiyo(Renesas) / Hideto Hidaka(Renesas) / Shigetoshi Sugawa(Tohoku Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 品田 高宏(東北大) / 永田 真(神戸大) / 浜本 隆之(東京理科大) / 大竹 浩(NHK) |
| 副委員長氏名（英） | Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) / Makoto Nagata(Kobe Univ.) / Takayuki Hamamoto(Tokyo University of Science) / Hiroshi Ohtake(NHK) |
| 幹事氏名（和） | 黒田 理人(東北大) / 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) / 高宮 真(東大) / 橋本 隆(パナソニック) / 池辺 将之(北大) |
| 幹事氏名（英） | Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) / Tadashi Yamaguchi(Renesas) / Makoto Takamiya(Univ. of Tokyo) / Takashi Hashimoto(Panasonic) / Masayuki Ikebe(Hokkaido Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 池田 浩也(静岡大) / 諸岡 哲(東芝メモリ) / 夏井 雅典(東北大) / 柘植 政利(ソシオネクスト) / 伊藤 浩之(東工大) / 範 公可(電通大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) / Tetsu Morooka(TOSHIBA MEMORY) / Masanori Natsui(Tohoku Univ.) / Masatoshi Tsuge(Socionext) / Hiroyuki Ito(Tokyo Inst. of Tech.) / Pham Konkuha(Univ. of Electro-Comm.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials / Technical Committee on Integrated Circuits and Devices / Technical Group on Information Sensing Technologies |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 不揮発情報一括書き込み・読み出し可能な初期値確定SRAM |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Parallel Programming of Non-volatile Power-up States of SRAM |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 不揮発性メモリ / non-volatile memory |
| キーワード(2)（和/英） | ワンタイム・プログラマブル・メモリ / one-time programmable memory |
| キーワード(3)（和/英） | CMOS / CMOS |
| キーワード(4)（和/英） | SRAM / SRAM |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 水谷 朋子 / Tomoko Mizutani |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京大学(略称：東大) The University of Tokyo(略称：Univ. of Tokyo) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 竹内 潔 / Kiyoshi Takeuchi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京大学(略称：東大) The University of Tokyo(略称：Univ. of Tokyo) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 更屋 拓哉 / Takuya Saraya |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京大学(略称：東大) The University of Tokyo(略称：Univ. of Tokyo) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 篠原 尋史 / Hirofumi Shinohara |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 早稲田大学(略称：早大) Waseda University(略称：Waseda Univ.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 小林 正治 / Masaharu Kobayashi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京大学(略称：東大) The University of Tokyo(略称：Univ. of Tokyo) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 平本 俊郎 / Toshiro Hiramoto |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東京大学(略称：東大) The University of Tokyo(略称：Univ. of Tokyo) |
| 発表年月日 | 2017-08-01 |
| 資料番号 | SDM2017-38,ICD2017-26 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | SDM-166,ICD-167 |
| ページ範囲 | pp.49-54(SDM), pp.49-54(ICD), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2017-07-24 (SDM, ICD) |