| 講演名 | 2017-08-01 しきい電圧の温度依存性を低減した等価MOSFETの試作と評価 山口 拓哉(明大), 奥 達哉(明大), 関根 かをり(明大), |
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| 抄録(和) | MOSFETの温度特性は回路の動作に大きな影響を与える。MOSFETはしきい電圧と移動度に温度依存性を持っているが、今回はしきい電圧に着目し、しきい電圧の温度依存性が低減されたMOSFETと等価的な動作をする回路を提案し、試作した回路の測定を行った。試作したICチップは0.18μm n-ウェル 標準CMOSプロセスを用いた。提案回路では、2つのMOSFETを弱反転領域で動作のPTAT電圧発生回路と、同一の形状比を持つ二つのMOSFETで構成したレベルシフト回路を用いてしきい電圧の温度依存性を低減している。 |
| 抄録(英) | A MOSFET has a temperature dependence of threshold voltage and mobility. In this paper, we focused on threshold voltage and propose an equivalent MOSFET circuit where temperature dependence of threshold voltage is reduced. Proposal circuit consists of PTAT voltage generator circuits and level-shift circuits to reduce temperature dependence of threshold voltage. The proposed circuit was fabricated with 0.18μm n-well CMOS process and measured. |
| キーワード(和) | MOSFET / 温度特性 / しきい電圧 / PTAT電圧発生回路 |
| キーワード(英) | MOSFET / temperature characteristic / threshold voltage / PTAT generator |
| 資料番号 | SDM2017-41,ICD2017-29 |
| 発行日 | 2017-07-24 (SDM, ICD) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM / ICD / ITE-IST |
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| 開催期間 | 2017/7/31(から3日開催) |
| 開催地（和） | 北海道大学情報教育館 |
| 開催地（英） | Hokkaido-Univ. Multimedia Education Bldg. |
| テーマ（和） | アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications |
| 委員長氏名（和） | 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) / 日高 秀人(ルネサス エレクトロニクス) / 須川 成利(東北大) |
| 委員長氏名（英） | Tatsuya Kunikiyo(Renesas) / Hideto Hidaka(Renesas) / Shigetoshi Sugawa(Tohoku Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 品田 高宏(東北大) / 永田 真(神戸大) / 浜本 隆之(東京理科大) / 大竹 浩(NHK) |
| 副委員長氏名（英） | Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) / Makoto Nagata(Kobe Univ.) / Takayuki Hamamoto(Tokyo University of Science) / Hiroshi Ohtake(NHK) |
| 幹事氏名（和） | 黒田 理人(東北大) / 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) / 高宮 真(東大) / 橋本 隆(パナソニック) / 池辺 将之(北大) |
| 幹事氏名（英） | Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) / Tadashi Yamaguchi(Renesas) / Makoto Takamiya(Univ. of Tokyo) / Takashi Hashimoto(Panasonic) / Masayuki Ikebe(Hokkaido Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 池田 浩也(静岡大) / 諸岡 哲(東芝メモリ) / 夏井 雅典(東北大) / 柘植 政利(ソシオネクスト) / 伊藤 浩之(東工大) / 範 公可(電通大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) / Tetsu Morooka(TOSHIBA MEMORY) / Masanori Natsui(Tohoku Univ.) / Masatoshi Tsuge(Socionext) / Hiroyuki Ito(Tokyo Inst. of Tech.) / Pham Konkuha(Univ. of Electro-Comm.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials / Technical Committee on Integrated Circuits and Devices / Technical Group on Information Sensing Technologies |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | しきい電圧の温度依存性を低減した等価MOSFETの試作と評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluation of equivalent MOSFET reduced temperature dependence of threshold voltage |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | 温度特性 / temperature characteristic |
| キーワード(3)（和/英） | しきい電圧 / threshold voltage |
| キーワード(4)（和/英） | PTAT電圧発生回路 / PTAT generator |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山口 拓哉 / Takuya Yamaguchi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 明治大学(略称：明大) Meiji University(略称：Meiji Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 奥 達哉 / Tatsuya Oku |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 明治大学(略称：明大) Meiji University(略称：Meiji Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 関根 かをり / Kawori Sekine |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 明治大学(略称：明大) Meiji University(略称：Meiji Univ.) |
| 発表年月日 | 2017-08-01 |
| 資料番号 | SDM2017-41,ICD2017-29 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | SDM-166,ICD-167 |
| ページ範囲 | pp.77-82(SDM), pp.77-82(ICD), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2017-07-24 (SDM, ICD) |