| 講演名 | 2017-08-02 急峻なSSを持つPN-Body Tied SOI FETを用いた高効率RFエネルギーハーベスティング用Gate Controlled Diodeの特性 百瀬 駿(金沢工大), 井田 次郎(金沢工大), 森 貴之(金沢工大), 吉田 貴大(金沢工大), 岩田 潤平(金沢工大), 堀井 隆史(金沢工大), 古田 貴大(金沢工大), 山田 拓弥(金沢工大), 高松 大地(金沢工大), 伊東 健治(金沢工大), 石橋 孝一郎(電通大), 新井 康夫(高エネルギー加速器研究機構), |
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| 抄録(和) | 新たに提案した極低ドレイン電圧で急峻なサブスレッショルド特性を持つPN-Body Tied SOI FETを用いたGate Controlled Diode(GCD)では，低いリーク電流を示し，かつ，従来のダイオードよりも十分に低い入力電圧で良好なON特性を持つことが確認された．しきい値を0V付近に調整したPN-Body Tied SOI FETのゲート長やゲート幅を見直すことで，GCDの最適化が可能であることを示した．高インピーダンスアンテナを用いたレクテナにおいては，低消費電力かつマイクロワット以下の入力電力が整流できる可能性が示された． |
| 抄録(英) | The gate controlled diode characteristics with our newly super steep subthreshold slope (SS) “PN-Bode Tied SOI FET” was shown for the first time. It shows the low leakage current. We found that the Excellent On-characteristics with an input voltage sufficiently lower than conventional diode. We showed that it is possible to optimize GCD by reviewing gate length and gate width of PN-Body Tied SOI FET`s whose threshold is controlled to around 0V. A rectenna by using high impedance antenna, the possibility of shown input power of micro watt below could be rectified. |
| キーワード(和) | Subthreshold Slope / SOI MOSFET / RFエネルギーハーベスティング / GCD |
| キーワード(英) | Subthreshold Slope / SOI MOSFET / RF Energy Harvesting / GCD |
| 資料番号 | SDM2017-45,ICD2017-33 |
| 発行日 | 2017-07-24 (SDM, ICD) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM / ICD / ITE-IST |
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| 開催期間 | 2017/7/31(から3日開催) |
| 開催地（和） | 北海道大学情報教育館 |
| 開催地（英） | Hokkaido-Univ. Multimedia Education Bldg. |
| テーマ（和） | アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications |
| 委員長氏名（和） | 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) / 日高 秀人(ルネサス エレクトロニクス) / 須川 成利(東北大) |
| 委員長氏名（英） | Tatsuya Kunikiyo(Renesas) / Hideto Hidaka(Renesas) / Shigetoshi Sugawa(Tohoku Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 品田 高宏(東北大) / 永田 真(神戸大) / 浜本 隆之(東京理科大) / 大竹 浩(NHK) |
| 副委員長氏名（英） | Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) / Makoto Nagata(Kobe Univ.) / Takayuki Hamamoto(Tokyo University of Science) / Hiroshi Ohtake(NHK) |
| 幹事氏名（和） | 黒田 理人(東北大) / 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) / 高宮 真(東大) / 橋本 隆(パナソニック) / 池辺 将之(北大) |
| 幹事氏名（英） | Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) / Tadashi Yamaguchi(Renesas) / Makoto Takamiya(Univ. of Tokyo) / Takashi Hashimoto(Panasonic) / Masayuki Ikebe(Hokkaido Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 池田 浩也(静岡大) / 諸岡 哲(東芝メモリ) / 夏井 雅典(東北大) / 柘植 政利(ソシオネクスト) / 伊藤 浩之(東工大) / 範 公可(電通大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) / Tetsu Morooka(TOSHIBA MEMORY) / Masanori Natsui(Tohoku Univ.) / Masatoshi Tsuge(Socionext) / Hiroyuki Ito(Tokyo Inst. of Tech.) / Pham Konkuha(Univ. of Electro-Comm.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials / Technical Committee on Integrated Circuits and Devices / Technical Group on Information Sensing Technologies |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 急峻なSSを持つPN-Body Tied SOI FETを用いた高効率RFエネルギーハーベスティング用Gate Controlled Diodeの特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Gate Controlled Diode Characteristics of Super Steep Subthreshold slope PN-Body Tied SOI-FET for high Efficiency RF Energy Harvesting |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Subthreshold Slope / Subthreshold Slope |
| キーワード(2)（和/英） | SOI MOSFET / SOI MOSFET |
| キーワード(3)（和/英） | RFエネルギーハーベスティング / RF Energy Harvesting |
| キーワード(4)（和/英） | GCD / GCD |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 百瀬 駿 / Shun Momose |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa institute of Technology(略称：KIT) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 井田 次郎 / Jiro Ida |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa institute of Technology(略称：KIT) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 森 貴之 / Takayuki Mori |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa institute of Technology(略称：KIT) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 吉田 貴大 / Takahiro Yoshida |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa institute of Technology(略称：KIT) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 岩田 潤平 / Junpei Iwata |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa institute of Technology(略称：KIT) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 堀井 隆史 / Takashi Horii |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa institute of Technology(略称：KIT) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 古田 貴大 / Takahiro Furuta |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa institute of Technology(略称：KIT) |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 山田 拓弥 / Takuya Yamada |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa institute of Technology(略称：KIT) |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 高松 大地 / Daichi Takamatsu |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa institute of Technology(略称：KIT) |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 伊東 健治 / Kenji Itoh |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa institute of Technology(略称：KIT) |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 石橋 孝一郎 / Koichiro Ishibashi |
| 第 11 著者 所属（和/英） | 電気通信大学(略称：電通大) The University of Electro-Communications(略称：UEC) |
| 第 12 著者 氏名（和/英） | 新井 康夫 / Yasuo Arai |
| 第 12 著者 所属（和/英） | 高エネルギー加速器研究機構(略称：高エネルギー加速器研究機構) High Energy Accelerator Research Organization(略称：KEK) |
| 発表年月日 | 2017-08-02 |
| 資料番号 | SDM2017-45,ICD2017-33 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | SDM-166,ICD-167 |
| ページ範囲 | pp.109-114(SDM), pp.109-114(ICD), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2017-07-24 (SDM, ICD) |