講演名 2017-07-31
SOTBプロセスによるIoT向け低消費電力混載SRAMの開発
藪内 誠(ルネサス エレクトロニクス), 新居 浩二(ルネサス エレクトロニクス), 田中 信二(ルネサス エレクトロニクス), 篠崎 義弘(日本システムウエア), 山本 芳樹(ルネサス エレクトロニクス), 長谷川 拓実(ルネサス エレクトロニクス), 新川田 裕樹(ルネサス エレクトロニクス), 蒲原 史朗(ルネサス エレクトロニクス),
PDFダウンロードページ PDFダウンロードページへ
抄録(和)
抄録(英)
キーワード(和)
キーワード(英)
資料番号 SDM2017-33,ICD2017-21
発行日 2017-07-24 (SDM, ICD)

研究会情報
研究会 SDM / ICD / ITE-IST
開催期間 2017/7/31(から3日開催)
開催地(和) 北海道大学情報教育館
開催地(英) Hokkaido-Univ. Multimedia Education Bldg.
テーマ(和) アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
テーマ(英) Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications
委員長氏名(和) 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) / 日高 秀人(ルネサス エレクトロニクス) / 須川 成利(東北大)
委員長氏名(英) Tatsuya Kunikiyo(Renesas) / Hideto Hidaka(Renesas) / Shigetoshi Sugawa(Tohoku Univ.)
副委員長氏名(和) 品田 高宏(東北大) / 永田 真(神戸大) / 浜本 隆之(東京理科大) / 大竹 浩(NHK)
副委員長氏名(英) Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) / Makoto Nagata(Kobe Univ.) / Takayuki Hamamoto(Tokyo University of Science) / Hiroshi Ohtake(NHK)
幹事氏名(和) 黒田 理人(東北大) / 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) / 高宮 真(東大) / 橋本 隆(パナソニック) / 池辺 将之(北大)
幹事氏名(英) Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) / Tadashi Yamaguchi(Renesas) / Makoto Takamiya(Univ. of Tokyo) / Takashi Hashimoto(Panasonic) / Masayuki Ikebe(Hokkaido Univ.)
幹事補佐氏名(和) 池田 浩也(静岡大) / 諸岡 哲(東芝メモリ) / 夏井 雅典(東北大) / 柘植 政利(ソシオネクスト) / 伊藤 浩之(東工大) / 範 公可(電通大)
幹事補佐氏名(英) Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) / Tetsu Morooka(TOSHIBA MEMORY) / Masanori Natsui(Tohoku Univ.) / Masatoshi Tsuge(Socionext) / Hiroyuki Ito(Tokyo Inst. of Tech.) / Pham Konkuha(Univ. of Electro-Comm.)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Silicon Device and Materials / Technical Committee on Integrated Circuits and Devices / Technical Group on Information Sensing Technologies
本文の言語 JPN
タイトル(和) SOTBプロセスによるIoT向け低消費電力混載SRAMの開発
サブタイトル(和)
タイトル(英) A 65 nm 1.0V 1.84ns Silicon-on-Thin-Box (SOTB) Embedded SRAM with 13.72 nW/Mbit Standby Power for Smart IoT
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英)
第 1 著者 氏名(和/英) 藪内 誠 / Makoto Yabuuchi
第 1 著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社(略称:ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation(略称:Renesas)
第 2 著者 氏名(和/英) 新居 浩二 / Koji Nii
第 2 著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社(略称:ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation(略称:Renesas)
第 3 著者 氏名(和/英) 田中 信二 / Shinji Tanaka
第 3 著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社(略称:ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation(略称:Renesas)
第 4 著者 氏名(和/英) 篠崎 義弘 / Shinozaki Yoshihiro
第 4 著者 所属(和/英) 日本システムウエア株式会社(略称:日本システムウエア)
Nippon Systemware Co. Ltd.,(略称:Nippon Systemware)
第 5 著者 氏名(和/英) 山本 芳樹 / Yoshiki Yamamoto
第 5 著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社(略称:ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation(略称:Renesas)
第 6 著者 氏名(和/英) 長谷川 拓実 / Takumi Hasegawa
第 6 著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社(略称:ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation(略称:Renesas)
第 7 著者 氏名(和/英) 新川田 裕樹 / Hiroki Shinkawata
第 7 著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社(略称:ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation(略称:Renesas)
第 8 著者 氏名(和/英) 蒲原 史朗 / Shiro Kamohara
第 8 著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社(略称:ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation(略称:Renesas)
発表年月日 2017-07-31
資料番号 SDM2017-33,ICD2017-21
巻番号(vol) vol.117
号番号(no) SDM-166,ICD-167
ページ範囲 pp.13-16(SDM), pp.13-16(ICD),
ページ数 4
発行日 2017-07-24 (SDM, ICD)