講演名 | 2017-07-31 SOTBプロセスによるIoT向け低消費電力混載SRAMの開発 藪内 誠(ルネサス エレクトロニクス), 新居 浩二(ルネサス エレクトロニクス), 田中 信二(ルネサス エレクトロニクス), 篠崎 義弘(日本システムウエア), 山本 芳樹(ルネサス エレクトロニクス), 長谷川 拓実(ルネサス エレクトロニクス), 新川田 裕樹(ルネサス エレクトロニクス), 蒲原 史朗(ルネサス エレクトロニクス), |
---|---|
PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
抄録(和) | |
抄録(英) | |
キーワード(和) | |
キーワード(英) | |
資料番号 | SDM2017-33,ICD2017-21 |
発行日 | 2017-07-24 (SDM, ICD) |
研究会情報 | |
研究会 | SDM / ICD / ITE-IST |
---|---|
開催期間 | 2017/7/31(から3日開催) |
開催地(和) | 北海道大学情報教育館 |
開催地(英) | Hokkaido-Univ. Multimedia Education Bldg. |
テーマ(和) | アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
テーマ(英) | Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications |
委員長氏名(和) | 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) / 日高 秀人(ルネサス エレクトロニクス) / 須川 成利(東北大) |
委員長氏名(英) | Tatsuya Kunikiyo(Renesas) / Hideto Hidaka(Renesas) / Shigetoshi Sugawa(Tohoku Univ.) |
副委員長氏名(和) | 品田 高宏(東北大) / 永田 真(神戸大) / 浜本 隆之(東京理科大) / 大竹 浩(NHK) |
副委員長氏名(英) | Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) / Makoto Nagata(Kobe Univ.) / Takayuki Hamamoto(Tokyo University of Science) / Hiroshi Ohtake(NHK) |
幹事氏名(和) | 黒田 理人(東北大) / 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) / 高宮 真(東大) / 橋本 隆(パナソニック) / 池辺 将之(北大) |
幹事氏名(英) | Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) / Tadashi Yamaguchi(Renesas) / Makoto Takamiya(Univ. of Tokyo) / Takashi Hashimoto(Panasonic) / Masayuki Ikebe(Hokkaido Univ.) |
幹事補佐氏名(和) | 池田 浩也(静岡大) / 諸岡 哲(東芝メモリ) / 夏井 雅典(東北大) / 柘植 政利(ソシオネクスト) / 伊藤 浩之(東工大) / 範 公可(電通大) |
幹事補佐氏名(英) | Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) / Tetsu Morooka(TOSHIBA MEMORY) / Masanori Natsui(Tohoku Univ.) / Masatoshi Tsuge(Socionext) / Hiroyuki Ito(Tokyo Inst. of Tech.) / Pham Konkuha(Univ. of Electro-Comm.) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials / Technical Committee on Integrated Circuits and Devices / Technical Group on Information Sensing Technologies |
---|---|
本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | SOTBプロセスによるIoT向け低消費電力混載SRAMの開発 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | A 65 nm 1.0V 1.84ns Silicon-on-Thin-Box (SOTB) Embedded SRAM with 13.72 nW/Mbit Standby Power for Smart IoT |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | |
第 1 著者 氏名(和/英) | 藪内 誠 / Makoto Yabuuchi |
第 1 著者 所属(和/英) | ルネサスエレクトロニクス株式会社(略称:ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation(略称:Renesas) |
第 2 著者 氏名(和/英) | 新居 浩二 / Koji Nii |
第 2 著者 所属(和/英) | ルネサスエレクトロニクス株式会社(略称:ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation(略称:Renesas) |
第 3 著者 氏名(和/英) | 田中 信二 / Shinji Tanaka |
第 3 著者 所属(和/英) | ルネサスエレクトロニクス株式会社(略称:ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation(略称:Renesas) |
第 4 著者 氏名(和/英) | 篠崎 義弘 / Shinozaki Yoshihiro |
第 4 著者 所属(和/英) | 日本システムウエア株式会社(略称:日本システムウエア) Nippon Systemware Co. Ltd.,(略称:Nippon Systemware) |
第 5 著者 氏名(和/英) | 山本 芳樹 / Yoshiki Yamamoto |
第 5 著者 所属(和/英) | ルネサスエレクトロニクス株式会社(略称:ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation(略称:Renesas) |
第 6 著者 氏名(和/英) | 長谷川 拓実 / Takumi Hasegawa |
第 6 著者 所属(和/英) | ルネサスエレクトロニクス株式会社(略称:ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation(略称:Renesas) |
第 7 著者 氏名(和/英) | 新川田 裕樹 / Hiroki Shinkawata |
第 7 著者 所属(和/英) | ルネサスエレクトロニクス株式会社(略称:ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation(略称:Renesas) |
第 8 著者 氏名(和/英) | 蒲原 史朗 / Shiro Kamohara |
第 8 著者 所属(和/英) | ルネサスエレクトロニクス株式会社(略称:ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation(略称:Renesas) |
発表年月日 | 2017-07-31 |
資料番号 | SDM2017-33,ICD2017-21 |
巻番号(vol) | vol.117 |
号番号(no) | SDM-166,ICD-167 |
ページ範囲 | pp.13-16(SDM), pp.13-16(ICD), |
ページ数 | 4 |
発行日 | 2017-07-24 (SDM, ICD) |