| 講演名 | 2017-07-31 SOTBプロセスによるIoT向け低消費電力混載SRAMの開発 藪内 誠(ルネサス エレクトロニクス), 新居 浩二(ルネサス エレクトロニクス), 田中 信二(ルネサス エレクトロニクス), 篠崎 義弘(日本システムウエア), 山本 芳樹(ルネサス エレクトロニクス), 長谷川 拓実(ルネサス エレクトロニクス), 新川田 裕樹(ルネサス エレクトロニクス), 蒲原 史朗(ルネサス エレクトロニクス), |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | SDM2017-33,ICD2017-21 |
| 発行日 | 2017-07-24 (SDM, ICD) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM / ICD / ITE-IST |
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| 開催期間 | 2017/7/31(から3日開催) |
| 開催地（和） | 北海道大学情報教育館 |
| 開催地（英） | Hokkaido-Univ. Multimedia Education Bldg. |
| テーマ（和） | アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications |
| 委員長氏名（和） | 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) / 日高 秀人(ルネサス エレクトロニクス) / 須川 成利(東北大) |
| 委員長氏名（英） | Tatsuya Kunikiyo(Renesas) / Hideto Hidaka(Renesas) / Shigetoshi Sugawa(Tohoku Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 品田 高宏(東北大) / 永田 真(神戸大) / 浜本 隆之(東京理科大) / 大竹 浩(NHK) |
| 副委員長氏名（英） | Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) / Makoto Nagata(Kobe Univ.) / Takayuki Hamamoto(Tokyo University of Science) / Hiroshi Ohtake(NHK) |
| 幹事氏名（和） | 黒田 理人(東北大) / 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) / 高宮 真(東大) / 橋本 隆(パナソニック) / 池辺 将之(北大) |
| 幹事氏名（英） | Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) / Tadashi Yamaguchi(Renesas) / Makoto Takamiya(Univ. of Tokyo) / Takashi Hashimoto(Panasonic) / Masayuki Ikebe(Hokkaido Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 池田 浩也(静岡大) / 諸岡 哲(東芝メモリ) / 夏井 雅典(東北大) / 柘植 政利(ソシオネクスト) / 伊藤 浩之(東工大) / 範 公可(電通大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) / Tetsu Morooka(TOSHIBA MEMORY) / Masanori Natsui(Tohoku Univ.) / Masatoshi Tsuge(Socionext) / Hiroyuki Ito(Tokyo Inst. of Tech.) / Pham Konkuha(Univ. of Electro-Comm.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials / Technical Committee on Integrated Circuits and Devices / Technical Group on Information Sensing Technologies |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SOTBプロセスによるIoT向け低消費電力混載SRAMの開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A 65 nm 1.0V 1.84ns Silicon-on-Thin-Box (SOTB) Embedded SRAM with 13.72 nW/Mbit Standby Power for Smart IoT |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 藪内 誠 / Makoto Yabuuchi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社(略称：ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation(略称：Renesas) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 新居 浩二 / Koji Nii |
| 第 2 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社(略称：ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation(略称：Renesas) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 田中 信二 / Shinji Tanaka |
| 第 3 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社(略称：ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation(略称：Renesas) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 篠崎 義弘 / Shinozaki Yoshihiro |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日本システムウエア株式会社(略称：日本システムウエア) Nippon Systemware Co. Ltd.,(略称：Nippon Systemware) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 山本 芳樹 / Yoshiki Yamamoto |
| 第 5 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社(略称：ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation(略称：Renesas) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 長谷川 拓実 / Takumi Hasegawa |
| 第 6 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社(略称：ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation(略称：Renesas) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 新川田 裕樹 / Hiroki Shinkawata |
| 第 7 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社(略称：ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation(略称：Renesas) |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 蒲原 史朗 / Shiro Kamohara |
| 第 8 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社(略称：ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation(略称：Renesas) |
| 発表年月日 | 2017-07-31 |
| 資料番号 | SDM2017-33,ICD2017-21 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | SDM-166,ICD-167 |
| ページ範囲 | pp.13-16(SDM), pp.13-16(ICD), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2017-07-24 (SDM, ICD) |