| 講演名 | 2017-08-01 ［依頼講演］電圧比調整技術を用いた3.2ppm/℃の二次温度補償CMOSオンチップ発振器 張 国強(ルネサス エレクトロニクス), 矢山 浩輔(ルネサス エレクトロニクス), 勝島 明男(ルネサス エレクトロニクス), 三木 隆博(ルネサス エレクトロニクス), |
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| 抄録(和) | Local Interconnection Network(LIN)に適用可能なCMOSオンチップ発振器(OCO)を提案する。電圧比調整(VRA)技術によって出力周波数の温度依存性は補正される。周波数の電源電圧依存性は幅広い入力範囲1.8Vから5.0Vを電圧レギュレータによって減少される。パッケージストレスによる周波数変動は抵抗の配置位置の工夫により最小化される。測定では、温度-40℃から150℃の範囲で温度依存性がパッケージストレスを除いた場合で3.2ppm/℃、パッケージストレスを含めた場合で14.2ppm/℃であった。また電圧依存性は±0.015%以内である。 |
| 抄録(英) | A CMOS on-chip oscillator (OCO) for local interconnection network (LIN) bus is presented. The temperature dependence of the output frequency is compensated by the voltage ratio adjusting (VRA) technique. The frequency variation with supply voltage is reduced by a voltage regulator with a wide input range of 1.8V to 5.0V. The frequency shift caused by package stress is minimized by resistor placement. Over a temperature range of -40ºC to 150ºC, the measured temperature coefficients of the output frequency are 3.2ppm/ºC without the effect of the package stress and 14.2ppm/ºC with that, respectively. The measured frequency variation with supply voltage is within ±0.015%. |
| キーワード(和) | 周波数偏差 / オンチップ発振器 / パッケージストレス / 温度補償 |
| キーワード(英) | Frequency variation / On-chip oscillator / Package stress / Temperature compensation |
| 資料番号 | SDM2017-39,ICD2017-27 |
| 発行日 | 2017-07-24 (SDM, ICD) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM / ICD / ITE-IST |
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| 開催期間 | 2017/7/31(から3日開催) |
| 開催地（和） | 北海道大学情報教育館 |
| 開催地（英） | Hokkaido-Univ. Multimedia Education Bldg. |
| テーマ（和） | アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications |
| 委員長氏名（和） | 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) / 日高 秀人(ルネサス エレクトロニクス) / 須川 成利(東北大) |
| 委員長氏名（英） | Tatsuya Kunikiyo(Renesas) / Hideto Hidaka(Renesas) / Shigetoshi Sugawa(Tohoku Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 品田 高宏(東北大) / 永田 真(神戸大) / 浜本 隆之(東京理科大) / 大竹 浩(NHK) |
| 副委員長氏名（英） | Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) / Makoto Nagata(Kobe Univ.) / Takayuki Hamamoto(Tokyo University of Science) / Hiroshi Ohtake(NHK) |
| 幹事氏名（和） | 黒田 理人(東北大) / 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) / 高宮 真(東大) / 橋本 隆(パナソニック) / 池辺 将之(北大) |
| 幹事氏名（英） | Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) / Tadashi Yamaguchi(Renesas) / Makoto Takamiya(Univ. of Tokyo) / Takashi Hashimoto(Panasonic) / Masayuki Ikebe(Hokkaido Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 池田 浩也(静岡大) / 諸岡 哲(東芝メモリ) / 夏井 雅典(東北大) / 柘植 政利(ソシオネクスト) / 伊藤 浩之(東工大) / 範 公可(電通大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) / Tetsu Morooka(TOSHIBA MEMORY) / Masanori Natsui(Tohoku Univ.) / Masatoshi Tsuge(Socionext) / Hiroyuki Ito(Tokyo Inst. of Tech.) / Pham Konkuha(Univ. of Electro-Comm.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials / Technical Committee on Integrated Circuits and Devices / Technical Group on Information Sensing Technologies |
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| 本文の言語 | ENG-JTITLE |
| タイトル（和） | ［依頼講演］電圧比調整技術を用いた3.2ppm/℃の二次温度補償CMOSオンチップ発振器 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Lecture] A 3.2ppm/℃ Second-Order Temperature Compensated CMOS On-Chip Oscillator Using Voltage Ratio Adjusting Technique |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 周波数偏差 / Frequency variation |
| キーワード(2)（和/英） | オンチップ発振器 / On-chip oscillator |
| キーワード(3)（和/英） | パッケージストレス / Package stress |
| キーワード(4)（和/英） | 温度補償 / Temperature compensation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 張 国強 / Guoqiang Zhang |
| 第 1 著者 所属（和/英） | ルネサス エレクトロニクス(略称：ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation(略称：Renesas Electronics) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 矢山 浩輔 / Kosuke Yayama |
| 第 2 著者 所属（和/英） | ルネサス エレクトロニクス(略称：ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation(略称：Renesas Electronics) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 勝島 明男 / Akio Katsushima |
| 第 3 著者 所属（和/英） | ルネサス エレクトロニクス(略称：ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation(略称：Renesas Electronics) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 三木 隆博 / Takahiro Miki |
| 第 4 著者 所属（和/英） | ルネサス エレクトロニクス(略称：ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation(略称：Renesas Electronics) |
| 発表年月日 | 2017-08-01 |
| 資料番号 | SDM2017-39,ICD2017-27 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | SDM-166,ICD-167 |
| ページ範囲 | pp.69-69(SDM), pp.69-69(ICD), |
| ページ数 | 1 |
| 発行日 | 2017-07-24 (SDM, ICD) |