| 講演名 | 2017-09-01 ブラッグ波長離調を用いた半導体薄膜DFB/DRレーザのしきい値電流温度依存性 井上 大輔(東工大), 福田 快(東工大), 平谷 拓生(東工大), 冨安 高弘(東工大), 瓜生 達也(東工大), 雨宮 智宏(東工大), 西山 伸彦(東工大), 荒井 滋久(東工大), |
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| 抄録(和) | 集積回路の性能はMOSFETのスケーリング則に基づいて高集積化と高速化が進められてきた。しかし、電気配線層における発熱や信号遅延が性能を律速する問題の一つとしてあげられる。配線の性能を向上させる方法として、既存の電気配線を置き換えるチップ上光配線技術が提案されている。そのためには従来のファイバ通信に使われてきた光素子と比べて極低消費電力動作可能な光源が必要である。我々はそのような極低電力動作可能な光源として、薄膜半導体コア層を誘電体クラッドで挟み込んだ薄膜DFB/DRレーザを提案し、これまでに室温連続条件で低しきい値電流、高効率、高速動作を実現してきた。今回、高温条件での動作特性向上を目的として、ブラッグ波長離調を導入した薄膜DFB/DRレーザの作製と評価を行った。スペクトル特性から離調量はDFBレーザで+53 nm、DRレーザで+45 nmと見積もられ、DFBレーザでは温度範囲20°C |
| 抄録(英) | The performance of integrated circuits has proceeded to higher integration density and speed based on scaling law in MOSFETs. However, heat generation and signal delay in the electrical wiring layer became problems that limits the performance. To solve these problems, an on-chip optical interconnection technology was proposed. For this purpose, an ultra-low power consumption laser is required as compared with optical devices deployed in fiber communication systems. We have proposed membrane DFB / DR lasers which consist of a thin semiconductor core layer sandwiched between dielectric cladding layers. In previous works, low threshold current, high output efficiency, and high-speed operation characteristics under a room-temperature continuous-wave condition have been reported. In this paper, the Bragg wavelength detuning design was introduced to the membrane DFB / DR lasers in order to improve lasing characteristics at relatively high temperature range. From the spectrum characteristics, the detuning amount was estimated to be 53 nm for the DFB laser and 45 nm for the DR laser. As the results, more or less temperature insensitive threshold characteristic (20 ° C |
| キーワード(和) | 半導体レーザ / 薄膜レーザ / DFBレーザ / DRレーザ |
| キーワード(英) | semiconductor laser / membrane laser / distributed-feedback laser / distributed-reflector laser |
| 資料番号 | R2017-34,EMD2017-28,CPM2017-49,OPE2017-58,LQE2017-31 |
| 発行日 | 2017-08-24 (R, EMD, CPM, OPE, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | R / EMD / CPM / LQE / OPE |
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| 開催期間 | 2017/8/31(から2日開催) |
| 開催地（和） | 弘前文化センター |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 光部品・電子デバイス実装・信頼性、一般(OECC報告) |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 弓削 哲史(防衛大) / 阿部 宜輝(NTT-AT) / 廣瀬 文彦(山形大) / 山本 剛之(富士通研) / 加藤 和利(九大) |
| 委員長氏名（英） | Tetsushi Yuge(National Defense Academy) / Yoshiteru Abe(NTT-AT) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Tsuyoshi Yamamoto(Fujitsu Labs.) / Kazutoshi Kato(Kyushu Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 安里 彰(富士通) / / 武山 真弓(北見工大) / 浜本 貴一(九大) / 佐藤 功紀(古河電工) |
| 副委員長氏名（英） | Akira Asato(Fujitsu) / / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.) / Kiichi Hamamoto(Kyusyu Univ.) / Kouki Sato(Furukawa Electric Industries) |
| 幹事氏名（和） | 田村 信幸(法政大) / 平栗 滋人(鉄道総研) / 林 優一(東北学院大) / 水上 雅人(室蘭工大) / 岩田 展幸(日大) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 片桐 崇史(東北大) / 八木 英樹(住友電工) / 荒武 淳(NTT) / 中津原 克己(神奈川工科大) |
| 幹事氏名（英） | Nobuyuki Tamura(Hosei Univ.) / Shigeto Hiraguri(RTRI) / Yuichi Hayashi(Tohoku Gakuin Univ.) / Masato Mizukami(Muroran Inst. of Tech.) / Nobuyuki Iwata(Nihon Univ.) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Takashi Katagiri(Tohoku Univ.) / Hideki Yagi(SEI) / Atsushi Aratake(NTT) / Katsumi Nakatsuhara(Kanagawa Inst. of Tech.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 井上 真二(関西大) / 岡村 寛之(広島大) / 萓野 良樹(電通大) / 赤毛 勇一(NTTデバイスイノベーションセンタ) / 川北 泰雅(古河電工) / 藤原 直樹(NTT) / 種村 拓夫(東大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Shinji Inoue(Kansai Univ.) / Hiroyuki Okamura(Hiroshima Univ.) / Yoshiki Kayano(Univ. of Electro-Comm.) / Yuichi Akage(NTT) / Yasumasa Kawakita(Furukawa Electric Industries) / Naoki Fujiwara(NTT) / Takuo Tanemura(Univ. of Tokyo) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Reliability / Technical Committee on Electromechanical Devices / Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on OptoElectronics |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ブラッグ波長離調を用いた半導体薄膜DFB/DRレーザのしきい値電流温度依存性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Temperature dependance of threshold current of membrane DFB/DR lasers using Bragg wavelength detuning |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 半導体レーザ / semiconductor laser |
| キーワード(2)（和/英） | 薄膜レーザ / membrane laser |
| キーワード(3)（和/英） | DFBレーザ / distributed-feedback laser |
| キーワード(4)（和/英） | DRレーザ / distributed-reflector laser |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 井上 大輔 / Daisuke Inoue |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 福田 快 / Kai Fukuda |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 平谷 拓生 / Takuo Hiratani |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 冨安 高弘 / Takahiro Tomiyasu |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 瓜生 達也 / Tatsuya Uryu |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 雨宮 智宏 / Tomohiro Amemiya |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 西山 伸彦 / Nobuhiko Nishiyama |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 荒井 滋久 / Shigehisa Arai |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Inst. of Tech.) |
| 発表年月日 | 2017-09-01 |
| 資料番号 | R2017-34,EMD2017-28,CPM2017-49,OPE2017-58,LQE2017-31 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | R-191,EMD-192,CPM-193,OPE-194,LQE-195 |
| ページ範囲 | pp.51-54(R), pp.51-54(EMD), pp.51-54(CPM), pp.51-54(OPE), pp.51-54(LQE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2017-08-24 (R, EMD, CPM, OPE, LQE) |