| 講演名 | 2017-08-02 ［招待講演］金属絶縁体転移素子を用いたキャパシタレスのニューロン回路 矢嶋 赳彬(東大), 西村 知紀(東大), 鳥海 明(東大), |
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| 抄録(和) | 酸化バナジウムが示す金属絶縁体転移を利用して、キャパシタレスのニューロン回路を作製した。キャパシタが電荷を積算するのとは異なり、酸化バナジウムは内部にジュール熱を蓄積し、それによって金属絶縁体転移を引き起こす。この酸化バナジウムの熱蓄積の効果を用いることで、入力パルス電圧を時間平均し、それによってニューロン回路を作製した。キャパシタによって回路の微細化がしばしば律速されることを考えれば、キャパシタの代わりに金属絶縁体素子を用いる本研究によって、ニューロン回路の微細化が促進されると期待できる。 |
| 抄録(英) | The metal-insulator transition of VO2 is exploited in neuromorphic circuits, resulting in a capacitor-less neuron circuit which overcomes the fundamental challenges of downscaling capacitors. The Joule-heat-induced metal-insulator transition enables heat integral in analogy with charge integral in capacitors, leading to the time averaging of the input voltage pulses in the artificial neuron circuits. Thus, the phase transition materials with time averaging function, including VO2, will replace capacitors and help integrate the neuromorphic circuits. |
| キーワード(和) | 酸化バナジウム / 金属絶縁体転移 / ニューロン / ジュール熱 |
| キーワード(英) | VO2 / Metal-insulator transition / Neuron / Joule heat |
| 資料番号 | SDM2017-44,ICD2017-32 |
| 発行日 | 2017-07-24 (SDM, ICD) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM / ICD / ITE-IST |
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| 開催期間 | 2017/7/31(から3日開催) |
| 開催地（和） | 北海道大学情報教育館 |
| 開催地（英） | Hokkaido-Univ. Multimedia Education Bldg. |
| テーマ（和） | アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications |
| 委員長氏名（和） | 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) / 日高 秀人(ルネサス エレクトロニクス) / 須川 成利(東北大) |
| 委員長氏名（英） | Tatsuya Kunikiyo(Renesas) / Hideto Hidaka(Renesas) / Shigetoshi Sugawa(Tohoku Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 品田 高宏(東北大) / 永田 真(神戸大) / 浜本 隆之(東京理科大) / 大竹 浩(NHK) |
| 副委員長氏名（英） | Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) / Makoto Nagata(Kobe Univ.) / Takayuki Hamamoto(Tokyo University of Science) / Hiroshi Ohtake(NHK) |
| 幹事氏名（和） | 黒田 理人(東北大) / 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) / 高宮 真(東大) / 橋本 隆(パナソニック) / 池辺 将之(北大) |
| 幹事氏名（英） | Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) / Tadashi Yamaguchi(Renesas) / Makoto Takamiya(Univ. of Tokyo) / Takashi Hashimoto(Panasonic) / Masayuki Ikebe(Hokkaido Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 池田 浩也(静岡大) / 諸岡 哲(東芝メモリ) / 夏井 雅典(東北大) / 柘植 政利(ソシオネクスト) / 伊藤 浩之(東工大) / 範 公可(電通大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) / Tetsu Morooka(TOSHIBA MEMORY) / Masanori Natsui(Tohoku Univ.) / Masatoshi Tsuge(Socionext) / Hiroyuki Ito(Tokyo Inst. of Tech.) / Pham Konkuha(Univ. of Electro-Comm.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials / Technical Committee on Integrated Circuits and Devices / Technical Group on Information Sensing Technologies |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［招待講演］金属絶縁体転移素子を用いたキャパシタレスのニューロン回路 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Talk] Capacitor-less neuron circuits using metal-insulator transition devices |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 酸化バナジウム / VO2 |
| キーワード(2)（和/英） | 金属絶縁体転移 / Metal-insulator transition |
| キーワード(3)（和/英） | ニューロン / Neuron |
| キーワード(4)（和/英） | ジュール熱 / Joule heat |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 矢嶋 赳彬 / Takeaki Yajima |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京大学(略称：東大) The University of Tokyo(略称：Univ. of Tokyo) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 西村 知紀 / Tomonori Nishimura |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京大学(略称：東大) The University of Tokyo(略称：Univ. of Tokyo) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 鳥海 明 / Akira Toriumi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京大学(略称：東大) The University of Tokyo(略称：Univ. of Tokyo) |
| 発表年月日 | 2017-08-02 |
| 資料番号 | SDM2017-44,ICD2017-32 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | SDM-166,ICD-167 |
| ページ範囲 | pp.107-108(SDM), pp.107-108(ICD), |
| ページ数 | 2 |
| 発行日 | 2017-07-24 (SDM, ICD) |