| 講演名 | 2017-06-20 エピタキシャルAg(111)上の極薄IV族結晶形成 伊藤 公一(名大), 大田 晃生(名大), 黒澤 昌志(名大), 洗平 昌晃(名大), 池田 弥央(名大), 牧原 克典(名大), 宮崎 誠一(名大), |
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| 抄録(和) | 卓越した電子物性が理論予測されているSiやGeなどのIV族元素の二次元結晶を作成することを目指し、SiやGeと共晶反応を示すAgを用いて、下地基板からSiやGeを熱拡散させ、Ag表面に析出することで、二次元結晶を合成する方法を探究した。具体的には、Si(111)、SiGe(111)、およびGe(111)に形成したAgの化学構造と表面の安定性を調べるとともに、熱処理による表面平坦化と元素析出について系統的に調べた。450℃で熱処理したAg/Ge(111)では、表面に特徴的な三回対称構造がAFM像より認められ、原子数層の極薄Ge膜を極平坦なAg上に形成できたことを光電子分光分析により明らかにした。 |
| 抄録(英) | Two dimensional (2D) honeycomb crystals such as silicene and germanene are currently receiving much attention because of its exceptional electronic properties. We have studied the growth of such 2D crystals using the segregation of Si (or Ge) on the Ag surface by the annealing of Ag/Si(or SiGe, Ge) structure. An Ag(111) layer was epitaxially grown on Si(111), Ge(111), and SiGe(111) substrate by thermal evaporation, and the chemical and thermal stability of Ag surface were systematically evaluated to get the atomically flat Ag surface. After the annealing of Ag/Ge(111) structure at 450℃ in N2 ambience, segration of Ge atoms with an average thickness of bi-layer on the atomically flat Ag surface were observed from the analyses of AFM and HAXPES measurements. |
| キーワード(和) | 2次元結晶 / IV族半導体 / 原子間力顕微鏡 / X線光電子分光 |
| キーワード(英) | Two Dimensional Crystal / Group-IV Semiconductor / Atomic Force Microscope / X-ray Photoelectron Spectroscopy |
| 資料番号 | SDM2017-30 |
| 発行日 | 2017-06-13 (SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2017/6/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | キャンパス・イノベーションセンター東京 ５０８（AB) |
| 開催地（英） | Campus Innovation Center Tokyo |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories |
| 委員長氏名（和） | 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) |
| 委員長氏名（英） | Tatsuya Kunikiyo(Renesas) |
| 副委員長氏名（和） | 品田 高宏(東北大) |
| 副委員長氏名（英） | Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 黒田 理人(東北大) / 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) |
| 幹事氏名（英） | Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) / Tadashi Yamaguchi(Renesas) |
| 幹事補佐氏名（和） | 池田 浩也(静岡大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | エピタキシャルAg(111)上の極薄IV族結晶形成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Formation of Ultrathin Crystalline Structure of Group-IV Elements on Epitaxial Ag(111) Surface |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 2次元結晶 / Two Dimensional Crystal |
| キーワード(2)（和/英） | IV族半導体 / Group-IV Semiconductor |
| キーワード(3)（和/英） | 原子間力顕微鏡 / Atomic Force Microscope |
| キーワード(4)（和/英） | X線光電子分光 / X-ray Photoelectron Spectroscopy |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 伊藤 公一 / Koichi Ito |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学(略称：名大) Nagoya University(略称：Nagoya Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 大田 晃生 / Akio Ohta |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学(略称：名大) Nagoya University(略称：Nagoya Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 黒澤 昌志 / Masashi Kurosawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋大学(略称：名大) Nagoya University(略称：Nagoya Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 洗平 昌晃 / Masaaki Araidai |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋大学(略称：名大) Nagoya University(略称：Nagoya Univ.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 池田 弥央 / Mitsuhisa Ikeda |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名古屋大学(略称：名大) Nagoya University(略称：Nagoya Univ.) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 牧原 克典 / Katsunori Makihara |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名古屋大学(略称：名大) Nagoya University(略称：Nagoya Univ.) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 宮崎 誠一 / Seiichi Miyazaki |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 名古屋大学(略称：名大) Nagoya University(略称：Nagoya Univ.) |
| 発表年月日 | 2017-06-20 |
| 資料番号 | SDM2017-30 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | SDM-101 |
| ページ範囲 | pp.43-48(SDM), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2017-06-13 (SDM) |