| 講演名 | 2017-06-20 Ge1-xSnxゲートスタック構造における欠陥の物性評価 金田 裕一(名大), 池 進一(名大), 兼松 正行(名大), 坂下 満男(名大), 竹内 和歌奈(名大), 中塚 理(名大), 財満 鎭明(名大), |
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| 抄録(和) | Ge1-xSnxチャネルデバイスの実現には絶縁膜/Ge1-xSnx界面およびGe1-xSnx層中の欠陥制御が必要不可欠である。本研究では、原子層堆積法を用いてGe1-xSnx上にGeO2を低温堆積し、Al/Al2O3/GeO2/Ge1-xSnx/Ge/Al構造のMOSキャパシタを作製した。また、その電気的特性から、Sn組成および電極形成後熱処理（PMA）が欠陥に及ぼす影響を評価した。Sn組成0～3.3 ％において、Sn組成が増加するにつれて界面準位密度（Dit）は減少した。また、強反転状態において現れるC-V特性の周波数分散から、Ge1-xSnx層中に多量の欠陥が形成されることが分かった。さらに300 ℃および400 ℃のPMAを行うことによって界面準位密度を1/2に低減でき、Dit=4×1011 eV-1 cm-2の低い値となった。一方、500 ℃以下の熱処理によってはGe1-xSnx層のSn組成および結晶構造はほとんど変化しなかった。 |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | Ge1-xSnx / 原子層堆積法 / 界面準位密度 / 熱処理 |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | SDM2017-29 |
| 発行日 | 2017-06-13 (SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2017/6/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | キャンパス・イノベーションセンター東京 ５０８（AB) |
| 開催地（英） | Campus Innovation Center Tokyo |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories |
| 委員長氏名（和） | 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) |
| 委員長氏名（英） | Tatsuya Kunikiyo(Renesas) |
| 副委員長氏名（和） | 品田 高宏(東北大) |
| 副委員長氏名（英） | Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 黒田 理人(東北大) / 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) |
| 幹事氏名（英） | Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) / Tadashi Yamaguchi(Renesas) |
| 幹事補佐氏名（和） | 池田 浩也(静岡大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Ge1-xSnxゲートスタック構造における欠陥の物性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of defects in Ge1-xSnx gate stack structure |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Ge1-xSnx |
| キーワード(2)（和/英） | 原子層堆積法 |
| キーワード(3)（和/英） | 界面準位密度 |
| キーワード(4)（和/英） | 熱処理 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 金田 裕一 / Yuichi Kaneda |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学(略称：名大) Nagoya University(略称：Nagoya Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 池 進一 / Shinnichi ike |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学(略称：名大) Nagoya University(略称：Nagoya Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 兼松 正行 / Masayuki Kanematsu |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋大学(略称：名大) Nagoya University(略称：Nagoya Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 坂下 満男 / Mitsuo Sakashita |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋大学(略称：名大) Nagoya University(略称：Nagoya Univ.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 竹内 和歌奈 / Wakana Takeuchi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名古屋大学(略称：名大) Nagoya University(略称：Nagoya Univ.) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 中塚 理 / Osamu Nakatsuka |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名古屋大学(略称：名大) Nagoya University(略称：Nagoya Univ.) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 財満 鎭明 / Shigeaki Zaima |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 名古屋大学(略称：名大) Nagoya University(略称：Nagoya Univ.) |
| 発表年月日 | 2017-06-20 |
| 資料番号 | SDM2017-29 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | SDM-101 |
| ページ範囲 | pp.39-42(SDM), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2017-06-13 (SDM) |