| 講演名 | 2017-06-20 高濃度SOI基板と転写法によるTMDC FETsの作製 川那子 高暢(東工大), 居駒 遼(東工大), 高木 寛之(東工大), 小田 俊理(東工大), |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | SDM2017-28 |
| 発行日 | 2017-06-13 (SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2017/6/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | キャンパス・イノベーションセンター東京 ５０８（AB) |
| 開催地（英） | Campus Innovation Center Tokyo |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories |
| 委員長氏名（和） | 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) |
| 委員長氏名（英） | Tatsuya Kunikiyo(Renesas) |
| 副委員長氏名（和） | 品田 高宏(東北大) |
| 副委員長氏名（英） | Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 黒田 理人(東北大) / 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) |
| 幹事氏名（英） | Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) / Tadashi Yamaguchi(Renesas) |
| 幹事補佐氏名（和） | 池田 浩也(静岡大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高濃度SOI基板と転写法によるTMDC FETsの作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Heavily-doped SOI Substrate and Transfer Printing for Fabrication of TMDC FETs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 川那子 高暢 / Takamasa Kawanago |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 居駒 遼 / Ryo Ikoma |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 高木 寛之 / Hiroyuki Takagi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 小田 俊理 / Shunri Oda |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Inst. of Tech.) |
| 発表年月日 | 2017-06-20 |
| 資料番号 | SDM2017-28 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | SDM-101 |
| ページ範囲 | pp.35-38(SDM), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2017-06-13 (SDM) |