講演名 2017-06-20
硫黄雰囲気硫化プロセスによるスパッタMoS2薄膜の低キャリア密度化
松浦 賢太朗(東工大), 大橋 匠(東工大), 宗田 伊理也(東工大), 石原 聖也(明大), 角嶋 邦之(東工大), 筒井 一生(東工大), 小椋 厚志(明大), 若林 整(東工大),
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発行日

研究会情報
研究会 SDM
開催期間 2017/6/20(から1日開催)
開催地(和) キャンパス・イノベーションセンター東京 508(AB)
開催地(英) Campus Innovation Center Tokyo
テーマ(和) MOSデバイス・メモリ高性能化-材料・プロセス技術 (応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催)
テーマ(英) Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories
委員長氏名(和) 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス)
委員長氏名(英) Tatsuya Kunikiyo(Renesas)
副委員長氏名(和) 品田 高宏(東北大)
副委員長氏名(英) Takahiro Shinada(Tohoku Univ.)
幹事氏名(和) 黒田 理人(東北大) / 山口 直(ルネサス エレクトロニクス)
幹事氏名(英) Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) / Tadashi Yamaguchi(Renesas)
幹事補佐氏名(和) 池田 浩也(静岡大)
幹事補佐氏名(英) Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Silicon Device and Materials
本文の言語 JPN
タイトル(和) 硫黄雰囲気硫化プロセスによるスパッタMoS2薄膜の低キャリア密度化
サブタイトル(和)
タイトル(英) Low-Carrier-Density Sputtered-MoS2 Film by Vapor-Phase- Sulfurization
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英)
第 1 著者 氏名(和/英) 松浦 賢太朗 / Kentaro Matsuura
第 1 著者 所属(和/英) 東京工業大学(略称:東工大)
Tokyo Institute of Technology(略称:Tokyo Tech)
第 2 著者 氏名(和/英) 大橋 匠 / Takumi Ohashi
第 2 著者 所属(和/英) 東京工業大学(略称:東工大)
Tokyo Institute of Technology(略称:Tokyo Tech)
第 3 著者 氏名(和/英) 宗田 伊理也 / Iriya Muneta
第 3 著者 所属(和/英) 東京工業大学(略称:東工大)
Tokyo Institute of Technology(略称:Tokyo Tech)
第 4 著者 氏名(和/英) 石原 聖也 / Seiya Ishihara
第 4 著者 所属(和/英) 明治大学(略称:明大)
Meiji University(略称:Meiji Univ.)
第 5 著者 氏名(和/英) 角嶋 邦之 / Kuniyuki Kakushima
第 5 著者 所属(和/英) 東京工業大学(略称:東工大)
Tokyo Institute of Technology(略称:Tokyo Tech)
第 6 著者 氏名(和/英) 筒井 一生 / Kazuo Tsutsui
第 6 著者 所属(和/英) 東京工業大学(略称:東工大)
Tokyo Institute of Technology(略称:Tokyo Tech)
第 7 著者 氏名(和/英) 小椋 厚志 / Atsushi Ogura
第 7 著者 所属(和/英) 明治大学(略称:明大)
Meiji University(略称:Meiji Univ.)
第 8 著者 氏名(和/英) 若林 整 / Hitoshi Wakabayashi
第 8 著者 所属(和/英) 東京工業大学(略称:東工大)
Tokyo Institute of Technology(略称:Tokyo Tech)
発表年月日 2017-06-20
資料番号
巻番号(vol) vol.117
号番号(no) SDM-101
ページ範囲 pp.-(),
ページ数
発行日