講演名 | 2017-06-20 [依頼講演]ダイヤモンド中の窒素‐空孔センターによる高感度センシング技術 岩崎 孝之(東工大), 波多野 睦子(東工大), |
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資料番号 | SDM2017-24 |
発行日 | 2017-06-13 (SDM) |
研究会情報 | |
研究会 | SDM |
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開催期間 | 2017/6/20(から1日開催) |
開催地(和) | キャンパス・イノベーションセンター東京 508(AB) |
開催地(英) | Campus Innovation Center Tokyo |
テーマ(和) | MOSデバイス・メモリ高性能化-材料・プロセス技術 (応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催) |
テーマ(英) | Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories |
委員長氏名(和) | 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) |
委員長氏名(英) | Tatsuya Kunikiyo(Renesas) |
副委員長氏名(和) | 品田 高宏(東北大) |
副委員長氏名(英) | Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) |
幹事氏名(和) | 黒田 理人(東北大) / 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) |
幹事氏名(英) | Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) / Tadashi Yamaguchi(Renesas) |
幹事補佐氏名(和) | 池田 浩也(静岡大) |
幹事補佐氏名(英) | Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | [依頼講演]ダイヤモンド中の窒素‐空孔センターによる高感度センシング技術 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | [Invited Lecture] Sensing technologies using nitrogen-vacancy centers in diamond |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | |
第 1 著者 氏名(和/英) | 岩崎 孝之 / Takayuki Iwasaki |
第 1 著者 所属(和/英) | 東京工業大学(略称:東工大) Tokyo Institute of Technology(略称:Tokyo Inst. of Tech.) |
第 2 著者 氏名(和/英) | 波多野 睦子 / Mutsuko Hatano |
第 2 著者 所属(和/英) | 東京工業大学(略称:東工大) Tokyo Institute of Technology(略称:Tokyo Inst. of Tech.) |
発表年月日 | 2017-06-20 |
資料番号 | SDM2017-24 |
巻番号(vol) | vol.117 |
号番号(no) | SDM-101 |
ページ範囲 | pp.15-18(SDM), |
ページ数 | 4 |
発行日 | 2017-06-13 (SDM) |