| 講演名 | 2017-06-20 ［依頼講演］SOI技術を用いた量子イメージング検出器の開発 新井 康夫(高エネルギー加速器研究機構), |
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| 抄録(和) | シリコンは量子線（光子、Ｘ線、ガンマ線、電子、イオン、中性子等）を検出する為の物質として優れていると共に、エレクトロニクスを実装するのに欠かせない材料である。従ってこれらを一体化することが望まれるているが、通常のバルクCMOS集積回路では実現が難しかった。我々はSilicon-on-Insulator (SOI)技術を用いて、センサと読み出し回路を一体化した放射線イメージング検出器を開発した。これにより、従来よりも小さな画素サイズを持った量子線イメージングが可能になると共に、画素ごとにアナログ増幅やデジタル処理を行うことが可能となり、新しい検出方法への道を開いた。 |
| 抄録(英) | Silicon is a good material for detecting quantum beam (Photon, X-ray, Gamma-ray, Electron, Ion, Neutron etc.) and also good for implementing electronics. Then combining these functions in a single chip is sought but it was difficult to realize in standard bulk CMOS technology. We have developed monolithic radiation image sensors using Silicon-On-Insulator (SOI) technology. This enables smaller pixel size than existing detector and in-pixel data processing, thus opened new detection method. |
| キーワード(和) | SOI / 放射線 / イメージング / X線 / 量子線 / CMOS / 検出器 |
| キーワード(英) | SOI / radiation / imaging / X-ray / quantum beam / CMOS / detector |
| 資料番号 | SDM2017-22 |
| 発行日 | 2017-06-13 (SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2017/6/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | キャンパス・イノベーションセンター東京 ５０８（AB) |
| 開催地（英） | Campus Innovation Center Tokyo |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories |
| 委員長氏名（和） | 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) |
| 委員長氏名（英） | Tatsuya Kunikiyo(Renesas) |
| 副委員長氏名（和） | 品田 高宏(東北大) |
| 副委員長氏名（英） | Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 黒田 理人(東北大) / 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) |
| 幹事氏名（英） | Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) / Tadashi Yamaguchi(Renesas) |
| 幹事補佐氏名（和） | 池田 浩也(静岡大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［依頼講演］SOI技術を用いた量子イメージング検出器の開発 |
| サブタイトル（和） | 半導体で素粒子・X線を見る |
| タイトル（英） | [Invited Lecture] Development of Quantum Imaging Detector using SOI Technology |
| サブタイトル（和） | Looking Elementary Particles and X-rays with Semiconductor |
| キーワード(1)（和/英） | SOI / SOI |
| キーワード(2)（和/英） | 放射線 / radiation |
| キーワード(3)（和/英） | イメージング / imaging |
| キーワード(4)（和/英） | X線 / X-ray |
| キーワード(5)（和/英） | 量子線 / quantum beam |
| キーワード(6)（和/英） | CMOS / CMOS |
| キーワード(7)（和/英） | 検出器 / detector |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 新井 康夫 / Yasuo Arai |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 高エネルギー加速器研究機構(略称：高エネルギー加速器研究機構) High Energy Accelerator Research Organization(略称：KEK) |
| 発表年月日 | 2017-06-20 |
| 資料番号 | SDM2017-22 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | SDM-101 |
| ページ範囲 | pp.5-8(SDM), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2017-06-13 (SDM) |