| 講演名 | 2017-06-20 ［依頼講演］シンチレータとGa2O3半導体 岡田 豪(奈良先端大), 臼井 雄輝(奈良先端大), 河野 直樹(奈良先端大), 河口 範明(奈良先端大), 柳田 健之(奈良先端大), |
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| 抄録(和) | 近年、放射線応用技術の高度化に伴い放射線検出に用いられるシンチレータにおいてより高い性能が求められている。シンチレータとは蛍光体の一種であり、放射線入力に対して発光を示し、一般的な光検出器を用いる事により間接的に放射線を検出する事ができる。シンチレータとして特に求められる特性として、高い発光量に加え、短い発光の減衰時間が挙げられる。NaI:TlやYAG:Ceなどに代表される一般的なシンチレータ材料は無機絶縁体材料を母体とし発光中心として働く遷移金属や希土類イオンが添加されているものが殆どである。その為、同発光特性は添加イオンの輻射電子遷移に強く依存し、最も短い減衰時間を有するもので数10 ns程度である。一方、発光材料として用いられる半導体の内在的発光は原理的に発光量が大きく、また従来のシンチレータよりも高速な応答を示す点で注目が集められている。本発表ではシンチレータの一般特性およびGa2O3半導体のシンチレータ特性について議論を行う。 |
| 抄録(英) | With the recent advancement of radiation-detection technologies, the demands of higher performances of scintillators are considerably increasing. Scintillators are a class of phosphors which shows luminescence upon incident of ionizing radiations; therefore, one can use scintillators for radiation detections with a use of photodetectors together. Fundamental properties of scintillators include high light yield and short decay time. As represented in NaI:Tl and YAG:Ce as used in practice, scintillator materials in general consist of inorganic insulator as a host matrix and transitional metals or rare-earth ions as luminescent centre. Therefore, the luminescent properties strongly depends on the radiative electronic transitions of dopants and the ones showing the shortest lifetime are on the order of several tens nanoseconds. In contrast, some semiconductors show potentially higher scintillation light yield and even shorter lifetimes. For the latter reasons, semiconductor materials are of our great interest for scintillator applications, and scintillation properties of Ga2O3 in addition to general aspects of scintillators are discussed. |
| キーワード(和) | シンチレータ / 半導体 / Ga2O3 |
| キーワード(英) | Scintillator / Semiconductor / Ga2O3 |
| 資料番号 | SDM2017-21 |
| 発行日 | 2017-06-13 (SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2017/6/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | キャンパス・イノベーションセンター東京 ５０８（AB) |
| 開催地（英） | Campus Innovation Center Tokyo |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories |
| 委員長氏名（和） | 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) |
| 委員長氏名（英） | Tatsuya Kunikiyo(Renesas) |
| 副委員長氏名（和） | 品田 高宏(東北大) |
| 副委員長氏名（英） | Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 黒田 理人(東北大) / 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) |
| 幹事氏名（英） | Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) / Tadashi Yamaguchi(Renesas) |
| 幹事補佐氏名（和） | 池田 浩也(静岡大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［依頼講演］シンチレータとGa2O3半導体 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Lecture] Scintillators and Ga2O3 Semiconductors |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | シンチレータ / Scintillator |
| キーワード(2)（和/英） | 半導体 / Semiconductor |
| キーワード(3)（和/英） | Ga2O3 / Ga2O3 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 岡田 豪 / Go Okada |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学(略称：奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology(略称：NAIST) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 臼井 雄輝 / Yuki Usui |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学(略称：奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology(略称：NAIST) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 河野 直樹 / Naoki Kawano |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学(略称：奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology(略称：NAIST) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 河口 範明 / Noriaki Kawaguchi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学(略称：奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology(略称：NAIST) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 柳田 健之 / Takayuki Yanagida |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学(略称：奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology(略称：NAIST) |
| 発表年月日 | 2017-06-20 |
| 資料番号 | SDM2017-21 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | SDM-101 |
| ページ範囲 | pp.1-4(SDM), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2017-06-13 (SDM) |