講演名 | 2017-06-20 XPSによるHigh-k/SiO2界面の化学構造およびダイポールの評価 藤村 信幸(名大), 大田 晃生(名大), 池田 弥央(名大), 牧原 克典(名大), 宮崎 誠一(名大), |
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資料番号 | SDM2017-25 |
発行日 | 2017-06-13 (SDM) |
研究会情報 | |
研究会 | SDM |
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開催期間 | 2017/6/20(から1日開催) |
開催地(和) | キャンパス・イノベーションセンター東京 508(AB) |
開催地(英) | Campus Innovation Center Tokyo |
テーマ(和) | MOSデバイス・メモリ高性能化-材料・プロセス技術 (応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催) |
テーマ(英) | Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories |
委員長氏名(和) | 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) |
委員長氏名(英) | Tatsuya Kunikiyo(Renesas) |
副委員長氏名(和) | 品田 高宏(東北大) |
副委員長氏名(英) | Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) |
幹事氏名(和) | 黒田 理人(東北大) / 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) |
幹事氏名(英) | Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) / Tadashi Yamaguchi(Renesas) |
幹事補佐氏名(和) | 池田 浩也(静岡大) |
幹事補佐氏名(英) | Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | XPSによるHigh-k/SiO2界面の化学構造およびダイポールの評価 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Direct Observation of Chemical Structure and Electrical Dipole at High-k/SiO2 Interface Using by XPS Measurements |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | |
第 1 著者 氏名(和/英) | 藤村 信幸 / Nobuyuki Fujimura |
第 1 著者 所属(和/英) | 名古屋大学(略称:名大) Nagoya University(略称:Nagoya Univ.) |
第 2 著者 氏名(和/英) | 大田 晃生 / Akio Ohta |
第 2 著者 所属(和/英) | 名古屋大学(略称:名大) Nagoya University(略称:Nagoya Univ.) |
第 3 著者 氏名(和/英) | 池田 弥央 / Mitsuhisa Ikeda |
第 3 著者 所属(和/英) | 名古屋大学(略称:名大) Nagoya University(略称:Nagoya Univ.) |
第 4 著者 氏名(和/英) | 牧原 克典 / Katsunori Makihara |
第 4 著者 所属(和/英) | 名古屋大学(略称:名大) Nagoya University(略称:Nagoya Univ.) |
第 5 著者 氏名(和/英) | 宮崎 誠一 / Seiichi Miyazaki |
第 5 著者 所属(和/英) | 名古屋大学(略称:名大) Nagoya University(略称:Nagoya Univ.) |
発表年月日 | 2017-06-20 |
資料番号 | SDM2017-25 |
巻番号(vol) | vol.117 |
号番号(no) | SDM-101 |
ページ範囲 | pp.19-23(SDM), |
ページ数 | 5 |
発行日 | 2017-06-13 (SDM) |