| 講演名 | 2017-05-26 水溶液浸漬による4H-SiC(0001)Si面における表面再結合の抑制 加藤 正史(名工大), 市川 義人(名工大), 市村 正也(名工大), 木本 恒暢(京大), |
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| 抄録(和) | 表面再結合はバイポーラSiCデバイスおよびSiC光触媒の性能に影響する因子の一つであるが、その速度を制御する手法は十分に確立されていない。そこで本研究では、水溶液中で4H-SiCの表面再結合速度を測定することで、SiCにおける表面制御手法確立の一助とすることを目指した。その結果、酸性水溶液中では4H-SiC(0001)Si面の表面再結合が抑制されることが明らかになった。 |
| 抄録(英) | Although surface recombination is one of the factors that affects the performance of bipolar SiC devices and SiC photocatalysts, the method of controlling the speed is not well established. In this study, we aimed to establish a surface control method in SiC by measuring the surface recombination velocity of 4H-SiC in aqueous solution. As a result, the surface recombination of the 4H-SiC (0001) Si-face is suppressed in the acidic aqueous solution. |
| キーワード(和) | SiC / 表面再結合 / 水溶液 |
| キーワード(英) | SiC / surface recombination / aqueous solution |
| 資料番号 | ED2017-24,CPM2017-10,SDM2017-18 |
| 発行日 | 2017-05-18 (ED, CPM, SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM / ED / CPM |
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| 開催期間 | 2017/5/25(から2日開催) |
| 開催地（和） | 名古屋大学VBLベンチャーホール (3F) |
| 開催地（英） | VBL, Nagoya University |
| テーマ（和） | 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料)およびその他 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) / 前澤 宏一(富山大) / 野毛 悟(沼津高専) |
| 委員長氏名（英） | Tatsuya Kunikiyo(Renesas) / Koichi Maezawa(Univ. of Toyama) / Satoru Noge(Numazu National College of Tech.) |
| 副委員長氏名（和） | 品田 高宏(東北大) / 津田 邦男(東芝) / 廣瀬 文彦(山形大) |
| 副委員長氏名（英） | Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) / Kunio Tsuda(Toshiba) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 黒田 理人(東北大) / 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) / 鈴木 寿一(北陸先端大) / 新井 学(新日本無線) / 小舘 淳一(NTT) / 岩田 展幸(日大) |
| 幹事氏名（英） | Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) / Tadashi Yamaguchi(Renesas) / Toshikazu Suzuki(JAIST) / Manabu Arai(New JRC) / Junichi Kodate(NTT) / Nobuyuki Iwata(Nihon Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 池田 浩也(静岡大) / 東脇 正高(NICT) / 大石 敏之(佐賀大) / 坂本 尊(NTT) / 中村 雄一(豊橋技科大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) / Masataka Higashiwaki(NICT) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Takashi Sakamoto(NTT) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials / Technical Committee on Electron Devices / Technical Committee on Component Parts and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 水溶液浸漬による4H-SiC(0001)Si面における表面再結合の抑制 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Suppression of surface recombination at the 4H-SiC (0001) Si-face by immersing aqueous solutions |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SiC / SiC |
| キーワード(2)（和/英） | 表面再結合 / surface recombination |
| キーワード(3)（和/英） | 水溶液 / aqueous solution |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 加藤 正史 / Masashi Kato |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：NITech) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 市川 義人 / Yoshihito Ichikawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：NITech) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 市村 正也 / Masaya Ichimura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：NITech) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 木本 恒暢 / Tsunenobu Kimoto |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 京都大学(略称：京大) Kyoto University(略称：Kyoto Univ.) |
| 発表年月日 | 2017-05-26 |
| 資料番号 | ED2017-24,CPM2017-10,SDM2017-18 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | ED-58,CPM-59,SDM-60 |
| ページ範囲 | pp.51-54(ED), pp.51-54(CPM), pp.51-54(SDM), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2017-05-18 (ED, CPM, SDM) |