| 講演名 | 2017-05-25 ドロップ光化学堆積法によるn型AlOx薄膜の作製 梅村 将成(名工大), 市村 正也(名工大), |
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| 抄録(和) | AlOxは大きなバンドギャップから可視光に対して透明であり、化学的、熱的に安定な物質である。本研究室より、基板に溶液を滴下して光を照射して堆積を行うドロップ光化学堆積(d-PCD)法によるAlOx薄膜の堆積を報告しているが、作製された薄膜は電気伝導に寄与するとされる酸素欠陥を含んでいる可能性を示唆していた。そこで本研究ではd-PCD法によってAlOx薄膜を堆積したのちに電気的特性の評価を行った。その結果、微小ではあるがn型の導電性を持つ事がわかった。 |
| 抄録(英) | AlOx is transparent for visible rays because of its large bandgap, and stable chemically and thermally. We fabricated AlOx thin films by drop photochemical deposition (d-PCD), which was performed by dropping solution on substrate and irradiating UV light. We found a possibility that the films have oxygen-deficiency defects, which can enhance electrical conductivity. Thus, we measured electrical properties of the films. Theresults showed that the filmsy have n-type electrical conductivity. |
| キーワード(和) | 酸化アルミニウム / AlOx / 透明 / 光化学堆積法 / 酸素欠陥 / n型 / 電気伝導 |
| キーワード(英) | AlOx / oxygen-deficiency defects / electrical conductivity / n-type / PCD |
| 資料番号 | ED2017-18,CPM2017-4,SDM2017-12 |
| 発行日 | 2017-05-18 (ED, CPM, SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM / ED / CPM |
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| 開催期間 | 2017/5/25(から2日開催) |
| 開催地（和） | 名古屋大学VBLベンチャーホール (3F) |
| 開催地（英） | VBL, Nagoya University |
| テーマ（和） | 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料)およびその他 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) / 前澤 宏一(富山大) / 野毛 悟(沼津高専) |
| 委員長氏名（英） | Tatsuya Kunikiyo(Renesas) / Koichi Maezawa(Univ. of Toyama) / Satoru Noge(Numazu National College of Tech.) |
| 副委員長氏名（和） | 品田 高宏(東北大) / 津田 邦男(東芝) / 廣瀬 文彦(山形大) |
| 副委員長氏名（英） | Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) / Kunio Tsuda(Toshiba) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 黒田 理人(東北大) / 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) / 鈴木 寿一(北陸先端大) / 新井 学(新日本無線) / 小舘 淳一(NTT) / 岩田 展幸(日大) |
| 幹事氏名（英） | Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) / Tadashi Yamaguchi(Renesas) / Toshikazu Suzuki(JAIST) / Manabu Arai(New JRC) / Junichi Kodate(NTT) / Nobuyuki Iwata(Nihon Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 池田 浩也(静岡大) / 東脇 正高(NICT) / 大石 敏之(佐賀大) / 坂本 尊(NTT) / 中村 雄一(豊橋技科大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) / Masataka Higashiwaki(NICT) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Takashi Sakamoto(NTT) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials / Technical Committee on Electron Devices / Technical Committee on Component Parts and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ドロップ光化学堆積法によるn型AlOx薄膜の作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of n-type AlOx thin films by drop photochemical deposition |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 酸化アルミニウム / AlOx |
| キーワード(2)（和/英） | AlOx / oxygen-deficiency defects |
| キーワード(3)（和/英） | 透明 / electrical conductivity |
| キーワード(4)（和/英） | 光化学堆積法 / n-type |
| キーワード(5)（和/英） | 酸素欠陥 / PCD |
| キーワード(6)（和/英） | n型 |
| キーワード(7)（和/英） | 電気伝導 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 梅村 将成 / Masanari Umemura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：NITech) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 市村 正也 / Masaya Ichimura |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：NITech) |
| 発表年月日 | 2017-05-25 |
| 資料番号 | ED2017-18,CPM2017-4,SDM2017-12 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | ED-58,CPM-59,SDM-60 |
| ページ範囲 | pp.17-22(ED), pp.17-22(CPM), pp.17-22(SDM), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2017-05-18 (ED, CPM, SDM) |