講演名 2017-05-25
電気化学堆積法によるCu添加p型Fe-O薄膜半導体の作製
小林 悟史(名工大), 市村 正也(名工大),
PDFダウンロードページ PDFダウンロードページへ
抄録(和)
抄録(英)
キーワード(和)
キーワード(英)
資料番号 ED2017-19,CPM2017-5,SDM2017-13
発行日 2017-05-18 (ED, CPM, SDM)

研究会情報
研究会 SDM / ED / CPM
開催期間 2017/5/25(から2日開催)
開催地(和) 名古屋大学VBLベンチャーホール (3F)
開催地(英) VBL, Nagoya University
テーマ(和) 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料)およびその他
テーマ(英)
委員長氏名(和) 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) / 前澤 宏一(富山大) / 野毛 悟(沼津高専)
委員長氏名(英) Tatsuya Kunikiyo(Renesas) / Koichi Maezawa(Univ. of Toyama) / Satoru Noge(Numazu National College of Tech.)
副委員長氏名(和) 品田 高宏(東北大) / 津田 邦男(東芝) / 廣瀬 文彦(山形大)
副委員長氏名(英) Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) / Kunio Tsuda(Toshiba) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.)
幹事氏名(和) 黒田 理人(東北大) / 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) / 鈴木 寿一(北陸先端大) / 新井 学(新日本無線) / 小舘 淳一(NTT) / 岩田 展幸(日大)
幹事氏名(英) Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) / Tadashi Yamaguchi(Renesas) / Toshikazu Suzuki(JAIST) / Manabu Arai(New JRC) / Junichi Kodate(NTT) / Nobuyuki Iwata(Nihon Univ.)
幹事補佐氏名(和) 池田 浩也(静岡大) / 東脇 正高(NICT) / 大石 敏之(佐賀大) / 坂本 尊(NTT) / 中村 雄一(豊橋技科大)
幹事補佐氏名(英) Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) / Masataka Higashiwaki(NICT) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Takashi Sakamoto(NTT) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Silicon Device and Materials / Technical Committee on Electron Devices / Technical Committee on Component Parts and Materials
本文の言語 JPN
タイトル(和) 電気化学堆積法によるCu添加p型Fe-O薄膜半導体の作製
サブタイトル(和)
タイトル(英) Electrochemical deposition of Cu-doped p-type Fe-O thin films
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英)
第 1 著者 氏名(和/英) 小林 悟史 / Satoshi Kobayashi
第 1 著者 所属(和/英) 名古屋工業大学(略称:名工大)
Nagoya Institute of Technology(略称:NITech)
第 2 著者 氏名(和/英) 市村 正也 / Masaya Ichimura
第 2 著者 所属(和/英) 名古屋工業大学(略称:名工大)
Nagoya Institute of Technology(略称:NITech)
発表年月日 2017-05-25
資料番号 ED2017-19,CPM2017-5,SDM2017-13
巻番号(vol) vol.117
号番号(no) ED-58,CPM-59,SDM-60
ページ範囲 pp.23-28(ED), pp.23-28(CPM), pp.23-28(SDM),
ページ数 6
発行日 2017-05-18 (ED, CPM, SDM)