講演名 | 2017-05-25 電気化学堆積法によるCu添加p型Fe-O薄膜半導体の作製 小林 悟史(名工大), 市村 正也(名工大), |
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資料番号 | ED2017-19,CPM2017-5,SDM2017-13 |
発行日 | 2017-05-18 (ED, CPM, SDM) |
研究会情報 | |
研究会 | SDM / ED / CPM |
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開催期間 | 2017/5/25(から2日開催) |
開催地(和) | 名古屋大学VBLベンチャーホール (3F) |
開催地(英) | VBL, Nagoya University |
テーマ(和) | 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料)およびその他 |
テーマ(英) | |
委員長氏名(和) | 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) / 前澤 宏一(富山大) / 野毛 悟(沼津高専) |
委員長氏名(英) | Tatsuya Kunikiyo(Renesas) / Koichi Maezawa(Univ. of Toyama) / Satoru Noge(Numazu National College of Tech.) |
副委員長氏名(和) | 品田 高宏(東北大) / 津田 邦男(東芝) / 廣瀬 文彦(山形大) |
副委員長氏名(英) | Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) / Kunio Tsuda(Toshiba) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) |
幹事氏名(和) | 黒田 理人(東北大) / 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) / 鈴木 寿一(北陸先端大) / 新井 学(新日本無線) / 小舘 淳一(NTT) / 岩田 展幸(日大) |
幹事氏名(英) | Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) / Tadashi Yamaguchi(Renesas) / Toshikazu Suzuki(JAIST) / Manabu Arai(New JRC) / Junichi Kodate(NTT) / Nobuyuki Iwata(Nihon Univ.) |
幹事補佐氏名(和) | 池田 浩也(静岡大) / 東脇 正高(NICT) / 大石 敏之(佐賀大) / 坂本 尊(NTT) / 中村 雄一(豊橋技科大) |
幹事補佐氏名(英) | Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) / Masataka Higashiwaki(NICT) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Takashi Sakamoto(NTT) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials / Technical Committee on Electron Devices / Technical Committee on Component Parts and Materials |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 電気化学堆積法によるCu添加p型Fe-O薄膜半導体の作製 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Electrochemical deposition of Cu-doped p-type Fe-O thin films |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | |
第 1 著者 氏名(和/英) | 小林 悟史 / Satoshi Kobayashi |
第 1 著者 所属(和/英) | 名古屋工業大学(略称:名工大) Nagoya Institute of Technology(略称:NITech) |
第 2 著者 氏名(和/英) | 市村 正也 / Masaya Ichimura |
第 2 著者 所属(和/英) | 名古屋工業大学(略称:名工大) Nagoya Institute of Technology(略称:NITech) |
発表年月日 | 2017-05-25 |
資料番号 | ED2017-19,CPM2017-5,SDM2017-13 |
巻番号(vol) | vol.117 |
号番号(no) | ED-58,CPM-59,SDM-60 |
ページ範囲 | pp.23-28(ED), pp.23-28(CPM), pp.23-28(SDM), |
ページ数 | 6 |
発行日 | 2017-05-18 (ED, CPM, SDM) |