| 講演名 | 2017-05-26 超温度安定1550nm帯多層積層pドープ型QDレーザの検討 松本 敦(NICT), 赤羽 浩一(NICT), 梅沢 俊匡(NICT), 山本 直克(NICT), |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 近年、通信トラフィックの増大により、特に中・短距離において光や電波を統合的に利用した高速・大容量リンクの構築と、それを実現するためのデバイス技術の進歩が重要となっており、特に温度安定性に優れた小型・高機能な光集積回路の実現が期待される。一方、量子ドットは高い温度特性や低閾値動作など、高性能な光デバイス材料として期待されている。本報告では、InP(311)B基板を用いて歪補償技術により、30層積層したp-dope型のブロードエリア半導体レーザやリッジ型の半導体レーザを作製した。その結果、p-dope ブロードエリアとリッジ構造半導体レーザにおいて、2156 K と1926 Kという非常に高い特性温度T0の値が得られ、1.55 m帯の量子ドットレーザの中で極めて高い温度安定性を示したので報告する。 |
| 抄録(英) | In this paper, we fabricated 1.55-μm band p-doped broad-area (BA) and ridge structured 30-layer stacked quantum-dot (QD) laser diodes (LDs) grown on an InP(311)B substrate via a delta-doping method employing a strain compensation technique. We doped Be atoms to a depth of 5 nm from the bottom of each QD layer. The concentration of Be atoms doped in the InGaAlAs spacer layer was 1 x 1018 cm-3. We observed that the fabricated BA-LDs and ridge QD-LD had extremely stable temperature characteristics, and a characteristic temperature T0 of more than 2156 K and 1926 K was obtained. |
| キーワード(和) | 量子ドット / p-dope / 温度安定性 |
| キーワード(英) | semiconductor quantum dot / p-doped / thermal stability |
| 資料番号 | LQE2017-19 |
| 発行日 | 2017-05-18 (LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE / LSJ |
|---|---|
| 開催期間 | 2017/5/25(から2日開催) |
| 開催地（和） | 山代温泉葉渡莉 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 量子光学，非線形光学，超高速現象，レーザ基礎，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 野田 進(京大) |
| 委員長氏名（英） | Susumu Noda(Kyoto Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 山本 剛之(富士通研) |
| 副委員長氏名（英） | Tsuyoshi Yamamoto(Fujitsu Labs.) |
| 幹事氏名（和） | 藤原 直樹(NTT) / 片桐 崇史(東北大) |
| 幹事氏名（英） | Naoki Fujiwara(NTT) / Takashi Katagiri(Tohoku Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / The Laser Society of Japan |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 超温度安定1550nm帯多層積層pドープ型QDレーザの検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Extreme Thermal Stability of 1550 nm Band Highly Stacked QD-LDs with p-Doped Structure |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 量子ドット / semiconductor quantum dot |
| キーワード(2)（和/英） | p-dope / p-doped |
| キーワード(3)（和/英） | 温度安定性 / thermal stability |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 松本 敦 / Atsushi Matsumoto |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構(略称：NICT) National Institute of Information and Communications Technology(略称：NICT) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 赤羽 浩一 / Kouichi Akahane |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構(略称：NICT) National Institute of Information and Communications Technology(略称：NICT) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 梅沢 俊匡 / Toshimasa Umezawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構(略称：NICT) National Institute of Information and Communications Technology(略称：NICT) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山本 直克 / Naokatsu Yamamoto |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構(略称：NICT) National Institute of Information and Communications Technology(略称：NICT) |
| 発表年月日 | 2017-05-26 |
| 資料番号 | LQE2017-19 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | LQE-61 |
| ページ範囲 | pp.79-84(LQE), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2017-05-18 (LQE) |