| 講演名 | 2017-04-20 [Invited Talk] A 512Gb 3b/Cell Flash Memory on 64-Word-Line-Layer BiCS Technology 山下 竜二(ウェスタンデジタル), サガー マジア(ウェスタンデジタル), 樋口 勉(東芝), 米谷 和英(東芝), 山村 俊雄(東芝), 水越 裕之(ウェスタンデジタル), 財津 真吾(ウェスタンデジタル), 山下 実(ウェスタンデジタル), 外山 俊一(ウェスタンデジタル), 釡江 典裕(ウェスタンデジタル), フアン リー(ウェスタンデジタル), シュオ チェン(ウェスタンデジタル), ジアウェイ タオ(ウェスタンデジタル), ウィリアム マック(ウェスタンデジタル), シャオフア ツァン(ウェスタンデジタル), |
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| 抄録(和) | 64ワードライン層BiCS技術による512Gb 3b/cellフラッシュメモリーを開発した。Four-block-EOCデコード方式によりロウ・デコーダー面積を18%小さくできた。これはチップ面積の約1.3%に相当する。またその他のレイアウト技術と併せて、チップ面積132mm2、ビット密度3.88Gb/mm2を実現した。SBL電流センス方式により8KB pageで64μsのtRを実現した。これは従来の16KB pageのABL電流センス方式より20%短い。USP動作により、しきい値電圧ウィンドウを15%広げることができ、信頼性を著しく改善させた。この3Dフラッシュ技術により、ビット密度・コスト・性能・信頼性の面で市場の要求を満たせることが確認できた。 |
| 抄録(英) | A 512Gb 3b/cell flash has been developed on a 64-WL-layer BiCS technology. By using a four-block-EOC row decoding approach, row decoder area is reduced by 18%, which translates to a 1.3% die size reduction. With additional layout area reduction techniques, a 132mm2 die size and 3.88Gb/mm2 bit density have been achieved. SBL current sensing achieved a 64μs tR with an 8KB page size, which is 20% less than a conventional 16KB-page ABL. USP operation expanded the Vt window by 15%, which has significantly improved endurance and reliability. This work confirms that it is possible to meet market requirements for bit density, cost, performance, and reliability with this 3D-flash technology. |
| キーワード(和) | 3Dフラッシュ / BiCS / 64ワードライン層 / NANDフラッシュメモリー / 不揮発性メモリー |
| キーワード(英) | 3D-flash / BiCS / 64-word-line-layer / NAND flash memory / Non-volatile memory |
| 資料番号 | ICD2017-9 |
| 発行日 | 2017-04-13 (ICD) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2017/4/20(から2日開催) |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | メモリ技術と集積回路関連一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 藤島 実(広島大) |
| 委員長氏名（英） | Minoru Fujishima(Hiroshima Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 日高 秀人(ルネサス エレクトロニクス) |
| 副委員長氏名（英） | Hideto Hidaka(Renesas) |
| 幹事氏名（和） | 吉田 毅(広島大) / 高宮 真(東大) |
| 幹事氏名（英） | Takeshi Yoshida(Hiroshima Univ.) / Makoto Takamiya(Univ. of Tokyo) |
| 幹事補佐氏名（和） | 橋本 隆(パナソニック) / 夏井 雅典(東北大) / 伊藤 浩之(東工大) / 範 公可(電通大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Takashi Hashimoto(Panasonic) / Masanori Natsui(Tohoku Univ.) / Hiroyuki Ito(Tokyo Inst. of Tech.) / Pham Konkuha(Univ. of Electro-Comm.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Integrated Circuits and Devices |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Talk] A 512Gb 3b/Cell Flash Memory on 64-Word-Line-Layer BiCS Technology |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 3Dフラッシュ / 3D-flash |
| キーワード(2)（和/英） | BiCS / BiCS |
| キーワード(3)（和/英） | 64ワードライン層 / 64-word-line-layer |
| キーワード(4)（和/英） | NANDフラッシュメモリー / NAND flash memory |
| キーワード(5)（和/英） | 不揮発性メモリー / Non-volatile memory |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山下 竜二 / Ryuji Yamashita |
| 第 1 著者 所属（和/英） | ウェスタンデジタル(略称：ウェスタンデジタル) Western Digital(略称：WDC) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | サガー マジア / Sagar Magia |
| 第 2 著者 所属（和/英） | ウェスタンデジタル(略称：ウェスタンデジタル) Western Digital(略称：WDC) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 樋口 勉 / Tsutomu Higuchi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝(略称：東芝) Toshiba(略称：Toshiba) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 米谷 和英 / Kazuhide Yoneya |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝(略称：東芝) Toshiba(略称：Toshiba) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 山村 俊雄 / Toshio Yamamura |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝(略称：東芝) Toshiba(略称：Toshiba) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 水越 裕之 / Hiroyuki Mizukoshi |
| 第 6 著者 所属（和/英） | ウェスタンデジタル(略称：ウェスタンデジタル) Western Digital(略称：WDC) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 財津 真吾 / Shingo Zaitsu |
| 第 7 著者 所属（和/英） | ウェスタンデジタル(略称：ウェスタンデジタル) Western Digital(略称：WDC) |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 山下 実 / Minoru Yamashita |
| 第 8 著者 所属（和/英） | ウェスタンデジタル(略称：ウェスタンデジタル) Western Digital(略称：WDC) |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 外山 俊一 / Shunichi Toyama |
| 第 9 著者 所属（和/英） | ウェスタンデジタル(略称：ウェスタンデジタル) Western Digital(略称：WDC) |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 釡江 典裕 / Norihiro Kamae |
| 第 10 著者 所属（和/英） | ウェスタンデジタル(略称：ウェスタンデジタル) Western Digital(略称：WDC) |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | フアン リー / Juan Lee |
| 第 11 著者 所属（和/英） | ウェスタンデジタル(略称：ウェスタンデジタル) Western Digital(略称：WDC) |
| 第 12 著者 氏名（和/英） | シュオ チェン / Shuo Chen |
| 第 12 著者 所属（和/英） | ウェスタンデジタル(略称：ウェスタンデジタル) Western Digital(略称：WDC) |
| 第 13 著者 氏名（和/英） | ジアウェイ タオ / Jiawei Tao |
| 第 13 著者 所属（和/英） | ウェスタンデジタル(略称：ウェスタンデジタル) Western Digital(略称：WDC) |
| 第 14 著者 氏名（和/英） | ウィリアム マック / William Mak |
| 第 14 著者 所属（和/英） | ウェスタンデジタル(略称：ウェスタンデジタル) Western Digital(略称：WDC) |
| 第 15 著者 氏名（和/英） | シャオフア ツァン / Xiaohua Zhang |
| 第 15 著者 所属（和/英） | ウェスタンデジタル(略称：ウェスタンデジタル) Western Digital(略称：WDC) |
| 発表年月日 | 2017-04-20 |
| 資料番号 | ICD2017-9 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | ICD-9 |
| ページ範囲 | pp.45-50(ICD), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2017-04-13 (ICD) |