| 講演名 | 2017-04-20 ［依頼講演］リード・ホット・データとコールド・データのエラーを削減するデータセンタ向けTLC NAND型フラッシュメモリの高信頼制御技術 中村 俊貴(中大), 小林 惇朗(中大), 竹内 健(中大), |
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| 抄録(和) | クラウドデータセンタでは、読み出しが頻繁に行われるホットデータからほとんど読み出しが行われないコールドデータまで、様々なデータが格納されている。本論文では、ホットデータとコールドデータでは閾値電圧の変動が異なることを明らかにした。特にホットデータを保存したTLC NAND型フラッシュメモリは閾値電圧が複雑に変動する。従来のSSDではホット、コールドに関わらず読み出す際に同じ電圧を印加していたため、それぞれのデータに生じるエラーを同時に削減することができない。そこで、ホットデータとコールドデータを異なるメモリ領域に格納する手法を提案し、閾値電圧の変動に応じて最適な読み出し電圧を用いることで読み出しに伴うエラーを85%低減し、読み出し可能回数を6.7倍向上した。 |
| 抄録(英) | In cloud data centers, NAND flash memory stores both read-hot and cold data. This paper describes that the threshold voltage distribution shifts are different between hot and cold data. In particular, threshold voltage distribution of hot data shifts complicatedly. In the conventional SSD, hot and cold data are mixed in the same NAND flash block. Thus, different read voltages cannot be applied. To solve this problem, this paper proposes SSD controller which allocates hot or cold data in hot or cold regions in TLC NAND flash. Then, apply optimal read voltages both hot and cold data. As a result, measured errors decrease by 85% and measured acceptable read cycles increase by 6.7-times. |
| キーワード(和) | NANDフラッシュメモリ / データセンタ / SSD / 信頼性 |
| キーワード(英) | NAND flash memory / data center / SSD / reliability |
| 資料番号 | ICD2017-6 |
| 発行日 | 2017-04-13 (ICD) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2017/4/20(から2日開催) |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | メモリ技術と集積回路関連一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 藤島 実(広島大) |
| 委員長氏名（英） | Minoru Fujishima(Hiroshima Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 日高 秀人(ルネサス エレクトロニクス) |
| 副委員長氏名（英） | Hideto Hidaka(Renesas) |
| 幹事氏名（和） | 吉田 毅(広島大) / 高宮 真(東大) |
| 幹事氏名（英） | Takeshi Yoshida(Hiroshima Univ.) / Makoto Takamiya(Univ. of Tokyo) |
| 幹事補佐氏名（和） | 橋本 隆(パナソニック) / 夏井 雅典(東北大) / 伊藤 浩之(東工大) / 範 公可(電通大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Takashi Hashimoto(Panasonic) / Masanori Natsui(Tohoku Univ.) / Hiroyuki Ito(Tokyo Inst. of Tech.) / Pham Konkuha(Univ. of Electro-Comm.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Integrated Circuits and Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［依頼講演］リード・ホット・データとコールド・データのエラーを削減するデータセンタ向けTLC NAND型フラッシュメモリの高信頼制御技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Lecture] TLC NAND Flash Memory Control Techniques to Reduce Errors of Read-Hot and Cold Data for Data Centers |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | NANDフラッシュメモリ / NAND flash memory |
| キーワード(2)（和/英） | データセンタ / data center |
| キーワード(3)（和/英） | SSD / SSD |
| キーワード(4)（和/英） | 信頼性 / reliability |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中村 俊貴 / Toshiki Nakamura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 中央大学(略称：中大) Chuo University(略称：Chuo Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 小林 惇朗 / Atsuro Kobayashi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 中央大学(略称：中大) Chuo University(略称：Chuo Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 竹内 健 / Ken Takeuchi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 中央大学(略称：中大) Chuo University(略称：Chuo Univ.) |
| 発表年月日 | 2017-04-20 |
| 資料番号 | ICD2017-6 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | ICD-9 |
| ページ範囲 | pp.29-34(ICD), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2017-04-13 (ICD) |