| 講演名 | 2017-04-21 ［依頼講演］HfO強誘電体薄膜を用いたトンネル接合メモリ(FTJ)の動作実証 山口 まりな(東芝), 藤井 章輔(東芝), 上牟田 雄一(東芝), 井野 恒洋(東芝), 高石 理一郎(東芝), 中崎 靖(東芝), 齋藤 真澄(東芝), |
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| 抄録(和) | 強誘電性を利用した不揮発性メモリ技術は広く普及しているものの，CMOS親和性の低い強誘電材料を用いることや，データ読み出し方式が破壊読出しであることなどからその応用先が限られてきた．しかしながら，近年この分野において2つの大きな進展が見られた．1つは非破壊読み出し可能な「強誘電体トンネル接合メモリ（Ferroelectric Tunnel Junction, FTJ）」の動作実証であり，もう1つはCMOS親和性の高いHfO2膜において強誘電性が確認されたことである．我々は，これら2つの進展を融合した強誘電体HfO2膜を用いたFTJを開発し，そのメモリ特性を検証した．その結果，他の新規メモリデバイスよりも優れた特性を有することが確認された． |
| 抄録(英) | In recent years, two remarkable progresses have been made on ferroelectric materials and devices. One is the demonstration of ferroelectric tunnel junction (FTJ) which can readout the polarization states non-destructively. Another progress is the discovery of ferroelectricity of HfO2, the most common high-k material in advanced CMOS devices. By combining these progresses, novel ferroelectric HfO2-based tunnel junction, HfO2 FTJ, is expected to be achieved. We established a solid guideline for performance improvement and demonstrated, for the first time, successful operation of the HfO2 FTJ. And we found that HfO2 FTJ has several characteristics superior to those of the other emerging memories. |
| キーワード(和) | Ferroelectric Tunnel Junction / FTJ / HfO2 |
| キーワード(英) | Ferroelectric Tunnel Junction / FTJ / HfO2 |
| 資料番号 | ICD2017-16 |
| 発行日 | 2017-04-13 (ICD) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2017/4/20(から2日開催) |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | メモリ技術と集積回路関連一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 藤島 実(広島大) |
| 委員長氏名（英） | Minoru Fujishima(Hiroshima Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 日高 秀人(ルネサス エレクトロニクス) |
| 副委員長氏名（英） | Hideto Hidaka(Renesas) |
| 幹事氏名（和） | 吉田 毅(広島大) / 高宮 真(東大) |
| 幹事氏名（英） | Takeshi Yoshida(Hiroshima Univ.) / Makoto Takamiya(Univ. of Tokyo) |
| 幹事補佐氏名（和） | 橋本 隆(パナソニック) / 夏井 雅典(東北大) / 伊藤 浩之(東工大) / 範 公可(電通大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Takashi Hashimoto(Panasonic) / Masanori Natsui(Tohoku Univ.) / Hiroyuki Ito(Tokyo Inst. of Tech.) / Pham Konkuha(Univ. of Electro-Comm.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Integrated Circuits and Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［依頼講演］HfO強誘電体薄膜を用いたトンネル接合メモリ(FTJ)の動作実証 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Lecture] Demonstration of HfO2-Based Ferroelectric Tunnel Junction (FTJ) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Ferroelectric Tunnel Junction / Ferroelectric Tunnel Junction |
| キーワード(2)（和/英） | FTJ / FTJ |
| キーワード(3)（和/英） | HfO2 / HfO2 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山口 まりな / Marina Yamaguchi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝(略称：東芝) Toshiba Corporation(略称：Toshiba) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 藤井 章輔 / Shosuke Fujii |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝(略称：東芝) Toshiba Corporation(略称：Toshiba) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 上牟田 雄一 / Yuuichi Kamimuta |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝(略称：東芝) Toshiba Corporation(略称：Toshiba) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 井野 恒洋 / Tsunehiro Ino |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝(略称：東芝) Toshiba Corporation(略称：Toshiba) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 高石 理一郎 / Riichiro Takaishi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝(略称：東芝) Toshiba Corporation(略称：Toshiba) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 中崎 靖 / Yasushi Nakasaki |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝(略称：東芝) Toshiba Corporation(略称：Toshiba) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 齋藤 真澄 / Masumi Saitoh |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝(略称：東芝) Toshiba Corporation(略称：Toshiba) |
| 発表年月日 | 2017-04-21 |
| 資料番号 | ICD2017-16 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | ICD-9 |
| ページ範囲 | pp.85-88(ICD), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2017-04-13 (ICD) |