| 講演名 | 2017-04-21 [Invited Lecture] A 55nm Ultra Low Leakage Deeply Depleted Channel Technology Optimized for Energy Minimization in Subthreshold SRAM and Logic ハーシュ ペイテル(バージニア大), アブヒシェク ロイ(バージニア大), ファラ B ヤハ(バージニア大), ニンギ リウ(バージニア大), ベントン カルホーン(バージニア大), 原田 昭彦(FEA), 粂野 一幸(MIFS), 安田 真(MIFS), 江間 泰示(MIFS), |
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| 抄録(和) | 本稿では55nm超低リークDDC技術によるULL(Ultra-Low Leakage)トランジスタを用いた回路特性の評価結果を報告する．6T SRAMでは電源電圧200mVまで動作が認められ、FIRフィルターでは4.5pJ/cycleの消費効率を得ることができた． |
| 抄録(英) | This paper presents an Ultra-Low Leakage (ULL) 55nm Deeply Depleted Channel (DDC) process technology. The 6T SRAM array operates reliably down to 200mV, and the FIR filter consumes just 4.5pJ/cycle. |
| キーワード(和) | サブスレッショルド / DDC / ULL / SRAM / FIR / 超低リーク |
| キーワード(英) | DDC / ULL / Sub-threshold / SRAM / FIR / Ultra Low Leak |
| 資料番号 | ICD2017-11 |
| 発行日 | 2017-04-13 (ICD) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2017/4/20(から2日開催) |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | メモリ技術と集積回路関連一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 藤島 実(広島大) |
| 委員長氏名（英） | Minoru Fujishima(Hiroshima Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 日高 秀人(ルネサス エレクトロニクス) |
| 副委員長氏名（英） | Hideto Hidaka(Renesas) |
| 幹事氏名（和） | 吉田 毅(広島大) / 高宮 真(東大) |
| 幹事氏名（英） | Takeshi Yoshida(Hiroshima Univ.) / Makoto Takamiya(Univ. of Tokyo) |
| 幹事補佐氏名（和） | 橋本 隆(パナソニック) / 夏井 雅典(東北大) / 伊藤 浩之(東工大) / 範 公可(電通大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Takashi Hashimoto(Panasonic) / Masanori Natsui(Tohoku Univ.) / Hiroyuki Ito(Tokyo Inst. of Tech.) / Pham Konkuha(Univ. of Electro-Comm.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Integrated Circuits and Devices |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Lecture] A 55nm Ultra Low Leakage Deeply Depleted Channel Technology Optimized for Energy Minimization in Subthreshold SRAM and Logic |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | サブスレッショルド / DDC |
| キーワード(2)（和/英） | DDC / ULL |
| キーワード(3)（和/英） | ULL / Sub-threshold |
| キーワード(4)（和/英） | SRAM / SRAM |
| キーワード(5)（和/英） | FIR / FIR |
| キーワード(6)（和/英） | 超低リーク / Ultra Low Leak |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | ハーシュ ペイテル / Harsh N. Patel |
| 第 1 著者 所属（和/英） | バージニア大学(略称：バージニア大) University of Virginia(略称：UVA) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | アブヒシェク ロイ / Abhishek Roy |
| 第 2 著者 所属（和/英） | バージニア大学(略称：バージニア大) University of Virginia(略称：UVA) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | ファラ B ヤハ / Farah B. Yahya |
| 第 3 著者 所属（和/英） | バージニア大学(略称：バージニア大) University of Virginia(略称：UVA) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | ニンギ リウ / Ningxi Liu |
| 第 4 著者 所属（和/英） | バージニア大学(略称：バージニア大) University of Virginia(略称：UVA) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | ベントン カルホーン / Benton Calhoun |
| 第 5 著者 所属（和/英） | バージニア大学(略称：バージニア大) University of Virginia(略称：UVA) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 原田 昭彦 / Akihiko Harada |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 富士通エレクトロニクス(略称：FEA) Fujitsu Electronics America(略称：FEA) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 粂野 一幸 / Kazuyuki Kumeno |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 三重富士通セミコンダクター株式会社(略称：MIFS) Mie Fujitsu Semiconductor(略称：MIFS) |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 安田 真 / Makoto Yasuda |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 三重富士通セミコンダクター株式会社(略称：MIFS) Mie Fujitsu Semiconductor(略称：MIFS) |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 江間 泰示 / Taiji Ema |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 三重富士通セミコンダクター株式会社(略称：MIFS) Mie Fujitsu Semiconductor(略称：MIFS) |
| 発表年月日 | 2017-04-21 |
| 資料番号 | ICD2017-11 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | ICD-9 |
| ページ範囲 | pp.57-61(ICD), |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2017-04-13 (ICD) |