講演名 2017-04-20
[招待講演]車載用アプリケーションが求める混載Flash技術
中野 全也(ルネサス エレクトロニクス), 伊藤 孝(ルネサス エレクトロニクス), 山内 忠昭(ルネサス エレクトロニクス), 山口 泰男(ルネサス エレクトロニクス), 河野 隆司(ルネサス エレクトロニクス), 日高 秀人(ルネサス エレクトロニクス),
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抄録(和) 低燃費エンジンおよびADAS(Advanced Driver Assistance System)の高性能化が進む中、車載用MCU(Micro Controller Unit)の混載フラッシュメモリ技術に、さらなる進化が要求されている。当社SG-MONOS(Spilt-Gate MONOS)型フラッシュメモリは、90nm世代以来、車載MCUに混載可能な世界をリードする最先端フラッシュメモリであり、車載に要求される高信頼性および高性能と高いスケラビリティ性を持っている。低プロファイル (セル高さが低い)が可能なSG-MONOS構造はHKMG(High-K Metal Gate)トランジスタにも適合性が高く、28nmまでプロセス微細化に成功しており、また、FinFET型のメモリセル開発にも成功しており、16/14nmへのスケーラビリティも実証している。これらの優位性により、SG-MONOSは車載用混載フラッシュメモリが集約されていく中での有力な候補として、環境にやさしい車と自動運転の実現に貢献可能である。
抄録(英) Higher fuel-efficient engine and advanced driver assistance system (ADAS) require the further progress of embedded Flash (eFlash) technology for the automotive microcontroller units (MCUs). Our unique spilt-gate MONOS (SG-MONOS) has been leading the world’s first most cutting-edge eFlash for automotive MCUs since 90nm process node and has been already scaled down to 16/14nm one, because of its excellent reliability and process scalability. As the convergence candidate of eFlash for automotive Flash MCUs, SG-MONOS can contribute to the realization of the future world’s leading green vehicles and autonomous-driving era.
キーワード(和) 車載用途 / 混載フラッシュメモリ / SG-MONOS / ADAS / HKMG / FinFET
キーワード(英) for Automotive / embedded Flash memory / SG-MONOS / ADAS / HKMG / FinFET
資料番号 ICD2017-8
発行日 2017-04-13 (ICD)

研究会情報
研究会 ICD
開催期間 2017/4/20(から2日開催)
開催地(和) 機械振興会館
開催地(英)
テーマ(和) メモリ技術と集積回路関連一般
テーマ(英)
委員長氏名(和) 藤島 実(広島大)
委員長氏名(英) Minoru Fujishima(Hiroshima Univ.)
副委員長氏名(和) 日高 秀人(ルネサス エレクトロニクス)
副委員長氏名(英) Hideto Hidaka(Renesas)
幹事氏名(和) 吉田 毅(広島大) / 高宮 真(東大)
幹事氏名(英) Takeshi Yoshida(Hiroshima Univ.) / Makoto Takamiya(Univ. of Tokyo)
幹事補佐氏名(和) 橋本 隆(パナソニック) / 夏井 雅典(東北大) / 伊藤 浩之(東工大) / 範 公可(電通大)
幹事補佐氏名(英) Takashi Hashimoto(Panasonic) / Masanori Natsui(Tohoku Univ.) / Hiroyuki Ito(Tokyo Inst. of Tech.) / Pham Konkuha(Univ. of Electro-Comm.)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Integrated Circuits and Devices
本文の言語 JPN
タイトル(和) [招待講演]車載用アプリケーションが求める混載Flash技術
サブタイトル(和)
タイトル(英) [Invited Talk] Embedded Flash Technology for Automotive Applications
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 車載用途 / for Automotive
キーワード(2)(和/英) 混載フラッシュメモリ / embedded Flash memory
キーワード(3)(和/英) SG-MONOS / SG-MONOS
キーワード(4)(和/英) ADAS / ADAS
キーワード(5)(和/英) HKMG / HKMG
キーワード(6)(和/英) FinFET / FinFET
第 1 著者 氏名(和/英) 中野 全也 / Masaya Nakano
第 1 著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社(略称:ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation(略称:Renesas Electronics)
第 2 著者 氏名(和/英) 伊藤 孝 / Takashi Ito
第 2 著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社(略称:ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation(略称:Renesas Electronics)
第 3 著者 氏名(和/英) 山内 忠昭 / Tadaaki Yamauchi
第 3 著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社(略称:ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation(略称:Renesas Electronics)
第 4 著者 氏名(和/英) 山口 泰男 / Yasuo Yamaguchi
第 4 著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社(略称:ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation(略称:Renesas Electronics)
第 5 著者 氏名(和/英) 河野 隆司 / Takashi Kono
第 5 著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社(略称:ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation(略称:Renesas Electronics)
第 6 著者 氏名(和/英) 日高 秀人 / Hideto Hidaka
第 6 著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社(略称:ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation(略称:Renesas Electronics)
発表年月日 2017-04-20
資料番号 ICD2017-8
巻番号(vol) vol.117
号番号(no) ICD-9
ページ範囲 pp.39-44(ICD),
ページ数 6
発行日 2017-04-13 (ICD)