| 講演名 | 2017-04-20 ［依頼講演］IoTローカルデバイス向けCMOSプロセスとNAND型フラッシュプロセスで構成される1.0 V動作NAND型フラッシュメモリ書き込み電圧生成回路 鶴見 洸太(中大), 田中 誠大(中大), 竹内 健(中大), |
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| 抄録(和) | IoTローカルデバイスに組み込まれるデータストレージとしてNAND型フラッシュメモリが注目されている。IoTローカルデバイスは低電圧動作が求められるため、搭載されるNAND型フラッシュメモリ書き込み電圧生成回路の低電圧化が要求されている。本論文では1.0V動作するNAND型フラッシュメモリ書き込み電圧生成回路を提案する。これまでに提案された回路は、1.8V動作を想定しNAND型フラッシュプロセスのみで構成されている。NAND型フラッシュプロセスと0.18um CMOSプロセスを組み合わせることにより、従来回路と比較して89%昇圧時間を削減、チップコストを15%削減可能である。 |
| 抄録(英) | NAND flash memory is considered as candidates for data storage of IoT local devices. The NAND flash memory program voltage generator with low supply voltage is required, due to IoT local devices operates low power. In this paper, 1.0V operation NAND flash memory program voltage generator is proposed. In the conventional, the 1.8V operation boost converter is fabricated with NAND flash process is proposed. On the other hand, the proposed boost converter consists of NAND flash process and standard CMOS process. As a result, the proposed boost converter decreases 89% ramp-up time and reduces about 15 % chip cost compared with the conventional boost converter. |
| キーワード(和) | IoT / ブーストコンバータ / NAND型フラッシュメモリ / IoTローカルデバイス |
| キーワード(英) | IoT / boost converter / NAND flash memory / IoT local devices |
| 資料番号 | ICD2017-5 |
| 発行日 | 2017-04-13 (ICD) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2017/4/20(から2日開催) |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | メモリ技術と集積回路関連一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 藤島 実(広島大) |
| 委員長氏名（英） | Minoru Fujishima(Hiroshima Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 日高 秀人(ルネサス エレクトロニクス) |
| 副委員長氏名（英） | Hideto Hidaka(Renesas) |
| 幹事氏名（和） | 吉田 毅(広島大) / 高宮 真(東大) |
| 幹事氏名（英） | Takeshi Yoshida(Hiroshima Univ.) / Makoto Takamiya(Univ. of Tokyo) |
| 幹事補佐氏名（和） | 橋本 隆(パナソニック) / 夏井 雅典(東北大) / 伊藤 浩之(東工大) / 範 公可(電通大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Takashi Hashimoto(Panasonic) / Masanori Natsui(Tohoku Univ.) / Hiroyuki Ito(Tokyo Inst. of Tech.) / Pham Konkuha(Univ. of Electro-Comm.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Integrated Circuits and Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［依頼講演］IoTローカルデバイス向けCMOSプロセスとNAND型フラッシュプロセスで構成される1.0 V動作NAND型フラッシュメモリ書き込み電圧生成回路 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Lecture] A 1.0 V Operation NAND Flash Memory Program Voltage Generator Fabricated with Standard CMOS Process and NAND Flash Process for IoT Local Devices |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | IoT / IoT |
| キーワード(2)（和/英） | ブーストコンバータ / boost converter |
| キーワード(3)（和/英） | NAND型フラッシュメモリ / NAND flash memory |
| キーワード(4)（和/英） | IoTローカルデバイス / IoT local devices |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 鶴見 洸太 / Kota Tsurumi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 中央大学(略称：中大) Chuo university(略称：Chuo Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 田中 誠大 / Masahiro Tanaka |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 中央大学(略称：中大) Chuo university(略称：Chuo Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 竹内 健 / Ken Takeuchi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 中央大学(略称：中大) Chuo university(略称：Chuo Univ.) |
| 発表年月日 | 2017-04-20 |
| 資料番号 | ICD2017-5 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | ICD-9 |
| ページ範囲 | pp.23-28(ICD), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2017-04-13 (ICD) |