| 講演名 | 2017-03-03 ハイブリッド直流遮断器の電流遮断時における溶融ブリッジ状態とアークレス遮断の関係 山田 雄太(東工大), 陳 黙(東工大), 中山 恭太郎(東工大), 早川 達也(東工大), 全 俊豪(東工大), 安岡 康一(東工大), |
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| 抄録(和) | 近年直流給配電の需要増加に伴い，電気接点と半導体素子を並列に接続したハイブリッド直流遮断器が注目されている。半導体素子として低オン抵抗であるSiC-MOSFETを使用すると，開極した際に接点間に形成される溶融ブリッジ電圧で直流電流が接点から半導体に転流するアークレス遮断が実現できる。本稿では接点開極速度や開極距離を変化させて転流特性を調べ，溶融ブリッジの安定性について検討，考察を行ったので報告する。 |
| 抄録(英) | In recent years, with the increase in demand for DC power distribution, hybrid DC circuit breakers in which electrical contacts and semiconductor elements are connected in parallel have attracted attention. When SiC-MOSFET with low on-resistance is used as a semiconductor element, it is possible to realize arc-less interruption in which direct current is commutated from the contact to the semiconductor by the molten bridge voltage formed between the contacts when opening. In this paper, we investigate the commutation characteristics by varying the contact opening speed and the gap length, and investigate and discuss the stability of the molten bridge. |
| キーワード(和) | ハイブリッド直流遮断器 / 溶融ブリッジ / SiC-MOSFET / アークレス / 接点間距離 |
| キーワード(英) | Hybrid DCCB / Molten bridge / SiC-MOSFET / arcless / gap length |
| 資料番号 | EMD2016-103 |
| 発行日 | 2017-02-24 (EMD) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EMD |
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| 開催期間 | 2017/3/3(から1日開催) |
| 開催地（和） | 千葉工業大学 津田沼キャンパス 6号館６１２講義室 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | ショートノート （卒論・修論特集） |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 阿部 宜輝(NTT) |
| 委員長氏名（英） | Yoshiteru Abe(NTT) |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | 澤田 滋(住友電装) / 鈴木 健司(富士電機機器制御) |
| 幹事氏名（英） | Shigeru Sawada(Sumitomo Denso) / Kenji Suzuki(Fujielectric) |
| 幹事補佐氏名（和） | 萓野 良樹(電通大) / 林 優一(東北学院大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Yoshiki Kayano(Univ. of Electro-Comm.) / Yuichi Hayashi(Tohoku Gakuin Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electromechanical Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ハイブリッド直流遮断器の電流遮断時における溶融ブリッジ状態とアークレス遮断の関係 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Relationship of molten bridge and arcless commutation during current interruption of Hybrid DCCB |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ハイブリッド直流遮断器 / Hybrid DCCB |
| キーワード(2)（和/英） | 溶融ブリッジ / Molten bridge |
| キーワード(3)（和/英） | SiC-MOSFET / SiC-MOSFET |
| キーワード(4)（和/英） | アークレス / arcless |
| キーワード(5)（和/英） | 接点間距離 / gap length |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山田 雄太 / Yuta Yamada |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Titech) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 陳 黙 / Chen Mo |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Titech) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 中山 恭太郎 / Kyotaro Nakayama |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Titech) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 早川 達也 / Tatsuya Hayakawa |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Titech) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 全 俊豪 / Shungo Zen |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Titech) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 安岡 康一 / Koichi Yasuoka |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Titech) |
| 発表年月日 | 2017-03-03 |
| 資料番号 | EMD2016-103 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | EMD-492 |
| ページ範囲 | pp.17-20(EMD), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2017-02-24 (EMD) |