| 講演名 | 2017-01-30 ［招待講演］16/14nmノード以降における高速かつ高信頼性を有する混載フラッシュメモリ向けFinFET Split-Gate MONOS 津田 是文(ルネサス エレクトロニクス), 川嶋 祥之(ルネサス エレクトロニクス), 園田 賢一郎(ルネサス エレクトロニクス), 吉冨 敦司(ルネサス エレクトロニクス), 三原 竜善(ルネサス エレクトロニクス), 鳴海 俊一(ルネサス エレクトロニクス), 井上 真雄(ルネサス エレクトロニクス), 村中 誠志(ルネサス エレクトロニクス), 丸山 隆弘(ルネサス エレクトロニクス), 山下 朋弘(ルネサス エレクトロニクス), 山口 泰男(ルネサス エレクトロニクス), 久本 大(日立), |
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| 抄録(和) | 世界初のFinFET構造を有するスプリットゲートMONOS型フラッシュメモリの作製，動作について報告する．FinFET構造による優れたサブスレッショルド特性と閾値電圧ばらつきの改善を確認．また，ソースサイドインジェクション (SSI)での書き込みにおいてステップ昇圧パルス方式を用いる事により，FinFET先端での電界集中が効果的に抑制されることを示した．250K回の書き換えサイクル後，150℃において高いデータ保持能力が確認されており，高度な自動車システム用途への利用が可能である． |
| 抄録(英) | FinFET split-gate metal-oxide nitride oxide silicon (SG-MONOS) Flash memories have been fabricated and operated for the first time. Excellent subthreshold characteristics and small threshold-voltage variability owing to a Fin-structure are clarified. It is demonstrated that Fin top-corner effects are well suppressed by incremental step pulse programming for source side injection. Highly reliable data retention at 150 ºC after 250K program/erase cycles is confirmed for advanced automotive system applications. |
| キーワード(和) | 混載フラッシュメモリ / スプリットゲートセル / MONOS / FinFET |
| キーワード(英) | embedded Flash memory / split gate cell / MONOS / FinFET |
| 資料番号 | SDM2016-134 |
| 発行日 | 2017-01-23 (SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2017/1/30(から1日開催) |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 先端ＣＭＯＳデバイス・ プロセス技術（ＩＥＤＭ特集） |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) |
| 委員長氏名（英） | Tatsuya Kunikiyo(Renesas) |
| 副委員長氏名（和） | 品田 高宏(東北大) |
| 副委員長氏名（英） | Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 黒田 理人(東北大) / 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) |
| 幹事氏名（英） | Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) / Tadashi Yamaguchi(Renesas) |
| 幹事補佐氏名（和） | 池田 浩也(静岡大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［招待講演］16/14nmノード以降における高速かつ高信頼性を有する混載フラッシュメモリ向けFinFET Split-Gate MONOS |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Talk] First Demonstration of FinFET Split-Gate MONOS for High-Speed and Highly-Reliable Embedded Flash in 16/14nm-node and Beyond |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 混載フラッシュメモリ / embedded Flash memory |
| キーワード(2)（和/英） | スプリットゲートセル / split gate cell |
| キーワード(3)（和/英） | MONOS / MONOS |
| キーワード(4)（和/英） | FinFET / FinFET |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 津田 是文 / Shibun Tsuda |
| 第 1 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス(略称：ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation(略称：Renesas Electronics) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 川嶋 祥之 / Yoshiyuki Kawashima |
| 第 2 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス(略称：ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation(略称：Renesas Electronics) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 園田 賢一郎 / Kenichiro Sonoda |
| 第 3 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス(略称：ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation(略称：Renesas Electronics) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 吉冨 敦司 / Atsushi Yoshitomi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス(略称：ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation(略称：Renesas Electronics) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 三原 竜善 / Tatsuyoshi Mihara |
| 第 5 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス(略称：ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation(略称：Renesas Electronics) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 鳴海 俊一 / Shunichi Narumi |
| 第 6 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス(略称：ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation(略称：Renesas Electronics) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 井上 真雄 / Masao Inoue |
| 第 7 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス(略称：ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation(略称：Renesas Electronics) |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 村中 誠志 / Seiji Muranaka |
| 第 8 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス(略称：ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation(略称：Renesas Electronics) |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 丸山 隆弘 / Takahiro Maruyama |
| 第 9 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス(略称：ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation(略称：Renesas Electronics) |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 山下 朋弘 / Tomohiro Yamashita |
| 第 10 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス(略称：ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation(略称：Renesas Electronics) |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 山口 泰男 / Yasuo Yamaguchi |
| 第 11 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス(略称：ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation(略称：Renesas Electronics) |
| 第 12 著者 氏名（和/英） | 久本 大 / Digh Hisamoto |
| 第 12 著者 所属（和/英） | 日立製作所(略称：日立) Hitachi, Ltd.(略称：Hitachi) |
| 発表年月日 | 2017-01-30 |
| 資料番号 | SDM2016-134 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | SDM-448 |
| ページ範囲 | pp.17-20(SDM), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2017-01-23 (SDM) |