| 講演名 | 2017-01-30 ［招待講演］Ge/III-V族半導体を用いたトンネルFET技術 高木 信一(東大), 安 大煥(東大), 野口 宗隆(東大), 後藤 高寛(東大), 西 康一(東大), 金 閔洙(東大), 竹中 充一(東大), |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | SDM2016-131 |
| 発行日 | 2017-01-23 (SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2017/1/30(から1日開催) |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 先端ＣＭＯＳデバイス・ プロセス技術（ＩＥＤＭ特集） |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) |
| 委員長氏名（英） | Tatsuya Kunikiyo(Renesas) |
| 副委員長氏名（和） | 品田 高宏(東北大) |
| 副委員長氏名（英） | Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 黒田 理人(東北大) / 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) |
| 幹事氏名（英） | Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) / Tadashi Yamaguchi(Renesas) |
| 幹事補佐氏名（和） | 池田 浩也(静岡大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［招待講演］Ge/III-V族半導体を用いたトンネルFET技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Talk] Tunneling MOSFET Technologies using III-V/Ge Materials |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 高木 信一 / Shinichi Takagi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京大学(略称：東大) University of Tokyo(略称：Univ. of Tokyo) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 安 大煥 / Daehwan Ahn |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京大学(略称：東大) University of Tokyo(略称：Univ. of Tokyo) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 野口 宗隆 / Munetaka Noguchi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京大学(略称：東大) University of Tokyo(略称：Univ. of Tokyo) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 後藤 高寛 / Takahiro Gotow |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京大学(略称：東大) University of Tokyo(略称：Univ. of Tokyo) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 西 康一 / Koichi Nishi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京大学(略称：東大) University of Tokyo(略称：Univ. of Tokyo) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 金 閔洙 / Min-Soo Kim |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東京大学(略称：東大) University of Tokyo(略称：Univ. of Tokyo) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 竹中 充一 / Mitsuru Takenaka |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 東京大学(略称：東大) University of Tokyo(略称：Univ. of Tokyo) |
| 発表年月日 | 2017-01-30 |
| 資料番号 | SDM2016-131 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | SDM-448 |
| ページ範囲 | pp.5-8(SDM), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2017-01-23 (SDM) |