| 講演名 | 2017-01-30 ［招待講演］等電子トラップ技術によるオン電流増大に伴う相補型トンネルトランジスタ回路の性能向上 森 貴洋(産総研), 浅井 栄大(産総研), 服部 淳一(産総研), 福田 浩一(産総研), 大塚 慎太郎(産総研), 森田 行則(産総研), 大内 真一(産総研), 更田 裕司(産総研), 右田 真司(産総研), 水林 亘(産総研), 太田 裕之(産総研), 松川 貴(産総研), |
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| 抄録(和) | 我々は等電子トラップ(IET)技術を用いて，シリコントンネルトランジスタ(TFET)による相補的回路の性能を改善した．IET技術は，P-TFETで5倍，N-TFETで2倍のオン電流増大を実現した．それに伴い，インバータの性能が向上した．さらに，相補型TFETインバータを用いたリングオシレータ(RO)回路の動作を初めて実証した．IET-TFETを用いたRO回路は，IET非導入の回路よりも高い動作周波数を示した． IET技術は，Si-TFETを用いて相補型回路を実現するためのブレークスルーとなる可能性を持つ． |
| 抄録(英) | We improved the performance of a complementary circuit comprising Si-based tunnel field-effect transistors (TFETs) by using isoelectronic trap (IET) technology. IET technology was found to increase the ON current (ION) 5 times in P-TFETs and 2 times in N-TFETs. The ION enhancement improved the inverter performance. In addition, ring oscillator (RO) circuit operation with the complementary TFET inverters was experimentally demonstrated for the first time. The RO circuit with IET-TFETs exhibited a higher operation frequency than that with conventional TFETs. IET technology provides a breakthrough towards realizing complementary circuits with Si-TFETs. |
| キーワード(和) | トンネルトランジスタ / 等電子トラップ / 相補型集積回路 |
| キーワード(英) | Tunnel Field-Effect Transistor / Isoelectronic Trap / Complementary Integrated Circuit |
| 資料番号 | SDM2016-130 |
| 発行日 | 2017-01-23 (SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2017/1/30(から1日開催) |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 先端ＣＭＯＳデバイス・ プロセス技術（ＩＥＤＭ特集） |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) |
| 委員長氏名（英） | Tatsuya Kunikiyo(Renesas) |
| 副委員長氏名（和） | 品田 高宏(東北大) |
| 副委員長氏名（英） | Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 黒田 理人(東北大) / 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) |
| 幹事氏名（英） | Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) / Tadashi Yamaguchi(Renesas) |
| 幹事補佐氏名（和） | 池田 浩也(静岡大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［招待講演］等電子トラップ技術によるオン電流増大に伴う相補型トンネルトランジスタ回路の性能向上 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Talk] Demonstrating Performance Improvement of Complementary TFET Circuits by ION Enhancement Based on Isoelectronic Trap Technology |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | トンネルトランジスタ / Tunnel Field-Effect Transistor |
| キーワード(2)（和/英） | 等電子トラップ / Isoelectronic Trap |
| キーワード(3)（和/英） | 相補型集積回路 / Complementary Integrated Circuit |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 森 貴洋 / Takahiro Mori |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所(略称：産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称：ANational Institute of Advanced Industrial ScieIST) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 浅井 栄大 / Hidehiro Asai |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所(略称：産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称：ANational Institute of Advanced Industrial ScieIST) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 服部 淳一 / Junichi Hattori |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所(略称：産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称：ANational Institute of Advanced Industrial ScieIST) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 福田 浩一 / Koichi Fukuda |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所(略称：産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称：ANational Institute of Advanced Industrial ScieIST) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 大塚 慎太郎 / Shintaro Otsuka |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所(略称：産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称：ANational Institute of Advanced Industrial ScieIST) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 森田 行則 / Yukinori Morita |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所(略称：産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称：ANational Institute of Advanced Industrial ScieIST) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 大内 真一 / Shin-ichi O'uchi |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所(略称：産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称：ANational Institute of Advanced Industrial ScieIST) |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 更田 裕司 / Hiroshi Fuketa |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所(略称：産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称：ANational Institute of Advanced Industrial ScieIST) |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 右田 真司 / Shinji Migita |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所(略称：産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称：ANational Institute of Advanced Industrial ScieIST) |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 水林 亘 / Wataru Mizubayashi |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所(略称：産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称：ANational Institute of Advanced Industrial ScieIST) |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 太田 裕之 / Hiroyuki Ota |
| 第 11 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所(略称：産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称：ANational Institute of Advanced Industrial ScieIST) |
| 第 12 著者 氏名（和/英） | 松川 貴 / Takashi Matuskawa |
| 第 12 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所(略称：産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称：ANational Institute of Advanced Industrial ScieIST) |
| 発表年月日 | 2017-01-30 |
| 資料番号 | SDM2016-130 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | SDM-448 |
| ページ範囲 | pp.1-4(SDM), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2017-01-23 (SDM) |