| 講演名 | 2017-02-24 コンパクトなシリコン三重量子ドットの作製と評価 内田 貴史(北大), 福地 厚(北大), 有田 正志(北大), 藤原 聡(NTT), 高橋 庸夫(北大), |
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| 抄録(和) | 高集積シリコンマルチ量子ドットは量子ビットへの応用が期待されている. 我々は, シリコン細線をパターン依存酸化することで単一量子ドットを形成し, 3本の微細ゲート電極を細線上に取付け, 再度酸化することで三重量子ドットを作製できることを明らかにした. この作製法は, 微細ゲートの直下に量子ドットが形成するので, 量子ドットの集積化に適している. また, ゲートピッチを狭めた場合の高集積三重量子ドットの評価法として, 同時スイープ法を提案し, シミュレーションを用いてその有用性を示した. |
| 抄録(英) | Silicon-based multiple quantum-dot with a scalable gate architecture is a promising candidate for quantum information processing. Here, we demonstrate a triple-quantum-dot (TQD) device fabricated by the pattern-dependent oxidation of a silicon nanowire and an additional oxidation of the nanowire through the gaps between three fine gate electrodes attached on the nanowire. This fabrication method is suitable for the integrated multiple quantum dot device because each quantum dot forms just under each fine gate. In addition, we propose and demonstrate a simultaneous gate-voltage sweeping method for a gate-capacitance evaluation of compact TQD devices with reduced gate distances. |
| キーワード(和) | シリコン単電子デバイス / 三重量子ドット |
| キーワード(英) | silicon single-electron device / triple quantum dot |
| 資料番号 | ED2016-130,SDM2016-147 |
| 発行日 | 2017-02-17 (ED, SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED / SDM |
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| 開催期間 | 2017/2/24(から1日開催) |
| 開催地（和） | 北海道大学百年記念会館 |
| 開催地（英） | Centennial Hall, Hokkaido Univ. |
| テーマ（和） | 機能ナノデバイスおよび関連技術 |
| テーマ（英） | Functional nanodevices and related technologies |
| 委員長氏名（和） | 前澤 宏一(富山大) / 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) |
| 委員長氏名（英） | Koichi Maezawa(Univ. of Toyama) / Tatsuya Kunikiyo(Renesas) |
| 副委員長氏名（和） | 津田 邦男(東芝) / 品田 高宏(東北大) |
| 副委員長氏名（英） | Kunio Tsuda(Toshiba) / Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 鈴木 寿一(北陸先端大) / 新井 学(新日本無線) / 黒田 理人(東北大) / 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) |
| 幹事氏名（英） | Toshikazu Suzuki(JAIST) / Manabu Arai(New JRC) / Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) / Tadashi Yamaguchi(Renesas) |
| 幹事補佐氏名（和） | 東脇 正高(NICT) / 大石 敏之(佐賀大) / 池田 浩也(静岡大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Masataka Higashiwaki(NICT) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electron Devices / Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | コンパクトなシリコン三重量子ドットの作製と評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication and evaluation of silicon triple quantum dots with a compact device structure |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコン単電子デバイス / silicon single-electron device |
| キーワード(2)（和/英） | 三重量子ドット / triple quantum dot |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 内田 貴史 / Takafumi Uchida |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北海道大学(略称：北大) Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University(略称：IST. Hokkaido Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 福地 厚 / Atsushi Tsurumaki-Fukuchi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北海道大学(略称：北大) Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University(略称：IST. Hokkaido Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 有田 正志 / Masashi Arita |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北海道大学(略称：北大) Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University(略称：IST. Hokkaido Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 藤原 聡 / Akira Fujiwara |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 株式会社日本電信電話(略称：NTT) NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation(略称：NTT BRL) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 高橋 庸夫 / Yasuo Takahashi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 北海道大学(略称：北大) Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University(略称：IST. Hokkaido Univ.) |
| 発表年月日 | 2017-02-24 |
| 資料番号 | ED2016-130,SDM2016-147 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | ED-471,SDM-472 |
| ページ範囲 | pp.1-6(ED), pp.1-6(SDM), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2017-02-17 (ED, SDM) |