講演名 2017-01-26
[依頼講演]GaN縦型パワーデバイス実用化に向けた課題
須田 淳(京大),
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抄録(和) 高耐圧,低オン抵抗の次世代パワーデバイスとしてGaN縦型パワーデバイスに期待が寄せられている.高性能デバイスの試作報告も出始めており,GaNの高いポテンシャルを示唆しているが,GaNの特性を最大限に引き出し,かつ,実用レベルに高めるためには取り組むべき課題も多い.本稿ではGaN縦型パワーデバイスの課題を項目毎に整理する.
抄録(英) GaN vertical power devices have attracted much attention as next-generation high-voltage low-on-resistance power devices. Recently, some groups have demonstrated GaN vertical power devices with excellent characteristics. However, there are many things to do for commercialization of GaN vertical power devices. In this paper, the author discuss main challenges.
キーワード(和) 窒化ガリウム / パワーデバイス
キーワード(英) GaN / Power Devices
資料番号 ED2016-99,MW2016-175
発行日 2017-01-19 (ED, MW)

研究会情報
研究会 MW / ED
開催期間 2017/1/26(から2日開催)
開催地(和) 機械振興会館地下2階1号室
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg.
テーマ(和) 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス/マイクロ波一般
テーマ(英) Compound Semiconductor IC and High-Speed, High-Frequency Devices / Microwave Technologies
委員長氏名(和) 石川 容平(京大) / 前澤 宏一(富山大)
委員長氏名(英) Yohei Ishikawa(Kyoto Univ.) / Koichi Maezawa(Univ. of Toyama)
副委員長氏名(和) 九鬼 孝夫(国士舘大) / 西川 健二郎(鹿児島大) / 田島 賢一(三菱電機) / 津田 邦男(東芝)
副委員長氏名(英) Takao Kuki(Kokushikan Univ.) / Kenjiro Nishikawa(Kagoshima Univ.) / Kenichi Tajima(Mitsubishi Electric) / Kunio Tsuda(Toshiba)
幹事氏名(和) 佐藤 潤二(パナソニック) / 平野 拓一(東工大) / 鈴木 寿一(北陸先端大) / 新井 学(新日本無線)
幹事氏名(英) Junji Sato(Panasonic) / Takuichi Hirano(Tokyo Inst. of Tech.) / Toshikazu Suzuki(JAIST) / Manabu Arai(New JRC)
幹事補佐氏名(和) 關谷 尚人(山梨大) / 小野 哲(電通大) / 東脇 正高(NICT) / 大石 敏之(佐賀大)
幹事補佐氏名(英) Naoto Sekiya(Univ. of Yamanashi) / Satoshi Ono(Univ. of Electro-Comm.) / Masataka Higashiwaki(NICT) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Microwaves / Technical Committee on Electron Devices
本文の言語 JPN
タイトル(和) [依頼講演]GaN縦型パワーデバイス実用化に向けた課題
サブタイトル(和)
タイトル(英) [Invited Lecture] Towards Realization of GaN Vertical Power Devices
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 窒化ガリウム / GaN
キーワード(2)(和/英) パワーデバイス / Power Devices
第 1 著者 氏名(和/英) 須田 淳 / Jun Suda
第 1 著者 所属(和/英) 京都大学(略称:京大)
Kyoto University(略称:Kyoto Univ.)
発表年月日 2017-01-26
資料番号 ED2016-99,MW2016-175
巻番号(vol) vol.116
号番号(no) ED-431,MW-432
ページ範囲 pp.17-18(ED), pp.17-18(MW),
ページ数 2
発行日 2017-01-19 (ED, MW)