| 講演名 | 2017-01-26 ［依頼講演］Si基板上GaNパワーデバイス 上田 哲三(パナソニック), 上本 康裕(パナソニック), 酒井 啓之(パナソニック), 田中 毅(パナソニック), 上田 大助(京都工繊大), |
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| 抄録(和) | GaNトランジスタはスイッチング機器で使用される、いわゆるパワーデバイスとして、その実用化に向けての研究開発が積極的に行われている。加えて、携帯電話基地局等で使用される高周波パワーアンプにおいては既に広く実用化されている。パナソニックにおいては、大面積Si基板上へのGaN結晶成長をコア技術としてGaNトランジスタの実用化開発を推進してきた。本講演では、Si上GaNトランジスタのスイッチング及び高周波応用に関して、開発の現状を解説する。 |
| 抄録(英) | GaN transistors have been widely investigated for power deices to be used in various power switching systems. In addition, high-frequency power amplifiers employing GaN transistors are commercially available for cellular base-station applications. Panasonic has been developing GaN transistors taking advantages of its proprietary technologies on the epitaxial growth of GaN on large diameter Si substrates. In this paper, state-of-the-art GaN transistors on Si developed by Panasonic aiming at both switching and high frequency applications are summarized. |
| キーワード(和) | GaNトランジスタ / Si基板 / スイッチングパワーデバイス / 高周波パワーアンプ |
| キーワード(英) | GaN transistor / Si substrate / Switching power device / High frequency power amplifier |
| 資料番号 | ED2016-96,MW2016-172 |
| 発行日 | 2017-01-19 (ED, MW) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW / ED |
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| 開催期間 | 2017/1/26(から2日開催) |
| 開催地（和） | 機械振興会館地下2階1号室 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | Compound Semiconductor IC and High-Speed, High-Frequency Devices / Microwave Technologies |
| 委員長氏名（和） | 石川 容平(京大) / 前澤 宏一(富山大) |
| 委員長氏名（英） | Yohei Ishikawa(Kyoto Univ.) / Koichi Maezawa(Univ. of Toyama) |
| 副委員長氏名（和） | 九鬼 孝夫(国士舘大) / 西川 健二郎(鹿児島大) / 田島 賢一(三菱電機) / 津田 邦男(東芝) |
| 副委員長氏名（英） | Takao Kuki(Kokushikan Univ.) / Kenjiro Nishikawa(Kagoshima Univ.) / Kenichi Tajima(Mitsubishi Electric) / Kunio Tsuda(Toshiba) |
| 幹事氏名（和） | 佐藤 潤二(パナソニック) / 平野 拓一(東工大) / 鈴木 寿一(北陸先端大) / 新井 学(新日本無線) |
| 幹事氏名（英） | Junji Sato(Panasonic) / Takuichi Hirano(Tokyo Inst. of Tech.) / Toshikazu Suzuki(JAIST) / Manabu Arai(New JRC) |
| 幹事補佐氏名（和） | 關谷 尚人(山梨大) / 小野 哲(電通大) / 東脇 正高(NICT) / 大石 敏之(佐賀大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Naoto Sekiya(Univ. of Yamanashi) / Satoshi Ono(Univ. of Electro-Comm.) / Masataka Higashiwaki(NICT) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Microwaves / Technical Committee on Electron Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［依頼講演］Si基板上GaNパワーデバイス |
| サブタイトル（和） | スイッチング及び高周波応用 |
| タイトル（英） | [Invited Lecture] GaN Power Transistors on Si Substrates for Switching and High-Frequency Applications |
| サブタイトル（和） | * |
| キーワード(1)（和/英） | GaNトランジスタ / GaN transistor |
| キーワード(2)（和/英） | Si基板 / Si substrate |
| キーワード(3)（和/英） | スイッチングパワーデバイス / Switching power device |
| キーワード(4)（和/英） | 高周波パワーアンプ / High frequency power amplifier |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 上田 哲三 / Tetsuzo Ueda |
| 第 1 著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社(略称：パナソニック) Panasonic(略称：Panasonic) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 上本 康裕 / Yasuhiro Uemoto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社(略称：パナソニック) Panasonic(略称：Panasonic) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 酒井 啓之 / Hiroyuki Sakai |
| 第 3 著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社(略称：パナソニック) Panasonic(略称：Panasonic) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 田中 毅 / Tsuyoshi Tanaka |
| 第 4 著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社(略称：パナソニック) Panasonic(略称：Panasonic) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 上田 大助 / Daisuke Ueda |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大(略称：京都工繊大) Kyoto Insutitute of Technorogy(略称：Kyoto Insutitute of Tech.) |
| 発表年月日 | 2017-01-26 |
| 資料番号 | ED2016-96,MW2016-172 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | ED-431,MW-432 |
| ページ範囲 | pp.1-5(ED), pp.1-5(MW), |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2017-01-19 (ED, MW) |