| 講演名 | 2017-01-26 ［依頼講演］GaN電子デバイス用エピウエハの現状と課題 乙木 洋平(SCIOCS), |
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| 抄録(和) | GaN電子デバイスは高周波用途を中心に実用化がすすんでいる。エピタキシャル成長においては、GaAs系にくらべ、成長条件の許容幅が狭く、高精度の制御が必要である。また、結晶中にトラップとなる点欠陥があり、これらを知り、制御することが非常に重要である。最近、高品質なGaN基板を使用することにより、ショットキー特性の改善、線形性の改良、耐圧の増加など、デバイスの高性能化が多く報告されている。近い将来の実用化が期待される |
| 抄録(英) | GaN electronic devices have been in the practical stage mainly for high frequency applications. In epitaxial growth, the tolerance range of growth conditions is narrower than that of GaAs, and then very precise control is necessary. In addition, since there are point defects which become traps in the crystal, it is very important to know and control them. Recently, improvements of device performance such as Schottky characteristics, linearity, high breakdown voltage, by using a high quality GaN substrate have been reported. Use of the substrate is expected in the near future |
| キーワード(和) | GaN / エピタキシャル成長 / HEMT / 電子デバイス / MOCVD / GaN 基板 / デバイス特性 |
| キーワード(英) | GaN / epitaxial growth / HEMT / Eletronic Devices / MOCVD / GaN substrate / Device performance |
| 資料番号 | ED2016-100,MW2016-176 |
| 発行日 | 2017-01-19 (ED, MW) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW / ED |
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| 開催期間 | 2017/1/26(から2日開催) |
| 開催地（和） | 機械振興会館地下2階1号室 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | Compound Semiconductor IC and High-Speed, High-Frequency Devices / Microwave Technologies |
| 委員長氏名（和） | 石川 容平(京大) / 前澤 宏一(富山大) |
| 委員長氏名（英） | Yohei Ishikawa(Kyoto Univ.) / Koichi Maezawa(Univ. of Toyama) |
| 副委員長氏名（和） | 九鬼 孝夫(国士舘大) / 西川 健二郎(鹿児島大) / 田島 賢一(三菱電機) / 津田 邦男(東芝) |
| 副委員長氏名（英） | Takao Kuki(Kokushikan Univ.) / Kenjiro Nishikawa(Kagoshima Univ.) / Kenichi Tajima(Mitsubishi Electric) / Kunio Tsuda(Toshiba) |
| 幹事氏名（和） | 佐藤 潤二(パナソニック) / 平野 拓一(東工大) / 鈴木 寿一(北陸先端大) / 新井 学(新日本無線) |
| 幹事氏名（英） | Junji Sato(Panasonic) / Takuichi Hirano(Tokyo Inst. of Tech.) / Toshikazu Suzuki(JAIST) / Manabu Arai(New JRC) |
| 幹事補佐氏名（和） | 關谷 尚人(山梨大) / 小野 哲(電通大) / 東脇 正高(NICT) / 大石 敏之(佐賀大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Naoto Sekiya(Univ. of Yamanashi) / Satoshi Ono(Univ. of Electro-Comm.) / Masataka Higashiwaki(NICT) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Microwaves / Technical Committee on Electron Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［依頼講演］GaN電子デバイス用エピウエハの現状と課題 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Lecture] Current status and problems of epitaxial wafers for GaN electronic devices |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | エピタキシャル成長 / epitaxial growth |
| キーワード(3)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(4)（和/英） | 電子デバイス / Eletronic Devices |
| キーワード(5)（和/英） | MOCVD / MOCVD |
| キーワード(6)（和/英） | GaN 基板 / GaN substrate |
| キーワード(7)（和/英） | デバイス特性 / Device performance |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 乙木 洋平 / Yohei Otoki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | SCIOCS(略称：SCIOCS) SCIOCS(略称：SCIOCS) |
| 発表年月日 | 2017-01-26 |
| 資料番号 | ED2016-100,MW2016-176 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | ED-431,MW-432 |
| ページ範囲 | pp.19-22(ED), pp.19-22(MW), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2017-01-19 (ED, MW) |