| 講演名 | 2017-01-26 ［依頼講演］金属／GaNショットキー接触の評価 塩島 謙次(福井大), |
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| 抄録(和) | 本講演では我々の研究機関で得られた金属／GaNショットキー接触に関する知見を黎明期から振り返り、GaN電子デバイス開発の進展を展望する.（i）耐熱電極を模索した熱劣化過程の評価、（ii）GaNの代表的な結晶欠陥である転位と電極特性の相関、（iii）低Mgドーピングによるp-GaNショットキー接触の実現、及び表面欠陥の評価、（iv）清浄な表面を劈開法で得たm面n-GaNショットキー接触、（v）電極界面を２次元評価出来る界面顕微光応答法による界面反応、高電界印加劣化過程の評価について述べる． |
| 抄録(英) | We report our experimental results on GaN Schottky contacts in conjunction with a review of the development of GaN electron devices. We describe (i) thermal stability, (ii) correlation between dislocations and electrical characteristics (iii) current transport mechanism of p-GaN contacts, (iv) cleaved m-plane n-GaN Schottky contacts, and (v) mapping of the interfaces using scanning internal photoemission microscopy. |
| キーワード(和) | GaN / ショットキー電極 / 障壁高さ / 電流輸送機構 |
| キーワード(英) | GaN / Schottky contact / Schottky barrier height / Current transport mechanism |
| 資料番号 | ED2016-101,MW2016-177 |
| 発行日 | 2017-01-19 (ED, MW) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW / ED |
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| 開催期間 | 2017/1/26(から2日開催) |
| 開催地（和） | 機械振興会館地下2階1号室 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | Compound Semiconductor IC and High-Speed, High-Frequency Devices / Microwave Technologies |
| 委員長氏名（和） | 石川 容平(京大) / 前澤 宏一(富山大) |
| 委員長氏名（英） | Yohei Ishikawa(Kyoto Univ.) / Koichi Maezawa(Univ. of Toyama) |
| 副委員長氏名（和） | 九鬼 孝夫(国士舘大) / 西川 健二郎(鹿児島大) / 田島 賢一(三菱電機) / 津田 邦男(東芝) |
| 副委員長氏名（英） | Takao Kuki(Kokushikan Univ.) / Kenjiro Nishikawa(Kagoshima Univ.) / Kenichi Tajima(Mitsubishi Electric) / Kunio Tsuda(Toshiba) |
| 幹事氏名（和） | 佐藤 潤二(パナソニック) / 平野 拓一(東工大) / 鈴木 寿一(北陸先端大) / 新井 学(新日本無線) |
| 幹事氏名（英） | Junji Sato(Panasonic) / Takuichi Hirano(Tokyo Inst. of Tech.) / Toshikazu Suzuki(JAIST) / Manabu Arai(New JRC) |
| 幹事補佐氏名（和） | 關谷 尚人(山梨大) / 小野 哲(電通大) / 東脇 正高(NICT) / 大石 敏之(佐賀大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Naoto Sekiya(Univ. of Yamanashi) / Satoshi Ono(Univ. of Electro-Comm.) / Masataka Higashiwaki(NICT) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Microwaves / Technical Committee on Electron Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［依頼講演］金属／GaNショットキー接触の評価 |
| サブタイトル（和） | 黎明期からの振り返り |
| タイトル（英） | [Invited Lecture] Characterization of Metal/GaN Schottky Contacts |
| サブタイトル（和） | Review from the Early Days |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | ショットキー電極 / Schottky contact |
| キーワード(3)（和/英） | 障壁高さ / Schottky barrier height |
| キーワード(4)（和/英） | 電流輸送機構 / Current transport mechanism |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 塩島 謙次 / Kenji Shiojima |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 福井大学(略称：福井大) University of Fukuiv(略称：Univ. of Fukui) |
| 発表年月日 | 2017-01-26 |
| 資料番号 | ED2016-101,MW2016-177 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | ED-431,MW-432 |
| ページ範囲 | pp.23-28(ED), pp.23-28(MW), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2017-01-19 (ED, MW) |