講演名 2017-01-31
ビット密度5.92Mb/mm2を実現したダブルポンピング回路を用いた28nm擬似2RW DP-SRAM
石井 雄一郎(ルネサス エレクトロニクス), 薮内 誠(ルネサス エレクトロニクス), 澤田 陽平(ルネサス エレクトロニクス), 森本 薫夫(ルネサス エレクトロニクス), 塚本 康正(ルネサス エレクトロニクス), 良田 雄太(ルネサス システムデザイン), 柴田 健(ルネサス システムデザイン), 佐野 聡明(ルネサス システムデザイン), 田中 信二(ルネサス エレクトロニクス), 新居 浩二(ルネサス エレクトロニクス),
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抄録(和) 6TシングルポートSRAMセルとダブルポンピング回路を用いて、2-read/write (2RW)機能を実現した擬似2RWデュアルポートSRAMを提案する。この擬似デュアルポートSRAMは8TデュアルポートSRAMセルを用いた従来型の2RWデュアルポートSRAMより小さなチップ面積とリーク電流を実現する。28nm HK/MGプロセスを用いて512kbit容量のテストチップを試作し、5.92Mbit/mm2のビット密度と760uAの低リーク電流を達成した。このビット密度はこれまで発表された2RWデュアルポートSRAMの中で最も高いものである。
抄録(英) We propose pseudo dual-port (DP) SRAM by using 6T single-port (SP) SRAM bitcell with double pumping circuitry, which enables 2-read/write (2RW) operation within a clock cycle. We designed and implemented a 512-kb pseudo DP SRAM macro based on 28-nm low-power bulk CMOS technology. Our design achieved the bit density of 5.92 Mb/mm2, which is the highest ever reported.
キーワード(和) 擬似 / デュアルポート / 2RW / SRAM / 28nm / ダブルポンピング
キーワード(英) Pseudo / DP / 2RW / SRAM / 28nm / Double pumping
資料番号 EMD2016-86,MR2016-58,SCE2016-64,EID2016-65,ED2016-129,CPM2016-130,SDM2016-129,ICD2016-117,OME2016-98
発行日 2017-01-23 (EMD, MR, SCE, EID, ED, CPM, SDM, ICD, OME)

研究会情報
研究会 ICD / CPM / ED / EID / EMD / MR / OME / SCE / SDM
開催期間 2017/1/30(から2日開催)
開催地(和) みやじま杜の宿(広島)
開催地(英) Miyajima-Morino-Yado(Hiroshima)
テーマ(和) 回路・デバイス・境界領域技術
テーマ(英) Circuit, Device and Engineering Science
委員長氏名(和) 藤島 実(広島大) / 野毛 悟(沼津高専) / 前澤 宏一(富山大) / 志賀 智一(電通大) / 阿部 宜輝(NTT) / 岡本 好弘(愛媛大) / 松田 直樹(産総研) / 吉川 信行(横浜国大) / 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス)
委員長氏名(英) Minoru Fujishima(Hiroshima Univ.) / Satoru Noge(Numazu National College of Tech.) / Koichi Maezawa(Univ. of Toyama) / Tomokazu Shiga(Univ. of Electro-Comm.) / Yoshiteru Abe(NTT) / Yoshihiro Okamoto(Ehime Univ.) / Naoki Matsuda(AIST) / Nobuyuki Yoshikawa(Yokohama National Univ.) / Tatsuya Kunikiyo(Renesas)
副委員長氏名(和) 日高 秀人(ルネサス エレクトロニクス) / 廣瀬 文彦(山形大) / 津田 邦男(東芝) / 木村 睦(龍谷大) / 小南 裕子(静岡大) / / / 森 竜雄(愛知工大) / / 品田 高宏(東北大)
副委員長氏名(英) Hideto Hidaka(Renesas) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Kunio Tsuda(Toshiba) / Mutsumi Kimura(Ryukoku Univ.) / Yuko Kominami(Shizuoka Univ.) / / / Tatsuo Mori(Aichi Inst. of Tech.) / / Takahiro Shinada(Tohoku Univ.)
幹事氏名(和) 吉田 毅(広島大) / 高宮 真(東大) / 小舘 淳一(NTT) / 岩田 展幸(日大) / 鈴木 寿一(北陸先端大) / 新井 学(新日本無線) / 伊達 宗和(NTT) / 山口 雅浩(東工大) / 澤田 滋(住友電装) / 鈴木 健司(富士電機機器制御) / 赤城 文子(工学院大) / 島 隆之(産総研) / 鴻野 晃洋(NTT) / 染谷 隆夫(東大) / 立木 隆(防衛大) / 成瀬 雅人(埼玉大) / 黒田 理人(東北大) / 山口 直(ルネサス エレクトロニクス)
幹事氏名(英) Takeshi Yoshida(Hiroshima Univ.) / Makoto Takamiya(Univ. of Tokyo) / Junichi Kodate(NTT) / Nobuyuki Iwata(Nihon Univ.) / Toshikazu Suzuki(JAIST) / Manabu Arai(New JRC) / Munekazu Date(NTT) / Masahiro Yamaguchi(Tokyo Inst. of Tech.) / Shigeru Sawada(Sumitomo Denso) / Kenji Suzuki(Fujielectric) / Fumiko Akagi(Kogakuin Univ.) / Takayuki Shima(AIST) / Akihiro Kohno(NTT) / Takao Someya(Univ. of Tokyo) / Takashi Tachiki(National Defense Academy) / Masato Naruse(Saitama Univ.) / Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) / Tadashi Yamaguchi(Renesas)
幹事補佐氏名(和) 橋本 隆(パナソニック) / 夏井 雅典(東北大) / 伊藤 浩之(東工大) / 範 公可(電通大) / 坂本 尊(NTT) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 東脇 正高(NICT) / 大石 敏之(佐賀大) / 山口 留美子(秋田大) / 新田 博幸(ジャパンディスプレイ) / 中田 充(NHK) / 小尻 尚志(日本ゼオン) / 野中 亮助(東芝) / 萓野 良樹(電通大) / 林 優一(東北学院大) / 工藤 究(東芝) / 吉田 周平(近畿大) / 梶井 博武(阪大) / 田口 大(東工大) / 赤池 宏之(名大) / 山梨 裕希(横浜国大) / 池田 浩也(静岡大)
幹事補佐氏名(英) Takashi Hashimoto(Panasonic) / Masanori Natsui(Tohoku Univ.) / Hiroyuki Ito(Tokyo Inst. of Tech.) / Pham Konkuha(Univ. of Electro-Comm.) / Takashi Sakamoto(NTT) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Masataka Higashiwaki(NICT) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Rumiko Yamaguchi(Akita Univ.) / Hiroyuki Nitta(Japan Display) / Mitsuru Nakata(NHK) / Takashi Kojiri(ZEON) / Ryosuke Nonaka(Toshiba) / Yoshiki Kayano(Univ. of Electro-Comm.) / Yuichi Hayashi(Tohoku Gakuin Univ.) / Kiwamu Kudo(Toshiba) / Shuhei Yoshida(Kinki Univ.) / Hirotake Kajii(Osaka Univ.) / Dai Taguchi(Tokyo Inst. of Tech.) / Hiroyuki Akaike(Nagoya Univ.) / Yuki Yamanashi(Yokohama National Univ.) / Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Integrated Circuits and Devices / Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Electron Devices / Technical Committee on Electronic Information Displays / Technical Committee on Electromechanical Devices / Technical Committee on Magnetic Recording / Technical Committee on Organic Molecular Electronics / Technical Committee on Superconductive Electronics / Technical Committee on Silicon Device and Materials
本文の言語 JPN
タイトル(和) ビット密度5.92Mb/mm2を実現したダブルポンピング回路を用いた28nm擬似2RW DP-SRAM
サブタイトル(和)
タイトル(英) A 5.92-Mb/mm2 28-nm Pseudo 2-Read/Write Dual-Port SRAM Using Double Pumping Circuitry
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 擬似 / Pseudo
キーワード(2)(和/英) デュアルポート / DP
キーワード(3)(和/英) 2RW / 2RW
キーワード(4)(和/英) SRAM / SRAM
キーワード(5)(和/英) 28nm / 28nm
キーワード(6)(和/英) ダブルポンピング / Double pumping
第 1 著者 氏名(和/英) 石井 雄一郎 / Yuichiro Ishii
第 1 著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社(略称:ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation(略称:Renesas Electronics)
第 2 著者 氏名(和/英) 薮内 誠 / Makoto Yabuuchi
第 2 著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社(略称:ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation(略称:Renesas Electronics)
第 3 著者 氏名(和/英) 澤田 陽平 / Yohei Sawada
第 3 著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社(略称:ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation(略称:Renesas Electronics)
第 4 著者 氏名(和/英) 森本 薫夫 / Masao Morimoto
第 4 著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社(略称:ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation(略称:Renesas Electronics)
第 5 著者 氏名(和/英) 塚本 康正 / Yasumasa Tsukamoto
第 5 著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社(略称:ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation(略称:Renesas Electronics)
第 6 著者 氏名(和/英) 良田 雄太 / Yuta Yoshida
第 6 著者 所属(和/英) ルネサスシステムデザイン株式会社(略称:ルネサス システムデザイン)
Renesas System Design Co., Ltd.(略称:Renesas System Design)
第 7 著者 氏名(和/英) 柴田 健 / Ken Shibata
第 7 著者 所属(和/英) ルネサスシステムデザイン株式会社(略称:ルネサス システムデザイン)
Renesas System Design Co., Ltd.(略称:Renesas System Design)
第 8 著者 氏名(和/英) 佐野 聡明 / Toshiaki Sano
第 8 著者 所属(和/英) ルネサスシステムデザイン株式会社(略称:ルネサス システムデザイン)
Renesas System Design Co., Ltd.(略称:Renesas System Design)
第 9 著者 氏名(和/英) 田中 信二 / Shinji Tanaka
第 9 著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社(略称:ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation(略称:Renesas Electronics)
第 10 著者 氏名(和/英) 新居 浩二 / Koji Nii
第 10 著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社(略称:ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation(略称:Renesas Electronics)
発表年月日 2017-01-31
資料番号 EMD2016-86,MR2016-58,SCE2016-64,EID2016-65,ED2016-129,CPM2016-130,SDM2016-129,ICD2016-117,OME2016-98
巻番号(vol) vol.116
号番号(no) EMD-439,MR-440,SCE-441,EID-442,ED-443,CPM-444,SDM-445,ICD-446,OME-447
ページ範囲 pp.87-92(EMD), pp.87-92(MR), pp.87-92(SCE), pp.87-92(EID), pp.87-92(ED), pp.87-92(CPM), pp.87-92(SDM), pp.87-92(ICD), pp.87-92(OME),
ページ数 6
発行日 2017-01-23 (EMD, MR, SCE, EID, ED, CPM, SDM, ICD, OME)