| 講演名 | 2017-01-27 HfO2/Al2O3/InGaAsゲート構造における移動度への成膜温度およびH2アニールの影響 大澤 一斗(東工大), 野口 真司(東工大), 祢津 誠晃(東工大), 木瀬 信和(東工大), 宮本 恭幸(東工大), |
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| 抄録(和) | 高い電子移動度を持つIII-V族化合物半導体が将来のnMOSFETのチャネル材料として期待されている。その実現のためには低いトラップ密度と高い電子移動度の両立が必要である。今回我々はN2プラズマ/TMAによる表面処理と低温成膜を用いてゲート絶縁膜を成膜し、Al2O3/InGaAsおよびHfO2/Al2O3/InGaAs構造を持つMOSFETにおいて移動度と界面準位密度(Dit)を評価した。さらにH2アニールが移動度とDitに与える影響を調べた。成膜温度を300 °Cから120 °Cに下げるとHfO2/Al2O3/InGaAs構造においては移動度が向上するが、Al2O3/InGaAs構造の場合はあまり変化しなかった。Ditについては120 °C成膜のほうが小さい値を示した。H2アニールについてはゲート構造によって移動度が改善する場合と劣化する場合があった。 |
| 抄録(英) | III–V compound semiconductors are promising materials for future n-type MOSFET channels because of their high electron mobility. To realize high-performance MOSFETs, the MOSFETs should have low trap densities and high electron mobility. In this study, the mobilities and interface state densities of the MOSFETs with the Al2O3/InGaAs and HfO2/Al2O3/InGaAs gate stacks were extracted after nitrogen plasma/TMA cleaning. The deposition at 120 °C improved the mobility of MOSFETs with HfO2/2-cycle Al2O3/InGaAs gate stacks by twice to that at the deposition at 300 °C, although the dependence of mobility on the deposition temperature in Al2O3/InGaAs gate stacks was weak. The deposition at 120 °C also improved interface state densities. H2 annealing improved or degraded the electron mobilities depending on gate stacks. |
| キーワード(和) | 移動度 / 界面準位密度 / InGaAs / HfO2 / Al2O3 |
| キーワード(英) | Mobility / Interface state density / InGaAs / HfO2 / Al2O3 |
| 資料番号 | ED2016-103,MW2016-179 |
| 発行日 | 2017-01-19 (ED, MW) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW / ED |
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| 開催期間 | 2017/1/26(から2日開催) |
| 開催地（和） | 機械振興会館地下2階1号室 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | Compound Semiconductor IC and High-Speed, High-Frequency Devices / Microwave Technologies |
| 委員長氏名（和） | 石川 容平(京大) / 前澤 宏一(富山大) |
| 委員長氏名（英） | Yohei Ishikawa(Kyoto Univ.) / Koichi Maezawa(Univ. of Toyama) |
| 副委員長氏名（和） | 九鬼 孝夫(国士舘大) / 西川 健二郎(鹿児島大) / 田島 賢一(三菱電機) / 津田 邦男(東芝) |
| 副委員長氏名（英） | Takao Kuki(Kokushikan Univ.) / Kenjiro Nishikawa(Kagoshima Univ.) / Kenichi Tajima(Mitsubishi Electric) / Kunio Tsuda(Toshiba) |
| 幹事氏名（和） | 佐藤 潤二(パナソニック) / 平野 拓一(東工大) / 鈴木 寿一(北陸先端大) / 新井 学(新日本無線) |
| 幹事氏名（英） | Junji Sato(Panasonic) / Takuichi Hirano(Tokyo Inst. of Tech.) / Toshikazu Suzuki(JAIST) / Manabu Arai(New JRC) |
| 幹事補佐氏名（和） | 關谷 尚人(山梨大) / 小野 哲(電通大) / 東脇 正高(NICT) / 大石 敏之(佐賀大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Naoto Sekiya(Univ. of Yamanashi) / Satoshi Ono(Univ. of Electro-Comm.) / Masataka Higashiwaki(NICT) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Microwaves / Technical Committee on Electron Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | HfO2/Al2O3/InGaAsゲート構造における移動度への成膜温度およびH2アニールの影響 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Dependence of Electron Mobility on Deposition Temperature and H2 Annealing in MOSFETs with HfO2/Al2O3/InGaAs Gate Stacks |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 移動度 / Mobility |
| キーワード(2)（和/英） | 界面準位密度 / Interface state density |
| キーワード(3)（和/英） | InGaAs / InGaAs |
| キーワード(4)（和/英） | HfO2 / HfO2 |
| キーワード(5)（和/英） | Al2O3 / Al2O3 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大澤 一斗 / Kazuto Ohsawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Tech) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 野口 真司 / Shinji Noguchi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Tech) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 祢津 誠晃 / Seiko Netsu |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Tech) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 木瀬 信和 / Nobukazu Kise |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Tech) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 宮本 恭幸 / Yasuyuki Miyamoto |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Tech) |
| 発表年月日 | 2017-01-27 |
| 資料番号 | ED2016-103,MW2016-179 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | ED-431,MW-432 |
| ページ範囲 | pp.35-40(ED), pp.35-40(MW), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2017-01-19 (ED, MW) |