| 講演名 | 2017-01-27 ゼロバイアスGaAsSbバックワードダイオード検波器の雑音特性改善 高橋 剛(富士通研), 佐藤 優(富士通研), 芝 祥一(富士通研), 中舍 安宏(富士通研), 原 直紀(富士通研), 岩井 大介(富士通研), 岡本 直哉(富士通研), 渡部 慶二(富士通研), |
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| 抄録(和) | ミリ波およびテラヘルツ波の高感度検波器として、p+-GaAsSb/i-InAlAs/n-InGaAsヘテロ接合バックワードダイオードを開発してきた。このGaAsSb系バックワードダイオードはゼロバイアスで動作し、高い検波感度を有することが特徴である。今回は雑音特性に影響を与える接合抵抗（Rj）を低減するため、i-InAlAsバリア層を抜いたp+-GaAs0.51Sb0.49/n-In0.53Ga0.47As構造を検討した。94～300 GHzの感度はi-In0.52Al0.48Asバリア層を設けた方が高かったが、雑音特性（NEP）はバリア層が無い方が大幅に改善した。NEPの改善はRjの低減による効果と考えられる。InP HEMTと集積化した場合、高感度なミリ波およびテラヘルツ波受信器が実現できる。 |
| 抄録(英) | Noise characteristics of zero-bias backward diodes for terahertz detectors were improved by using a p+-GaAs0.51Sb0.49/n-In0.53Ga0.47As heterojunction structure. Junction resistance was successfully decreased by removing an i-In0.52Al0.48As barrier layer from a conventional p+-GaAs0.51Sb0.49/i-In0.52Al0.48As/n-In0.53Ga0.47As structure. Although sensitivity indicated slight decrease, noise equivalent power (NEP) was drastically improved from 303 to 64 pW/Hz1/2 at 300 GHz |
| キーワード(和) | トンネルダイオード / バックワード / ミリ波 / テラヘルツ波 / GaAsSb / 雑音 / 検波 / 感度 |
| キーワード(英) | Tunnel diode / Backward / Millimeter wave / Terahertz wave / GaAsSb / Noise / Detection / Sensitivity |
| 資料番号 | ED2016-102,MW2016-178 |
| 発行日 | 2017-01-19 (ED, MW) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW / ED |
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| 開催期間 | 2017/1/26(から2日開催) |
| 開催地（和） | 機械振興会館地下2階1号室 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | Compound Semiconductor IC and High-Speed, High-Frequency Devices / Microwave Technologies |
| 委員長氏名（和） | 石川 容平(京大) / 前澤 宏一(富山大) |
| 委員長氏名（英） | Yohei Ishikawa(Kyoto Univ.) / Koichi Maezawa(Univ. of Toyama) |
| 副委員長氏名（和） | 九鬼 孝夫(国士舘大) / 西川 健二郎(鹿児島大) / 田島 賢一(三菱電機) / 津田 邦男(東芝) |
| 副委員長氏名（英） | Takao Kuki(Kokushikan Univ.) / Kenjiro Nishikawa(Kagoshima Univ.) / Kenichi Tajima(Mitsubishi Electric) / Kunio Tsuda(Toshiba) |
| 幹事氏名（和） | 佐藤 潤二(パナソニック) / 平野 拓一(東工大) / 鈴木 寿一(北陸先端大) / 新井 学(新日本無線) |
| 幹事氏名（英） | Junji Sato(Panasonic) / Takuichi Hirano(Tokyo Inst. of Tech.) / Toshikazu Suzuki(JAIST) / Manabu Arai(New JRC) |
| 幹事補佐氏名（和） | 關谷 尚人(山梨大) / 小野 哲(電通大) / 東脇 正高(NICT) / 大石 敏之(佐賀大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Naoto Sekiya(Univ. of Yamanashi) / Satoshi Ono(Univ. of Electro-Comm.) / Masataka Higashiwaki(NICT) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Microwaves / Technical Committee on Electron Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ゼロバイアスGaAsSbバックワードダイオード検波器の雑音特性改善 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Improvement in Noise Characteristics of Zero-bias GaAsSb-based Backward Diodes |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | トンネルダイオード / Tunnel diode |
| キーワード(2)（和/英） | バックワード / Backward |
| キーワード(3)（和/英） | ミリ波 / Millimeter wave |
| キーワード(4)（和/英） | テラヘルツ波 / Terahertz wave |
| キーワード(5)（和/英） | GaAsSb / GaAsSb |
| キーワード(6)（和/英） | 雑音 / Noise |
| キーワード(7)（和/英） | 検波 / Detection |
| キーワード(8)（和/英） | 感度 / Sensitivity |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 高橋 剛 / Tsuyoshi Takahashi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所(略称：富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd.(略称：Fujitsu Labs.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 佐藤 優 / Masaru Sato |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所(略称：富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd.(略称：Fujitsu Labs.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 芝 祥一 / Shoichi Shiba |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所(略称：富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd.(略称：Fujitsu Labs.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 中舍 安宏 / Yasuhiro Nakasha |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所(略称：富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd.(略称：Fujitsu Labs.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 原 直紀 / Naoki Hara |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所(略称：富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd.(略称：Fujitsu Labs.) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 岩井 大介 / Taisuke Iwai |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 富士通研究所(略称：富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd.(略称：Fujitsu Labs.) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 岡本 直哉 / Naoya Okamoto |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 富士通研究所(略称：富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd.(略称：Fujitsu Labs.) |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 渡部 慶二 / Keiji Watanabe |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所(略称：富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd.(略称：Fujitsu Labs.) |
| 発表年月日 | 2017-01-27 |
| 資料番号 | ED2016-102,MW2016-178 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | ED-431,MW-432 |
| ページ範囲 | pp.29-33(ED), pp.29-33(MW), |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2017-01-19 (ED, MW) |