講演名 2017-01-31
光EFISHG法による有機EL素子の非破壊寿命推定
田口 大(東工大), 間中 孝彰(東工大), 岩本 光正(東工大),
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抄録(和) 電界誘起光第2次高調波発生法(光EFISHG法)は、有機材料・デバイス内部のキャリア挙動を光学的にプローブできる測定手法である。本手法により有機デバイスの絶縁破壊前駆現象として現れるキャリア挙動を検出することで、予めデバイスの電気的破壊を察知することが可能である。本稿では、積層膜型有機EL素子中のキャリア蓄積現象と素子中の電界分布について述べ、IZO/a-NPD/Alq3/Al構造素子の測定例を取り上げて破壊前駆現象として現れるキャリア挙動について紹介する。
抄録(英) By using electric-field-induced optical second-harmonic generation (EFISHG) measurement, we investigated non-destructive method for the detection of pre-electrical breakdown phenomena. In this paper, EFISHG measurements of double-layer organic light-emitting diodes (indium zinc oxide (IZO)/a-NPD/Alq3/Al) is presented to show remarkable carrier accumulation happens at the a-NPD/Alq3 interface as a pre-electrical breakdown phenomenon.
キーワード(和) 光第2次高調波発生 / 非破壊測定 / 有機EL / 寿命推定
キーワード(英) electric-field-induced optical second-harmonic generation / non-destructive measurement / organic light-emitting diode / Diagnostic method
資料番号 EMD2016-81,MR2016-53,SCE2016-59,EID2016-60,ED2016-124,CPM2016-125,SDM2016-124,ICD2016-112,OME2016-93
発行日 2017-01-23 (EMD, MR, SCE, EID, ED, CPM, SDM, ICD, OME)

研究会情報
研究会 ICD / CPM / ED / EID / EMD / MR / OME / SCE / SDM
開催期間 2017/1/30(から2日開催)
開催地(和) みやじま杜の宿(広島)
開催地(英) Miyajima-Morino-Yado(Hiroshima)
テーマ(和) 回路・デバイス・境界領域技術
テーマ(英) Circuit, Device and Engineering Science
委員長氏名(和) 藤島 実(広島大) / 野毛 悟(沼津高専) / 前澤 宏一(富山大) / 志賀 智一(電通大) / 阿部 宜輝(NTT) / 岡本 好弘(愛媛大) / 松田 直樹(産総研) / 吉川 信行(横浜国大) / 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス)
委員長氏名(英) Minoru Fujishima(Hiroshima Univ.) / Satoru Noge(Numazu National College of Tech.) / Koichi Maezawa(Univ. of Toyama) / Tomokazu Shiga(Univ. of Electro-Comm.) / Yoshiteru Abe(NTT) / Yoshihiro Okamoto(Ehime Univ.) / Naoki Matsuda(AIST) / Nobuyuki Yoshikawa(Yokohama National Univ.) / Tatsuya Kunikiyo(Renesas)
副委員長氏名(和) 日高 秀人(ルネサス エレクトロニクス) / 廣瀬 文彦(山形大) / 津田 邦男(東芝) / 木村 睦(龍谷大) / 小南 裕子(静岡大) / / / 森 竜雄(愛知工大) / / 品田 高宏(東北大)
副委員長氏名(英) Hideto Hidaka(Renesas) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Kunio Tsuda(Toshiba) / Mutsumi Kimura(Ryukoku Univ.) / Yuko Kominami(Shizuoka Univ.) / / / Tatsuo Mori(Aichi Inst. of Tech.) / / Takahiro Shinada(Tohoku Univ.)
幹事氏名(和) 吉田 毅(広島大) / 高宮 真(東大) / 小舘 淳一(NTT) / 岩田 展幸(日大) / 鈴木 寿一(北陸先端大) / 新井 学(新日本無線) / 伊達 宗和(NTT) / 山口 雅浩(東工大) / 澤田 滋(住友電装) / 鈴木 健司(富士電機機器制御) / 赤城 文子(工学院大) / 島 隆之(産総研) / 鴻野 晃洋(NTT) / 染谷 隆夫(東大) / 立木 隆(防衛大) / 成瀬 雅人(埼玉大) / 黒田 理人(東北大) / 山口 直(ルネサス エレクトロニクス)
幹事氏名(英) Takeshi Yoshida(Hiroshima Univ.) / Makoto Takamiya(Univ. of Tokyo) / Junichi Kodate(NTT) / Nobuyuki Iwata(Nihon Univ.) / Toshikazu Suzuki(JAIST) / Manabu Arai(New JRC) / Munekazu Date(NTT) / Masahiro Yamaguchi(Tokyo Inst. of Tech.) / Shigeru Sawada(Sumitomo Denso) / Kenji Suzuki(Fujielectric) / Fumiko Akagi(Kogakuin Univ.) / Takayuki Shima(AIST) / Akihiro Kohno(NTT) / Takao Someya(Univ. of Tokyo) / Takashi Tachiki(National Defense Academy) / Masato Naruse(Saitama Univ.) / Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) / Tadashi Yamaguchi(Renesas)
幹事補佐氏名(和) 橋本 隆(パナソニック) / 夏井 雅典(東北大) / 伊藤 浩之(東工大) / 範 公可(電通大) / 坂本 尊(NTT) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 東脇 正高(NICT) / 大石 敏之(佐賀大) / 山口 留美子(秋田大) / 新田 博幸(ジャパンディスプレイ) / 中田 充(NHK) / 小尻 尚志(日本ゼオン) / 野中 亮助(東芝) / 萓野 良樹(電通大) / 林 優一(東北学院大) / 工藤 究(東芝) / 吉田 周平(近畿大) / 梶井 博武(阪大) / 田口 大(東工大) / 赤池 宏之(名大) / 山梨 裕希(横浜国大) / 池田 浩也(静岡大)
幹事補佐氏名(英) Takashi Hashimoto(Panasonic) / Masanori Natsui(Tohoku Univ.) / Hiroyuki Ito(Tokyo Inst. of Tech.) / Pham Konkuha(Univ. of Electro-Comm.) / Takashi Sakamoto(NTT) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Masataka Higashiwaki(NICT) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Rumiko Yamaguchi(Akita Univ.) / Hiroyuki Nitta(Japan Display) / Mitsuru Nakata(NHK) / Takashi Kojiri(ZEON) / Ryosuke Nonaka(Toshiba) / Yoshiki Kayano(Univ. of Electro-Comm.) / Yuichi Hayashi(Tohoku Gakuin Univ.) / Kiwamu Kudo(Toshiba) / Shuhei Yoshida(Kinki Univ.) / Hirotake Kajii(Osaka Univ.) / Dai Taguchi(Tokyo Inst. of Tech.) / Hiroyuki Akaike(Nagoya Univ.) / Yuki Yamanashi(Yokohama National Univ.) / Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Integrated Circuits and Devices / Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Electron Devices / Technical Committee on Electronic Information Displays / Technical Committee on Electromechanical Devices / Technical Committee on Magnetic Recording / Technical Committee on Organic Molecular Electronics / Technical Committee on Superconductive Electronics / Technical Committee on Silicon Device and Materials
本文の言語 JPN
タイトル(和) 光EFISHG法による有機EL素子の非破壊寿命推定
サブタイトル(和)
タイトル(英) Nondestructive OLED diagnostics by using optical EFISHG technique
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 光第2次高調波発生 / electric-field-induced optical second-harmonic generation
キーワード(2)(和/英) 非破壊測定 / non-destructive measurement
キーワード(3)(和/英) 有機EL / organic light-emitting diode
キーワード(4)(和/英) 寿命推定 / Diagnostic method
第 1 著者 氏名(和/英) 田口 大 / Dai Taguchi
第 1 著者 所属(和/英) 東京工業大学(略称:東工大)
Tokyo Institute of Technology(略称:Tokyo Tech)
第 2 著者 氏名(和/英) 間中 孝彰 / Takaaki Manaka
第 2 著者 所属(和/英) 東京工業大学(略称:東工大)
Tokyo Institute of Technology(略称:Tokyo Tech)
第 3 著者 氏名(和/英) 岩本 光正 / Mitsumasa Iwamoto
第 3 著者 所属(和/英) 東京工業大学(略称:東工大)
Tokyo Institute of Technology(略称:Tokyo Tech)
発表年月日 2017-01-31
資料番号 EMD2016-81,MR2016-53,SCE2016-59,EID2016-60,ED2016-124,CPM2016-125,SDM2016-124,ICD2016-112,OME2016-93
巻番号(vol) vol.116
号番号(no) EMD-439,MR-440,SCE-441,EID-442,ED-443,CPM-444,SDM-445,ICD-446,OME-447
ページ範囲 pp.59-64(EMD), pp.59-64(MR), pp.59-64(SCE), pp.59-64(EID), pp.59-64(ED), pp.59-64(CPM), pp.59-64(SDM), pp.59-64(ICD), pp.59-64(OME),
ページ数 6
発行日 2017-01-23 (EMD, MR, SCE, EID, ED, CPM, SDM, ICD, OME)