| 講演名 | 2017-01-27 GaN on Siを用いたX帯低損失・高耐電力スイッチ 幸丸 竜太(三菱電機), 半谷 政毅(三菱電機), 中原 和彦(三菱電機), 岡崎 拓行(三菱電機), 山中 宏治(三菱電機), |
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| 抄録(和) | GaN on Siを用いた低損失・高耐電力な特性を有するスイッチの試作結果について報告する． 本スイッチにはSi基板上にGaN層を形成したGaNonSi を適用している．Si基板は安価であるが，GaNデバイスの基板材料としてよく用いられるSiCに比べ損失が大きいことが課題である．低損失化のために非対称型かつインダクタとFETによる並列共振器構成を用いた回路を適用した高耐電力スイッチを試作，X帯比帯域30%での評価結果として受信時挿入損失1.28dB以下，送信時アイソレーション11.0dB以上，43.1dBm以上のハンドリングパワーを達成し，GaNonSiを用いた場合でも低損失な電気特性を得ることができた． |
| 抄録(英) | An X-band low loss and high power switch using GaN on Si has been developed. The high power switch utilized asymmetric circuit topology and parallel resonator with inductor and FET for low insertion loss. The switch MMIC is fabricated in X-band with a size of 1.05x1.95mm2. The measured insertion loss at RX-mode was 1.28dB and the isolation at TX-mode was 11dB in worst case in 30% fractional bandwidth of X-band. Furthermore, measured isolation compression was less than 0.5dB at 43.1dBm. |
| キーワード(和) | スイッチ / GaN on Si / MMIC / 低損失 / 高耐電力 |
| キーワード(英) | switch / GaN on Si / MMIC / Low-loss / High-power |
| 資料番号 | ED2016-106,MW2016-182 |
| 発行日 | 2017-01-19 (ED, MW) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW / ED |
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| 開催期間 | 2017/1/26(から2日開催) |
| 開催地（和） | 機械振興会館地下2階1号室 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | Compound Semiconductor IC and High-Speed, High-Frequency Devices / Microwave Technologies |
| 委員長氏名（和） | 石川 容平(京大) / 前澤 宏一(富山大) |
| 委員長氏名（英） | Yohei Ishikawa(Kyoto Univ.) / Koichi Maezawa(Univ. of Toyama) |
| 副委員長氏名（和） | 九鬼 孝夫(国士舘大) / 西川 健二郎(鹿児島大) / 田島 賢一(三菱電機) / 津田 邦男(東芝) |
| 副委員長氏名（英） | Takao Kuki(Kokushikan Univ.) / Kenjiro Nishikawa(Kagoshima Univ.) / Kenichi Tajima(Mitsubishi Electric) / Kunio Tsuda(Toshiba) |
| 幹事氏名（和） | 佐藤 潤二(パナソニック) / 平野 拓一(東工大) / 鈴木 寿一(北陸先端大) / 新井 学(新日本無線) |
| 幹事氏名（英） | Junji Sato(Panasonic) / Takuichi Hirano(Tokyo Inst. of Tech.) / Toshikazu Suzuki(JAIST) / Manabu Arai(New JRC) |
| 幹事補佐氏名（和） | 關谷 尚人(山梨大) / 小野 哲(電通大) / 東脇 正高(NICT) / 大石 敏之(佐賀大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Naoto Sekiya(Univ. of Yamanashi) / Satoshi Ono(Univ. of Electro-Comm.) / Masataka Higashiwaki(NICT) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Microwaves / Technical Committee on Electron Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaN on Siを用いたX帯低損失・高耐電力スイッチ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | An X-band Low Loss/High Power SPST Switch Using GaN on Si |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | スイッチ / switch |
| キーワード(2)（和/英） | GaN on Si / GaN on Si |
| キーワード(3)（和/英） | MMIC / MMIC |
| キーワード(4)（和/英） | 低損失 / Low-loss |
| キーワード(5)（和/英） | 高耐電力 / High-power |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 幸丸 竜太 / Ryota Komaru |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社(略称：三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation(略称：Mitsubishi Electric) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 半谷 政毅 / Masatake Hangai |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社(略称：三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation(略称：Mitsubishi Electric) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 中原 和彦 / Kazuhiko Nakahara |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社(略称：三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation(略称：Mitsubishi Electric) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 岡崎 拓行 / Hiroyuki Okazaki |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社(略称：三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation(略称：Mitsubishi Electric) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 山中 宏治 / Koji Yamanaka |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社(略称：三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation(略称：Mitsubishi Electric) |
| 発表年月日 | 2017-01-27 |
| 資料番号 | ED2016-106,MW2016-182 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | ED-431,MW-432 |
| ページ範囲 | pp.53-56(ED), pp.53-56(MW), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2017-01-19 (ED, MW) |