| 講演名 | 2017-01-27 Si基板上GaNHEMTの基板中RFリーク電流の温度特性を考慮した物理モデル 山口 裕太郎(三菱電機), 新庄 真太郎(三菱電機), 山中 宏治(三菱電機), 大石 敏之(佐賀大), |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | ED2016-107,MW2016-183 |
| 発行日 | 2017-01-19 (ED, MW) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW / ED |
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| 開催期間 | 2017/1/26(から2日開催) |
| 開催地（和） | 機械振興会館地下2階1号室 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | Compound Semiconductor IC and High-Speed, High-Frequency Devices / Microwave Technologies |
| 委員長氏名（和） | 石川 容平(京大) / 前澤 宏一(富山大) |
| 委員長氏名（英） | Yohei Ishikawa(Kyoto Univ.) / Koichi Maezawa(Univ. of Toyama) |
| 副委員長氏名（和） | 九鬼 孝夫(国士舘大) / 西川 健二郎(鹿児島大) / 田島 賢一(三菱電機) / 津田 邦男(東芝) |
| 副委員長氏名（英） | Takao Kuki(Kokushikan Univ.) / Kenjiro Nishikawa(Kagoshima Univ.) / Kenichi Tajima(Mitsubishi Electric) / Kunio Tsuda(Toshiba) |
| 幹事氏名（和） | 佐藤 潤二(パナソニック) / 平野 拓一(東工大) / 鈴木 寿一(北陸先端大) / 新井 学(新日本無線) |
| 幹事氏名（英） | Junji Sato(Panasonic) / Takuichi Hirano(Tokyo Inst. of Tech.) / Toshikazu Suzuki(JAIST) / Manabu Arai(New JRC) |
| 幹事補佐氏名（和） | 關谷 尚人(山梨大) / 小野 哲(電通大) / 東脇 正高(NICT) / 大石 敏之(佐賀大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Naoto Sekiya(Univ. of Yamanashi) / Satoshi Ono(Univ. of Electro-Comm.) / Masataka Higashiwaki(NICT) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Microwaves / Technical Committee on Electron Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Si基板上GaNHEMTの基板中RFリーク電流の温度特性を考慮した物理モデル |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Physical model of GaN HEMT on Si including temperature dependence of RF leakage current in substrates |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山口 裕太郎 / Yutaro Yamaguchi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社(略称：三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation(略称：Mitsubishi Electric corp.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 新庄 真太郎 / Shintaro Shinjo |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社(略称：三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation(略称：Mitsubishi Electric corp.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山中 宏治 / Koji Yamanaka |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社(略称：三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation(略称：Mitsubishi Electric corp.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 大石 敏之 / Toshiyuki Oishi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 佐賀大学(略称：佐賀大) Saga university(略称：Saga univ.) |
| 発表年月日 | 2017-01-27 |
| 資料番号 | ED2016-107,MW2016-183 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | ED-431,MW-432 |
| ページ範囲 | pp.57-62(ED), pp.57-62(MW), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2017-01-19 (ED, MW) |