| 講演名 | 2017-01-27 ゲート長0.15um GaN HEMTを用いた動作帯域8%、30W出力/60% PAEのX帯GaN電力増幅器 河村 由文(三菱電機), 半谷 政毅(三菱電機), 水谷 知大(三菱電機), 富山 賢一(三菱電機), 山中 宏治(三菱電機), |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 短ゲート長（Lg=0.15 um）GaN HEMT を用いた30W級X帯GaN電力増幅器について報告する。本電力増幅器では、X帯GaN電力増幅器の更なる高効率化を実現するため、短ゲート長（Lg=0.15 um）GaN HEMT を用い、入力側・出力側の両方に2次高調波処理回路を装荷した構成を適用した。試作・評価の結果、X帯の比帯域8%の周波数範囲において、出力電力Pout=44.5～45.0 dBm（28～31.5W）、動作利得Gain=11dB以上、電力付加効率PAE=57～60%の性能を達成した。 |
| 抄録(英) | In this paper, a 30W-class X-band high-efficiency Internally Matched FET (IMFET) implemented in a 0.15 um GaN HEMT process is presented. The fabricated HPA has achieved the Pout of 28-31.5 W and the PAE (power added efficiency) of 57-60% and the gain of 11-12.5dB over 8% relative bandwidth. To the authors’ knowledge, this is one of the highest level performance among ever-reported ones. |
| キーワード(和) | 高出力電力増幅器 / GaN / X帯 / 内部整合型FET |
| キーワード(英) | High-power amplifier / gallium nitride (GaN) / X-band / Internally Matched FET |
| 資料番号 | ED2016-111,MW2016-187 |
| 発行日 | 2017-01-19 (ED, MW) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW / ED |
|---|---|
| 開催期間 | 2017/1/26(から2日開催) |
| 開催地（和） | 機械振興会館地下2階1号室 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | Compound Semiconductor IC and High-Speed, High-Frequency Devices / Microwave Technologies |
| 委員長氏名（和） | 石川 容平(京大) / 前澤 宏一(富山大) |
| 委員長氏名（英） | Yohei Ishikawa(Kyoto Univ.) / Koichi Maezawa(Univ. of Toyama) |
| 副委員長氏名（和） | 九鬼 孝夫(国士舘大) / 西川 健二郎(鹿児島大) / 田島 賢一(三菱電機) / 津田 邦男(東芝) |
| 副委員長氏名（英） | Takao Kuki(Kokushikan Univ.) / Kenjiro Nishikawa(Kagoshima Univ.) / Kenichi Tajima(Mitsubishi Electric) / Kunio Tsuda(Toshiba) |
| 幹事氏名（和） | 佐藤 潤二(パナソニック) / 平野 拓一(東工大) / 鈴木 寿一(北陸先端大) / 新井 学(新日本無線) |
| 幹事氏名（英） | Junji Sato(Panasonic) / Takuichi Hirano(Tokyo Inst. of Tech.) / Toshikazu Suzuki(JAIST) / Manabu Arai(New JRC) |
| 幹事補佐氏名（和） | 關谷 尚人(山梨大) / 小野 哲(電通大) / 東脇 正高(NICT) / 大石 敏之(佐賀大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Naoto Sekiya(Univ. of Yamanashi) / Satoshi Ono(Univ. of Electro-Comm.) / Masataka Higashiwaki(NICT) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Microwaves / Technical Committee on Electron Devices |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ゲート長0.15um GaN HEMTを用いた動作帯域8%、30W出力/60% PAEのX帯GaN電力増幅器 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 30W Output/60% PAE GaN Power Amplifier at X-band 8% Relative Bandwidth Utilizing 0.15um GaN HEMT Technology |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 高出力電力増幅器 / High-power amplifier |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / gallium nitride (GaN) |
| キーワード(3)（和/英） | X帯 / X-band |
| キーワード(4)（和/英） | 内部整合型FET / Internally Matched FET |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 河村 由文 / Yoshifumi Kawamura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社(略称：三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation(略称：Mitsubishi Electric) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 半谷 政毅 / Masatake Hangai |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社(略称：三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation(略称：Mitsubishi Electric) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 水谷 知大 / Tomohiro Mizutani |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社(略称：三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation(略称：Mitsubishi Electric) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 富山 賢一 / Kenichi Tomiyama |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社(略称：三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation(略称：Mitsubishi Electric) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 山中 宏治 / Koji Yamanaka |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社(略称：三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation(略称：Mitsubishi Electric) |
| 発表年月日 | 2017-01-27 |
| 資料番号 | ED2016-111,MW2016-187 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | ED-431,MW-432 |
| ページ範囲 | pp.81-84(ED), pp.81-84(MW), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2017-01-19 (ED, MW) |