| 講演名 | 2016-12-12 界面顕微光応答法によるAu/Ni/n-GaNショットキー接触の電圧印加劣化の2次元評価 塩島 謙次(福井大), 村瀬 真悟(福井大), 前田 昌嵩(福井大), 三島 友義(法政大), |
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| 抄録(和) | GaN自立基板上に形成した、Ni/n-GaNショットキー接触に電流値を制限した逆方向電圧ストレスを繰り返して印加し、劣化の初期過程を評価した。-450 Vおよび-200 V の2回の電圧掃引で、ショットキー接触のI-V特性において障壁高さが低下、逆方向電流が増加した。金属顕微鏡観察では電極形状に変化がみられなかったが、界面顕微光応測定では光電流が増加している領域がスポット状に検出された。この領域の面積は6 m2で、障壁高さは0.52 eV低下していることも明らかとなり、順方向I-V特性を再現することもできた。界面顕微光応答法は電極全体をマクロに見渡せ、高電圧印加による劣化の初期過程の評価に有効であることを確認した。 |
| 抄録(英) | We characterized an early stage of interface degradation by high-reverse-voltage application in Au/Ni/n-GaN Schottky contacts using scanning internal photoemission (SIPM). Photocurrent was fairly uniform over the dot without the voltage application. However after applying voltage stress with a current compliance of 1×10-8 A, we find some spots standing out from uniform surrounding. The calculated forward I-V curve from the SIPM results was closed to the experimental one. It is speculated that the leakage current can preferentially flow through the low-barrier spots before catastrophic degradation. We confirmed that SIPM is a powerful tool for characterizing an early stage of interface degradation in Schottky contacts. |
| キーワード(和) | n-GaN / ショットキー接触 / 界面顕微光応答法 / 電圧印加劣化 |
| キーワード(英) | n-GaN / Schottky contact / Scanning internal photoemission microscopy / degradation by voltage stress |
| 資料番号 | ED2016-58,CPM2016-91,LQE2016-74 |
| 発行日 | 2016-12-05 (ED, CPM, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM / LQE / ED |
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| 開催期間 | 2016/12/12(から2日開催) |
| 開催地（和） | 京大桂キャンパス |
| 開催地（英） | Kyoto University |
| テーマ（和） | 窒化物半導体・光電子デバイス・材料、関連技術及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride semiconductors, optoelectronic devices, and related materials |
| 委員長氏名（和） | 野毛 悟(沼津高専) / 野田 進(京大) / 前澤 宏一(富山大) |
| 委員長氏名（英） | Satoru Noge(Numazu National College of Tech.) / Susumu Noda(Kyoto Univ.) / Koichi Maezawa(Univ. of Toyama) |
| 副委員長氏名（和） | 廣瀬 文彦(山形大) / 山本 剛之(富士通研) / 津田 邦男(東芝) |
| 副委員長氏名（英） | Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Tsuyoshi Yamamoto(Fujitsu Labs.) / Kunio Tsuda(Toshiba) |
| 幹事氏名（和） | 小舘 淳一(NTT) / 岩田 展幸(日大) / 藤原 直樹(NTT) / 片桐 崇史(東北大) / 鈴木 寿一(北陸先端大) / 新井 学(新日本無線) |
| 幹事氏名（英） | Junichi Kodate(NTT) / Nobuyuki Iwata(Nihon Univ.) / Naoki Fujiwara(NTT) / Takashi Katagiri(Tohoku Univ.) / Toshikazu Suzuki(JAIST) / Manabu Arai(New JRC) |
| 幹事補佐氏名（和） | 坂本 尊(NTT) / 中村 雄一(豊橋技科大) / / 東脇 正高(NICT) / 大石 敏之(佐賀大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Takashi Sakamoto(NTT) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / / Masataka Higashiwaki(NICT) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Electron Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 界面顕微光応答法によるAu/Ni/n-GaNショットキー接触の電圧印加劣化の2次元評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Observation of Initial Stage of Degradation in Au/Ni/n-GaN Schottky Diodes Using Scanning Internal Photoemission Microscopy |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | n-GaN / n-GaN |
| キーワード(2)（和/英） | ショットキー接触 / Schottky contact |
| キーワード(3)（和/英） | 界面顕微光応答法 / Scanning internal photoemission microscopy |
| キーワード(4)（和/英） | 電圧印加劣化 / degradation by voltage stress |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 塩島 謙次 / Kenji Shiojima |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 福井大学(略称：福井大) University of Fukuiv(略称：Univ. of Fukui) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 村瀬 真悟 / Shingo Murase |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 福井大学(略称：福井大) University of Fukuiv(略称：Univ. of Fukui) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 前田 昌嵩 / Masataka Maeda |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 福井大学(略称：福井大) University of Fukuiv(略称：Univ. of Fukui) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 三島 友義 / Tomoyoshi Mishima |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 法政大学(略称：法政大) Hosei University(略称：Hosei Univ.) |
| 発表年月日 | 2016-12-12 |
| 資料番号 | ED2016-58,CPM2016-91,LQE2016-74 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | ED-356,CPM-357,LQE-358 |
| ページ範囲 | pp.5-8(ED), pp.5-8(CPM), pp.5-8(LQE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2016-12-05 (ED, CPM, LQE) |